2013年3月29日
∶禱窖尸老∈プロセス∷
MEMS券慷達(dá)は、拉墻も怠墻も垮窘を窗鏈に卻くようになった。勢(shì)サイタイム∈SiTime∷家は、1Hzから32.768kHzまでの件僑眶を聯(lián)買でき、しかも1.5mm∵0.8mmと端めて井さな券慷達(dá)を?yàn)憠劜饯筏?哭1)。プラスチックパッケ〖ジのCSPを蝗えるというメリットも絡(luò)きい。垮窘は光擦なキャンかセラミックのパッケ〖ジしか蝗えない。
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2013年2月28日
∶禱窖尸老∈プロセス∷
STマイクロエレクトロニクスは、泣塑箕粗2奉27泣にバルセロナのCCCB∈Centre de Cultura Comtemporania de Barcelona∷においてジャ〖ナリストˇ抨獲アナリスト羹けの柴斧を倡號(hào)、MEMSとMCUに簇する附覺を疽拆すると票箕に、FD-SOIプロセスの里維數(shù)克を胳った∈哭1∷。
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2013年2月20日
∶禱窖尸老∈プロセス∷
坷竿絡(luò)池と畝黎眉排灰禱窖倡券怠菇∈ASET∷は鼎票で、4096塑のTSVバスを積つインタ〖ポ〖ザを拆して、メモリチップとロジックチップを姥霖した3肌傅ICを活侯、100Gバイト/擅の光廬デ〖タ帕流を悸沮した。これを勢(shì)サンフランシスコで倡かれたISSCC∈International Solid-State Circuits Conference∷で券山した。
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2013年2月 4日
∶禱窖尸老∈プロセス∷
カ〖エレクトロニクスに烹很するパワ〖MOSFETをリ〖ドレスパッケ〖ジに箭推しても200Aを萎すことのできる悸劉禱窖を、インフィニオンが湯らかにした。これまでのD2PAK房パッケ〖ジでは180Aが呵絡(luò)排萎だったが、糠倡券のTO-LL山燙悸劉房パッケ〖ジは200Aまで萎せることで、インバ〖タの井房步につながる。
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2012年12月25日
∶禱窖尸老∈プロセス∷
沸貉緩度臼ˇNEDO∈糠エネルギ〖帴緩度禱窖另圭倡券怠菇∷が毀辯する≈你煤燎家柴を悸附する畝你排暗デバイスプロジェクト∽の喇蔡鼠桂柴が乖われ、你排暗禱窖の渴鷗が券山された。付灰レベルの腮嘿步に奪づくにつれ、稍姐濕付灰の逼讀が覆螟に山れるようになってきている。瓢侯排暗を布げ、付灰レベルに末里する活みがこのプロジェクトである。IEDM2012でも券山された禱窖も崔めいくつか疽拆する。
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2012年12月12日
∶禱窖尸老∈プロセス∷
染瞥攣緩度の戲獸、フェアチャイルドセミコンダクタ〖∈Fairchild Semiconductor∷がSiCのバイポ〖ラトランジスタを丸鉗漣染に瀾墑步する。泣塑メ〖カ〖のMOSFET、ドイツインフィニオンのJFETに侖わるSiC媽3のトランジスタとしてのバイポ〖ラも判眷という疤彌燒けになる。
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2012年10月18日
∶禱窖尸老∈プロセス∷
プラスチック答饒懼に侯った呂哇排糜は、フレキシブルで擂り妒げ極統(tǒng)なため、排渺の渺に辮って肋彌したり、極瓢賈の舶含やボンネットの懼に肋彌したりすることができる。瓤燙、各排恃垂跟唯が礙く、せいぜい8%鎳刨しか評(píng)られなかったため、弓い燙姥に畔って肋彌しなければ蝗い濕にならなかった。海攙、フレキシブルながら跟唯28.8%という庭れモノが判眷した。
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2012年10月 2日
∶禱窖尸老∈プロセス∷
≈これまでプロセス坤洛は2鉗粗の倡券袋粗を沸てきたが、20nmから14nmへは1鉗で毗茫できそうだ∽。こう胳るのは、グロ〖バルファウンドリ〖ズ(GlobalFoundries)のグロ〖バルセ〖ルス敷マ〖ケティング么碰懼甸バイスプレジデントであるMike Noonen會(huì)。アジア稱孟でメディアとのロ〖ドショ〖を乖い、呵姜孟の駱頌と澎疊との粗で排廈柴斧を乖った。
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2012年7月 3日
∶禱窖尸老∈プロセス∷
2012鉗はじめに泣塑オフィスを誓じたテセラ∈Tessera∷家。海は積ち臭柴家としての賂哼で、禍度柴家として染瞥攣パッケ〖ジング禱窖柴家のInvensasと、カメラモジュ〖ル柴家のDigital Opticsを槐布に積つ糠欄テセラとして欄まれ恃わった。インベンサス∈Invensas∷は糠房パッケ〖ジのソリュ〖ションを捏丁する甫墊倡券柴家として浩蒼漂し幌めた。
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2012年6月15日
∶禱窖尸老∈プロセス∷
LEAP∈畝你排暗デバイス禱窖甫墊寥圭∷が2012 IEEE Symposia on VLSI Technology and Circuits (奶疚VLSI Symposium)で3鳳もの俠矢を券山した。票甫墊寥圭は、コンピュ〖タシステムを俠妄攙烯、1肌メモリ、2肌メモリ、嘲嬸淡脖と尸けて、それぞれの你久銳排蝸禱窖に艱り寥んでいる。
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