IntelとMicron、クロスポイント型不ｧ発性メモリをサンプル出荷へ
IntelとMicron technologyは共同で、DRAMとNANDフラッシュをつなぐ新型メモリを開発した(図1)。3D XPoint（スリーディークロスポントと�}ぶ）�\術と�@��けたこの不ｧ発性メモリは、ストレージクラスメモリである。NANDよりも3ケタ�]く、DRAMよりも10倍高密度で、NANDよりも書き換え�v数が1000倍�Hいという。
図1 3D XPointテクノロジーを使った128Gビットのメモリ
出�Z：Intel、Micron Technology
このようなストレージクラスメモリは、DRAMとNANDフラッシュのようなストレージデバイスを�mめるためのメモリである。これまでのコンピュータアーキテクチャでは、プロセッサとデータを絶えずやり�DりするDRAMは、本当は�j容量を組むことでコンピュータシステムを高�]化できるが、システムが高価になってしまう。しかし、DRAM容量が限られていると、プロセッサはストレージとやり�Dりせざるを�uなくなり、アクセスは��常に��くなる。このため、DRAMとストレージをつなぐ�W価なメモリが求められている。
現在のNANDフラッシュなら、レイテンシは数�王�sと��いが、この新型メモリでは数��nsとNANDよりも3ケタ�]い。このため、DRAMとNANDフラッシュとの間の�]度ギャップを�mめることができる。もちろん、NANDフラッシュでさえ、HDD(ハードドライブ)と比べると3ケタ高�]だから、ストレージデバイスは�k般にHDDからNANDフラッシュアレイへ�々圓靴弔弔△襦�今�vの3D XPointメモリはHDDよりも6ケタ�]くなる。
高�]で�W価なストレージクラスメモリができるようになると、データを数��nsでアクセスできるようになり、例えば小売り業�vは、商��との�D引での偽のIDパターンを�t座に見破ることができる。ヘルスケア研�|�vは、膨�jなデータをリアルタイムで処理・解析できるようになり、�C伝子解析や伝����の�{跡などが高�]にできるようになる。
図2 クロスポイントアーキテクチャの3D XPointメモリ 出�Z：Intel、Micron
メモリ構�]はクロスポイントアレイ構�]で、図2のオレンジ�霾�を��(li│n)�Iデバイス、�u�霾�をメモリセルとして使う。トランジスタレスだとしている。��(li│n)�Iデバイス、メモリセルともどのような材料でできており、どのような原理で動作するのかについては��らかにしていない。PCRAMかSTT-MRAMかさえ、��かしていない。
アクセスする場合は、�屬離錙璽廟�と下のビット線に電圧をかけオレンジ色の��(li│n)�Iデバイスを通してメモリセルに書き込み読み出しする。このクロスポイントアレイは、図2のようにアレイ�Cを2段に積み�_ねて容量を�\やすことができる。DRAMではトランジスタをメモリセルの横に配��していたが、3D XPointではトランジスタはなく、��(li│n)�Iデバイスをメモリセルに�e積みできるため、メモリ容量をDRAMの10倍にできるという。
すでに現在量�僯�Δ淵廛蹈札攻\術で、128Gビットの試作��を�攵�しており、今�Qの後半にはサンプル出荷を始める予定だ。この�\術はIntel、Micronからそれぞれ����として販売することになる。
