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\術分析(プロセス)

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厚さ150µmのLiイオンバッテリ、半導プロセスで作、商化1(gu┤)

厚さ150µmのLiイオンバッテリ、半導プロセスで作、商化1(gu┤)

厚さ0.15mm(150µm)とA4Lのように薄い薄膜のLiイオンバッテリが商化された。Siウェーハ屬貿膜を形成する法を使うため、Si LSIv路も集積できるというメリットもある。現実には、PoP(Package on package)や3D ICを動かすための電源としても使う。発売したのは櫂戰鵐船磧爾Cymbet社。 [→きを読む]

銅の5倍のX伝導性をeつ合成ダイヤ薄膜で、日本x場狙うElement Six社

銅の5倍のX伝導性をeつ合成ダイヤ薄膜で、日本x場狙うElement Six社

英国の工業ダイヤモンド材料メーカーであるElement Six Technologies社が日本での動を本格化させている。これまで工業のダイヤモンド砥やパウダーなど駘的にwいという長を擇し機械的な作業の分野にRしていたが、エレクトロニクスにもを入れ始めた。X伝導の良さにR`している。 [→きを読む]

SuVolta社、富士通にき、ARM、UMCとも契約、成長企業へ踏み出す

SuVolta社、富士通にき、ARM、UMCとも契約、成長企業へ踏み出す

MOSトランジスタのゲートしきい電圧Vthのバラつきを本的に(f┫)らす\術企業のSuVolta(スボルタ)社。このほど、ARMコアで高性Αδ秕嫡J電を実証、さらにUMCと28nmプロセスを共同開発することを発表した。この\術は、Vthバラつきを小さくできるため、電源電圧を下げ、消J電を削(f┫)できる。 [→きを読む]

28nmの次のプロセスノードは、14nm FINFETか20nmプレーナか

28nmの次のプロセスノードは、14nm FINFETか20nmプレーナか

Mooreの法Г離謄ノロジーノードをスキップする動きが顕著になってきた。Alteraは、ハイエンドのFPGA SoCStratix、ミッドレンジのArriaを現在最先端の28nmプロセスで攵しているが、この次のプロセスノードをそれぞれ14nm FINFET、20nmプレーナCMOSと、変(g┛u)する(sh┫)針を発表した。@はいずれも10シリーズと命@している(図1)。 [→きを読む]

MEMSでバリコン、2mm3のリードスイッチを実現・商化するベンチャーと鬩F

MEMSでバリコン、2mm3のリードスイッチを実現・商化するベンチャーと鬩F

かつて、バリアブルコンデンサと}ばれる、ラジオチューナの可変キャパシタがあった。空気を絶縁としてい、向かい合わせた金關の片Cだけを機械的にv転させることで金關が向かい合うC積を変え容量を変えるというもの。MEMSを使って金關間の{(di┐o)`を変えて可変キャパシタを実現する企業が現れた。リードスイッチ企業もMEMSで小型にした。 [→きを読む]

SiTime、性Δ盖Δ眇緇戎尭飴劼屬鮃圓MEMS発振_を化

SiTime、性Δ盖Δ眇緇戎尭飴劼屬鮃圓MEMS発振_を化

MEMS発振_は、性Δ盖Δ眇緇修魎井にsくようになった。櫂汽ぅ織ぅ燹SiTime)社は、1Hzから32.768kHzまでの周S数を(li│n)Iでき、しかも1.5mm×0.8mmと極めて小さな発振_を化した(図1)。プラスチックパッケージのCSPを使えるというメリットもj(lu┛)きい。水晶は高価なキャンかセラミックのパッケージしか使えない。 [→きを読む]

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