Xilinx、プログラマブルSoCを今後のプラットフォームに
XilinxがプログラマブルSoC（CPUコアやメモリなどのコンピューティング�v路と、FPGAを集積したシステムLSI）のロードマップを��した。FPGAメーカーのXilinxがあえて、SoCと�}ぶのは、FPGAだけで独�O�v路を構成するのには�jきすぎ、かといってCPUソフトウエアだけで動作させるのは��すぎる、といった新しい�x場が見えてきたからだ。 [→��きを読む]
�\術分析
» セミコンポータルによる分析 » �\術分析
Analog Devices、デュアルDSPコア、専��FFTなど集積したSoCを開発
Analog Deviceは、久々に新しいデュアルコアDSPベースのSoC、「ADSP-SC58x」(図1)を開発、サンプル出荷をしている。これまでの「SHARC」プロセッサと比べ、動作時の消�J電��が2W未満で、電��効率、すなわち消�J電��に�瓦垢訐��Δ�5倍以�屬判j幅に�屬欧拭�これまではオーディオプロセッサ����を主としていたが、今�vの開発により�H軸モータ�U御も可�Δ砲覆辰拭� [→��きを読む]
日本NI、さまざまな無線��格を1��でテストできる万�Ε謄好拭爾魍�発
日本ナショナルインスツルメンツ（NI）が、PXIベースのワイヤレス機�_のテスターWTS（Wireless Test System）を発表した(図1)。この�@���R定�_を使えば、スマートフォンやIoT、無線チップなどの無線デバイスなどの性�ΑΦ��Δ離謄好箸��~単になる。 [→��きを読む]
�X設���vに福音、加工しやすい放�Xフィルムが相次いで入�}可�Δ�
ハイパワーLEDやパワートランジスタなどパワーデバイスの放�X設��を楽にしてくれるフィルム材料が相次いで登場した。化学��メーカーのADEKA（旧旭電化工業）とパナソニックが��く異なるアプローチから新しい放�Xフィルムを開発した。 [→��きを読む]
�]チャンネル効果のないIGZO�W��のMOSトランジスタ
![�]チャンネル効果のないIGZO�W��のMOSトランジスタ](/assets_c/900px/150610-sel.png "�]チャンネル効果のないIGZO�W��のMOSトランジスタ")
シャープの�]晶ディスプレイの�Q画素にスイッチングトランジスタとして形成されているIGZO（In、Ga、Znの�┣��顱鉾焼���を改良し、リジッドな完���T晶ではなく、アモーファスでもない「柔らかい」�T晶を半導��エネルギー研�|所が開発、半導��LSIに応��するため、��湾ファウンドリのUMCと提携した。 [→��きを読む]
Altera、14nm FinFETプロセスのStratix 10�\術を��らかに
Alteraの最新FPGA/SoCである、Stratix 10の�\術と実性�Δ���らかになった。AlteraはStratix 10を2013�Q10月にリリースしていたが、このほどその性�Δ亮体�値とその裏��けとなる�\術について発表した。 [→��きを読む]
GaNの歩�里泙�90%や、耐圧1200Vの�e型構�]など新GaNパワーFET
![GaNの歩�里泙�90%や、耐圧1200Vの�e型構�]など新GaNパワーFET](/assets_c/900px/150527-gan.png "GaNの歩�里泙�90%や、耐圧1200Vの�e型構�]など新GaNパワーFET")
GaNの歩�里泙蠅�90%に�屬欧蕕譴覯���性のある設���}法、GaNの耐圧を1200Vまで�屬欧討皀�ン�B�^が1.8mΩcm2とSiC並みに�ZづけることのできるMOSFETなどが試作され、GaNデバイスの常識が変わりつつある。�h��県幕張メッセで開��されたテクノフロンティア2015では、新しいパワー半導��GaNに�jきな進歩がみられた。 [→��きを読む]
Infineon、使いやすさ�_��でIGBTモジュール��業を�啣�
Infineon TechnologiesがIGBTパワーモジュールビジネスに��を入れている。�噞機械や鉄�O�Z両、風��発電など�j電��向けのモジュール(図1)を開発したことに加え、ハイブリッドカー（HEV）や電気�O動�Z（EV）向けのHybridPACK Drive(図2)を開発中である。いずれも��来よりも�jきな電��を扱え、寄�撻ぅ鵐瀬�タンスを下げたことで�W定なスイッチングをサポートする。 [→��きを読む]
SanDisk、書込みレイテンシ15µsと高�]のフラッシュストレージを出荷へ
![SanDisk、書込みレイテンシ15µsと高�]のフラッシュストレージを出荷へ](/assets_c/900px/150512-flashstorage.png "SanDisk、書込みレイテンシ15µsと高�]のフラッシュストレージを出荷へ")
書込みレイテンシが15µs、とストレージ����としては3ケタ高�]のフラッシュストレージ����(図1)をSanDiskが6月1日から出荷する。これまでの10〜20msというSSDと100nsというDRAMメモリとの間(メモリギャップ)を�mめることができる�屐▲好肇譟璽犬修里發里��]度を�f�屬欧垢襪海箸砲覆蠅修Δ澄� [→��きを読む]
BoschのCMOSセンサハブ、�O社設��によりIoT��争��を�屬欧�
Bosch Sensortecは、センサビジネスが単��からスマートシステムへ�々圓靴討い襦△�4月下旬に東�B･両国で開かれたMEMS Engineer Forum 2015で述べた。スマートシステムはセンサ情報がインターネットとつながり、新しい��争��を�擇燹�これがIoTの本��である。 [→��きを読む]
<<�iのページ 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 次のページ »
