ON Semi、モバイル端��向けのミクストシグナル����を��々発表
これからも成長が��くと期待されるスマートフォンやタブレット向けに、アナログ�\術を�u�Tとする半導��メーカーならではの����をON Semiconductorが相次いで投入している。ON Semiが�A収した旧��洋電機半導���靆腓蓮�System Solution Groupに�錣掘�統括するシニアバイスプレジデントのMamoon Rashid��は日本で指ｧをとっているという。
図1 モバイル端��に使われるさまざまな半導��IC 出�Z：ON Semiconductor
もともとMotorolaからスピンアウトしたON SemiconductorとFreescale Semiconductor。Freescaleがマイクロプロセッサや比較的高度な通信��SoCを中心に����を開発してきたのに�瓦靴董�ON Semiはディスクリートから出発した。ディスクリートは�@������が�Hいため、差別化できる����とはなりにくい。このため、ON Semiは、狙うべき�x場を定め、�O動�Z、コンピューティング、�c�據�通信、工業・医��に分け、それらの�x場に向けてアナログやミクストシグナル����を提供してきた。��洋を�A収したのは、パワー関係を�啣修垢襪燭瓩世辰拭�����ポートフォリオが揃ってきたON Semiの統�k�Y語は、「高効率エネルギーへのイノベーション」としている。
国内半導��メーカーのエンジニアやアナリストの中には、スマホやタブレットのようなモバイル端��向けの半導��は、クアルコムやメディアテックにかなわないからその�x場は狙うべきではない、と�~単に言い放つ人たちがいる。しかし、モバイル端��向けの半導��はアプリケーションプロセッサやモデム、NANDフラッシュだけではない。アナログ半導��が�僂里茲Δ忙箸錣譴討い襦�ON Semiが�}�Xけるモバイル端��向け半導��ICは、図1の�u色の�霾�である。むしろ、モバイル端���x場は�g(sh┫)の�僂任△襦�
図2 今�vの新����を発表したON SemiconductorのSystem Solution Groupの Intelligent Power Solution��業�霙垢寮邵螳衞���
このほどON Semiが投入したモバイル�x場向けの新����は、カメラのオートフォーカス（AF）処理��のチップと、リチウムイオンバッテリ��の保護I(l┼ng)C。いずれもこれから使われるであろうと期待されるICである。これらを統括するのは、System Solution Groupに�錣垢�Intelligent Power Solution��業�陲鮓０�する��業�霙垢寮邵螳衞���。
AF��半導��では、これまで主流の開ループ��(sh┫)式よりも高�@度、低消�J電��が�uられる閉ループ��(sh┫)式を開発した。しかし��来の閉ループ��(sh┫)式では、ある�k定のスペースを��要とし、コストが高くついていた。今�vのチップはこれまでの閉ループの�L(f┘ng)点を�ﾀKし、高�@度・低消�J電��・省スペース・低コストを実現する。また、��来の開ループ��(sh┫)式では、光センサ信��(gu┤)を�pけ�Dり、バネ式アクチュエータを動かしてレンズの位��を��定していた(図3)。しかし、バネを動かすための電��が�j(lu┛)きく、とどまっていても電��を消�Jしていた。また�@度は光センサで��まっていた。
図3 二つのオートフォーカスシステム 出�Z：ON Semiconductor
これに�瓦掘�開発した新しい閉ループ��(sh┫)式では、�pけ�Dった光センサ信��(gu┤)をフィルタ処理し、レンズユニットに�Dり��けられた�P久磁石とICからのコイル(アクチュエータ)によってレンズを動かす。その位��を��める場合、ホール素子を使ってレンズユニットの位��(�P久磁石の磁�c)を検出した後、AF処理�v路にフィードバックをかけ最適な位��になるようにコイルの磁�cを再度調�Dする。いわばフィードバックループを使い、位���@度を�屬欧討い襦�レンズユニットを転がして動かすのはバネではなくボールである。このボールがとどまっているときの電��はゼロであり、このシステムの消�J電��は少ない。しかし、パラメータ調�D��のEEPROMや、磁気検出��ホール素子が��要で、����点数は�Hくなる。そこでON SemiはAF処理ICにEEPROMとホール素子も集積し、スペースとコストの問��を解��した。
もう�kつの����、バッテリの保護I(l┼ng)C、LC05111CMTでは、保護�v路が消�Jする電��を��(f┫)らし、�a度�峺�を��(f┫)らすことにより、充電時間を�]くできるようにした。��来は�B�^で電流を検出していた。�B�^��(sh┫)式は�@度が高いものの、電流そのものを無�Gに消�Jしていた。そこで、MOS FETのオン�B�^を検出に使った。しかし��来のFET�B�^は�B�^値が低いものの、そのバラつきは�j(lu┛)きかった。
図4 リチウムイオン電池保護I(l┼ng)C 出�Z：ON Semiconductor
今�vは、MOSFETのオン�B�^のバラつきを�Rり、ポリシリコンヒューズでトリミングし、�QMOSFETのオン�B�^を合わせ込んだ。このヒューズによる�B�^トリミング法は、組み立てパッケージ後に外�陲�らの通信によって、電流を流しヒューズでポリシリコン�B�^の�k�陲鬟�ットすることでその値を調�Dする。ICごとにトリミングするため、IC間のバラつきは��(f┫)り、またFETの検出�v路で消�Jする電��は��(f┫)るため、検出�_の�a度�峺�は��来の55℃から16℃に��(f┫)少した。
