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ソフトウエアベースの�R定�_メーカーNational Instruments社が毎�Q��に開��するNIWeek(図1)では、��ず�jきな�\術のトレンドについてディスカッションされている。昨�Qは、IoTを工業��IoT (IIoT) に集中することを表��すると共に、もう�kつの流れである、Software-Defined xxx、あるいはSoftware-Designed xxxに関しても述べていた。今�Qはどうか。 [→��きを読む]
IntelとMicron technologyは共同で、DRAMとNANDフラッシュをつなぐ新型メモリを開発した(図1)。3D XPoint（スリーディークロスポントと�}ぶ）�\術と�@��けたこの不ｧ発性メモリは、ストレージクラスメモリである。NANDよりも3ケタ�]く、DRAMよりも10倍高密度で、NANDよりも書き換え�v数が1000倍�Hいという。 [→��きを読む]
Bluetooth LE (Low Energy)を使ったIoTやウェアラブル、スマートホームなどの�x場が拡�jすると期待されているが、ビーコンの����でその�x場は�k段と広がりそうだ。Bluetooth LEを使った電�Sの発信機ビーコンは、屋内や地下莂覆匹琉���検出に威��を発ｧするようになる。 [→��きを読む]
Texas Instrumentsは世�cトップのアナログICメーカーであるが(参考�@料1)、IoT時代には�O社の�u�Tなアナログとプログラマブルデジタルをますます��かせる、と�啜い琳e勢を見せる。このほど来日した同社アナログ�靆腑轡縫▲丱ぅ好廛譽献妊鵐箸�Stephen Anderson��(図1)は、ワンストップショップの�咾気鮗臘イ靴拭� [→��きを読む]
ルネサスSPドライバを�A収したSynapticsがタッチセンサコントロールとディスプレイドライバを1チップに集積したコンビ����ClearPad 4300をサンプル出荷し始めた。これまでタッチセンサコントロールが�u�TだったSynapticsが、ディスプレイドライバが�u�TだったRSP社を�A収した成果の���k��となった。 [→��きを読む]
GlobalFoundriesが16/14nm Fin FET�\術と同等な性�Δ魴eつ22nm FD (Fully-Depleted)-SOI (Silicon on Insulator)�\術をファウンドリとして提供することを発表した。これまでSamsungと�k緒に14nm Fin FET�\術を開発してきただけに、なぜ今この�\術なのか、同社CMOS Platforms Business�靆臘垢妊轡縫�VPのGregg Bartlett��(図1)が電�Bインタビューで答えた。 [→��きを読む]
パワーマネジメントIC（PMIC）に��を入れてきたアナログ・ミクストシグナル半導��のIntersil社と、元々パワーマネジメント専門メーカーの日本のファブレス半導��であるトレックスセミコンダクター社。�I��にもほぼ同時に日本の新社長が�擇泙譴拭６Δ縫僖錙璽泪優献瓮鵐箸鬚気蕕��啣修垢襦� [→��きを読む]
パワー半導��のテストコストを下げる提案をケースレー・インスツルメンツが行った。これは、テクトロニクス・ケースレーイノベーション・フォーラムで��らかにしたもの。並�`のパラメータテストやTDDB試�x、高�aバイアス試�x、データ解析での時間�]縮��例を紹介した。 [→��きを読む]
![新材料を�]時間で開発できるコンビナトリアル�}法で�jきな�i進](/assets_c/900px/150701-combinatorial.png "新材料を�]時間で開発できるコンビナトリアル�}法で�jきな�i進")
コンビナトリアルと�}ばれる�}法を使って新材料を開発するビジネスが��発になってきた。�H元�U材料の薄膜を形成するのに組成を連��的に変え、最適な組成を見出すのに使う（図1）。2007�QにSEMICON Westで�t��した��Intermolecular社の材料組成やプロセス条�Pを変える�擬阿箸楼磴ぁ�薄膜の組成を連��的に変えられる。真空����やスパッタリング����を使う。英国のIlika（イリカと発音）社、日本のコメット社を紹介する。 [→��きを読む]
メモリメーカーのMicron TechnologyがDRAMを3次元的にTSVで積層するHMC（Hybrid Memory Cube）について、SPIフォーラム「3次元実�△悗量O」で紹介したが、AMDはコンピュータシステムを高�]動作させるためのTSVによる、新しい2.5D IC�\術を��らかにした。 [→��きを読む]
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