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小型・低価格の磁気センサ式モータ�U御を狙うams

2014年8月20日｜�\術分析（半導��）

オーストリアのIDM半導��メーカー、amsが光学式ロータリエンコーダ並みの�@度を�eつ磁気角度センサICを開発、サンプル出荷を始めた。1分間に7000�v転での誤差は±0.08°、同14,500�v転での誤差が±0.17°と小さく、��AS5047DおよびAS5147が14ピンのTSSOPパッケージ、AS5247がMLF-40と7mm×7mmのパッケージに封�Vされている。 [→�きを読む]

NI、RF/ミクストシグナルIC向けフレキシブルなテスターをリリース

2014年8月 7日｜�\術分析（��]・検�h��）

National Instrumentsは、半導��チップの高性�Σ宗�盖�Σ修帽腓錣擦謄侫譽⑤轡屮襪悩胴柔��Δ僻焼��テストシステムSTS（Semiconductor Test System）を開発した（図1）。RFやミクストシグナル半導��のテスト向け。オープンなモジュラー�擬阿�PXIハードウエアプラットフォームをベースにしているため、実�x�から量��にPXIを�\設するだけで�々圓任④�。最�jの��長は開発から量�までの期間�]縮だ。 [→�きを読む]

14nm以�Tに実�期を迎える3次元IC

2014年7月31日｜�\術分析（プロセス）

3次元スタックダイ(3D IC)の実�化には時間がかかると10�Q�iから言われてきた。�x場調�h会社のGartnerによると、3D ICをすでに作��できるようになったTSMCは、1�Q後にはサンプル�攵�終えるという。セミコンポータルの提携メディアであるSemiconductor Engineeringが最�Zの3次元ICの動きをレビューした。 [→�きを読む]

Lattice、センサ信�処理を見越しFPGAにもDSPを4個搭載

2014年7月30日｜�\術分析（半導��）

Lattice Semiconductorは、スマートフォンやタブレットなどの機�Δ鰓~単に�\�咾垢襪燭瓩�FPGAを開発してきた。今後のスマホに搭載するセンサの数が爆発的に�\えることを見越して、センサ信�処理�DSPを4個集積したFPGAであるiCE40 Ultra(図1)を��化した。 [→�きを読む]

ON Semi、モバイル端�向けのミクストシグナル��を�々発表

2014年7月22日｜�\術分析（半導��）

これからも成長が�くと期待されるスマートフォンやタブレット向けに、アナログ�\術を�u�Tとする半導��メーカーならではの��をON Semiconductorが相次いで投入している。ON Semiが�A収した旧�洋電機半導��靆腓�、System Solution Groupに�錣�、統括するシニアバイスプレジデントのMamoon Rashid��脇鐱椶濃�Г鬚箸辰討い襪箸い�。 [→�きを読む]

Mentor Graphics、ヘテロなコアとOSのマルチコアIC総合設�ツールを発表

2014年7月17日｜�\術分析（デバイス設�& FPD）

Mentor Graphicsは、CPUコアが異なるヘテロジニアスで、かつマルチコアのICを容易に設�できる包括的なソリューションを発表した。異なるOS（operating system）の�屬飽曚覆�CPUコアを集積するマルチコアICを設�・検証するのに向く。 [→�きを読む]

AMAT、3D構�]のFinFET、NANDフラッシュに向け新CMPとCVDを発表

2014年7月15日｜�\術分析（��]・検�h��）

Applied Materialsは、ロジック向けのFinFETプロセス、メモリ向けの3D NANDフラッシュプロセスという�jきな二つの3次元構�](図1)を実現するためのプロセス��： CMP（化学的機械的研磨）とCVD（化学的気相成長）の新��を発表した。 [→�きを読む]

日立の高効率モータのカギは応��敢�

2014年7月11日｜�\術分析（半導��応�）

7月9日に日立��作所が発表した、効率96%と高い、アモルファス鉄心を使ったモータ(図1、2)は、材料の加工がカギだった。今�v試作したモータは、国際高効率��格の最高レベルに相当するIE 5をクリアしている。これまでの最高クラスといえよう。 [→�きを読む]

コスト・パフォーマンスで考えるSiCデバイス～Infineonの�Dり組み

2014年7月10日｜�\術分析（半導��）

「SiCパワー半導��の価値は、コスト・パフォーマンスで考えよう」。SiCのショットキダイオードやFETを、SiのIGBTと単価だけで比べるとSiCは高い。しかし、システムあるいはモジュールでのコストが�Wければ、ユーザーには�jきなメリットになる。もちろん性�Δ蝋發ぁ�Infineon Technologiesが考えるSiC戦�Sは�x場原理に基づいている。 [→�きを読む]