同社は、南アフリカに本社を��くダイヤモンドの採�Eから加工・卸販売まですべてを�}�Xける世�c的ダイヤモンド企業De Beers（デビアス）社グループの�k�^で、工業��合成ダイヤのメーカー。合成ダイヤは5万5000気圧の圧��と、1500℃以�屬旅睹a(b┳)で���]することに�R��してきた。同社には高�a(b┳)高圧炉は�H数��、工場に設��されている。

最�Zは、ダイヤモンド薄膜��のプラズマCVDにも��を�Rいでいる。パワー半導��やレーザーなど�X(qi│n)を発するデバイスに向けた�x場へ薄膜合成ダイヤの���]を進めている。ダイヤモンド�O身は絶縁��にも半導��にもなる。プラズマCVDを使った合成ダイヤ薄膜半導��の研�|は、国内でもいくつかの研�|所で行われている。しかし、商��化にはまだ至っていない。

Element Sixが薄膜の合成ダイヤを?y┐n)��]する狙いは、�X(qi│n)伝導率の高さにある。銅と比べで�X(qi│n)伝導率は2000W/mK以�屬汎爾�5倍以�屬發△襦２辰┐董▲ぅ鵐肇螢鵐轡奪�では電気的に絶縁��である。このため半導��レーザーや送信機��のパワーアンプなどのヒートスプレッダーへの����に向く。研�|フェーズでは、エネルギーバンドギャップがSiCの3.1eV、GaNの3.5eVよりもずっと�j(lu┛)きい5.5eVもあることを�W(w┌ng)��してパワー半導��の研�|が行われている。

薄膜の基��は2�|類。����を�eつダイヤモンド合成��のプラズマCVD����を使って、小さなダイヤモンド基���屬任話苑T晶ダイヤモンドをエピタキシャル成長させ、ダイヤ以外の基��では�H�T晶のダイヤを成長させる(図1)。基本的には、CH4メタンガスを水素で�恩機κ�解するとダイヤモンドが形成され、グラファイトが形成される割合は極めて少ない、と来日した同社半導���靆腑轡縫▲妊�レクタのBruce Bolliger��(hu━)は�O信を��(j┤)す(図2)。カギは、成長条�Pは言うまでもないが、純度の高い水素ガスを使うことだという。

図1　�H�T晶と単�T晶のダイヤモンドを?y┐n)��]　出�Z：Element Six Technologies

�H�T晶の合成ダイヤを成長させる場合には、メタルのW（タングステン）基��を使うという。これまでの所、5インチウェーハでの合成を主������としているが、�j(lu┛)口径化では最�j(lu┛)直径138mmの基��まで���Tしている。

今後、合成ダイヤを半導��デバイスとして使う応��はかなり先になるが、その�iにヒートスプレッダーの応��をさまざまな半導��デバイスに適��していく。ワイヤレス通信インフラに��要な送信機のパワーアンプIC、光通信モジュールの高出��レーザー、さらには��(j┤ng)来の�j(lu┛)容量通信��の高出��レーザーアレイなどのヒートスプレッダーに半導��デバイスをじかに載せることができ、電気的に絶縁する材料を挟む��要がない。

さらに、マイクロプロセッサ�屬励X(qi│n)設��に��要なホットスポットの��性�h価や、フリップチップのI/Oダイボンディングにも使えるとする。GaN on diamondとしての基��に使えば、放�X(qi│n)が優れているため高周�S出��を�屬欧襪海箸�できる。通信インフラだけではなく、国防��の高出��レーダーにも使える。すでに3インチ基��のGaN on diamondは入�}可�Δ如∈８�4〜6インチも�`指すとしている。

バンドギャップが広く、�X(qi│n)��性も優れていることから、EUVリソグラフィ����の光源レンズとしても使えると見る。LPP（Laser Produced Plasma）光源のウィンドウとしての応��である。ウィンドウの劣化による交換のための運転休�V時間を��(f┫)らすことができるという。さらに長期的な(5�Q以��)先には石��(t┤ng)や�W��ガス探�h��のセンサ応��も狙っている。

同社は薄膜合成ダイヤの���]を積極的に進めており、英国のオクスフォード郊外にグローバルイノベーションセンターを7月に開設した。��(sh━)国カリフォルニア�Ε汽鵐織�ララにも10�Q�iにオフィスを設立しており、Bolliger��(hu━)はサンタクララをベースにする。