警排萎ˇ光廬ˇ1帛攙今き垂え材墻な陵恃步メモリをLEAPが倡券
陵恃步メモリがRAMとして蝗える材墻拉が叫てきた。畝你排暗デバイス禱窖甫墊寥圭∈LEAP∷は、馮窘Aと馮窘Bの蓮敗だけで陵啪敗できる付妄を網脫したメモリを倡券し、1帛攙を畝える今き垂え攙眶を評た。これ笆懼の今き垂えテストは箕粗がかかりすぎるため、面賄したという。 [ⅹ魯きを粕む]
禱窖尸老∈プロセス∷
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更さ150µmのLiイオンバッテリ、染瞥攣プロセスで侯瀾、睛墑步1規
更さ0.15mm(150µm)とA4脫繪のように泅い泅遂のLiイオンバッテリが睛墑步された。Siウェ〖ハ懼に泅遂を妨喇する瀾恕を蝗うため、Si LSI攙烯も礁姥できるというメリットもある。附悸には、PoP∈Package on package∷や3D ICを瓢かすための排富としても蝗う。券卿したのは勢ベンチャ〖のCymbet家。 [ⅹ魯きを粕む]
萍の5擒の錢帕瞥拉を積つ圭喇ダイヤ泅遂で、泣塑輝眷晾うElement Six家
毖柜の供度脫ダイヤモンド亨瘟メ〖カ〖であるElement Six Technologies家が泣塑での寵瓢を塑呈步させている。これまで供度脫のダイヤモンド胖緯やパウダ〖など濕妄弄に蓋いという潑墓を欄かし怠常弄な侯度の尸填に廟蝸していたが、エレクトロニクスにも蝸を掐れ幌めた。錢帕瞥の紊さに廟謄している。 [ⅹ魯きを粕む]
TowerJazz、デザインセンタ〖を家柒に彌きサポ〖トの郊悸哭る
イスラエルに塑家を彌くファウンドリメ〖カ〖のTowerJazzがこのほど、泣塑柜柒にもデザインセンタ〖を郊悸させることを湯らかにした。これは、票家CEOのRussel Ellwanger會が7奉布杰に倡かれたTowerJazz Technical Global Symposiumで揭べたもの。 [ⅹ魯きを粕む]
SuVolta家、少晃奶に魯き、ARM、UMCとも防腆、喇墓措度へ僻み叫す
MOSトランジスタのゲ〖トしきい排暗Vthのバラつきを塑劑弄に負らす禱窖措度のSuVolta∈スボルタ∷家。このほど、ARMコアで光拉墻ˇ你久銳排蝸を悸沮、さらにUMCと28nmプロセスを鼎票倡券することを券山した。この禱窖は、Vthバラつきを井さくできるため、排富排暗を布げ、久銳排蝸を猴負できる。 [ⅹ魯きを粕む]
28nmの肌のプロセスノ〖ドは、14nm FINFETか20nmプレ〖ナか
Mooreの恕摟のテクノロジ〖ノ〖ドをスキップする瓢きが覆螟になってきた。Alteraは、ハイエンドのFPGA SoC瀾墑Stratix、ミッドレンジのArria瀾墑を附哼呵黎眉の28nmプロセスで欄緩しているが、この肌のプロセスノ〖ドをそれぞれ14nm FINFET、20nmプレ〖ナCMOSと、恃構する數克を券山した。瀾墑嘆はいずれも10シリ〖ズと炭嘆している(哭1)。 [ⅹ魯きを粕む]
駱涎UMC、20nmをスキップ、14nmFINFETプロセスで船き手し晾う
ファウンドリのUMCは28nmプロセスの翁緩墑を叫操しており、その翁緩憚滔橙絡を渴めている面、20nmプロセスをスキップして、14nmのFINFETプロセス惟ち懼げに晾いを故っていることを湯らかにした(哭1)。 [ⅹ魯きを粕む]
EUV箕洛が斧えてきたか、IntelがASMLと殊拇を圭わせ10nmに救潔
EUV∈Extreme Ultra Violet∷リソグラフィ禱窖の附覺が湯らかになった。Intelは2013鉗に14nmのトライゲ〖トFETプロセスを瞥掐するが、肌の10nmノ〖ドでは193iとEUVのミックスになるだろうと徒盧する。これはEIDEC Symposium 2013で湯らかにしたもの。 [ⅹ魯きを粕む]
Altera、14nmのIntelファウンドリ、55nmフラッシュ、ロ〖ドマップを胳る
FPGA絡緘のAltera∈アルテラ∷は、14nm箕洛に羹けた瀾墑のロ〖ドマップ(哭1)とポ〖トフォリオを湯らかにした。14nmではIntelをファウンドリとして蝗う惠も山湯しており、その罷哭を艱亨した。 [ⅹ魯きを粕む]
MEMSでバリコン、2mm3のリ〖ドスイッチを悸附ˇ睛墑步するベンチャ〖と戲獸
かつて、バリアブルコンデンサと鈣ばれる、ラジオチュ〖ナ脫の材恃キャパシタがあった。鄂丹を冷憋攣として脫い、羹かい圭わせた垛擄饒の室燙だけを怠常弄に攙啪させることで垛擄饒が羹かい圭う燙姥を恃え推翁を恃えるというもの。MEMSを蝗って垛擄饒粗の調違を恃えて材恃キャパシタを悸附する措度が附れた。リ〖ドスイッチ措度もMEMSで畝井房にした。 [ⅹ魯きを粕む]
