STマイクロがファブライト里維を何りながらもIDMにこだわる晾いとは
STマイクロエレクトロニクスは、泣塑箕粗2奉27泣にバルセロナのCCCB∈Centre de Cultura Comtemporania de Barcelona∷においてジャ〖ナリストˇ抨獲アナリスト羹けの柴斧を倡號、MEMSとMCUに簇する附覺を疽拆すると票箕に、FD-SOIプロセスの里維數克を胳った∈哭1∷。
哭1 STマイクロエレクトロニクスのバルセロナにおける淡莢柴斧慎肥 パネルディスカッション妨及で劑啼に炳える
STマイクロはファブライト里維を渴めているが、呵黎眉禱窖を緘庶すことはしない。ただし、腮嘿步の黎眉をゆくこともしない。光拉墻ˇ你久銳排蝸の光礁姥LSIの黎眉がFD-SOI禱窖だからである。STマイクロは、FD-SOI∈Fully Depleted Silicon on Insulator∷という呵黎眉禱窖は緘庶さず、こなれた65nmや40nmなどのデジタルCMOSプロセスはファウンドリに巴完するという里維を何ってきた。これからも恃わらない。腮嘿步で呵黎眉の抨獲に獲垛がかかるためにファブライトにするのではない。泣塑の染瞥攣メ〖カ〖が40nmまでは極家倡券し、28nm笆布はTSMCに巴完するというやり數とは鏈く般う。あくまでも、呵黎眉プロセスは極家で倡券、瀾墑の欄緩に蝗い、拉墻ˇ久銳排蝸で汗侍步を哭る。黎眉ではないプロセスは嘲嬸のファウンドリを蝗う。
STマイクロは、28nmFD-SOI禱窖に極慨を積ち、14nm、10nmもプレ〖ナFET≤FD-SOI禱窖で乖けることをMobile World Congress∈MWC∷2013の叫鷗ブ〖スで湯らかにした。これは悸狠に28nmル〖ルのFD-SOI菇隴のICを活侯し、礁姥したARM Cortex A9およびA15を蝗い拉墻を澄千したもの。
Cortex A15のデュアルコアプロセッサを1.7GHzのクロックで瓢侯させた箕、2.5DMIPS/MHzだった拉墻が3.5DMIPS/MHzに羹懼した。票家Technology R&D么碰マ〖ケティングディレクタのGiorgio Cesana會は、≈デュアルコア菇喇を蝗うことで炭吾悸乖跟唯が懼がり、久銳排蝸を娃えながら拉墻を懼げることができた∽と揭べた。
FD-SOIはチャネル撾拌が泅いために鄂順霖がめいっぱい弓がり、排萎をコントロ〖ルするMOS菇隴だ。≈驕丸のバルクCMOSなら肋紛ル〖ルが14nm笆布になると、CMOSトランジスタをこれ笆懼腮嘿步できなくなる。このためFINFET菇隴を蝗う。しかし、FD-SOI菇隴にすれば、沒チャンネル跟蔡が警ないためにまだまだ腮嘿步できる∽とCesana會は胳る。10nmになってもプレ〖ナで乖けるとしている。
FD-SOI菇隴のメリットは、赦頭推翁が警ないために光廬になると鼎に久銳排蝸も警なくなる爬だ。おまけにFINFETとは般い菇隴が詞帽、という條だ。附哼、28nmのFD-SOIプロセスを蝗った瀾墑を翁緩活侯の檬超にあり、サンプル叫操は幌まっているという。肌の14nmFD-SOI瀾墑は倡券面で、2014鉗の面ごろに欄緩に掐り、10nmのFD-SOI瀾墑は2016鉗の欄緩になるとしている。
叼絡なファブを積つインテルはファウンドリビジネスを幌めており、サムスンはロジックのファウンドリビジネスに叼絡な抨獲を乖っている。STマイクロもファウンドリビジネスを幌めるのか。Cesana會は、STはあくまでもファブライトであり、翁緩羹けのファブではないIDM∈庫木琵圭染瞥攣メ〖カ〖∷にこだわる、という。というのは、ASIC欄緩に努し、その潑釣においても動く、光慨完拉ˇ光墑劑の瀾墑を捏丁できるからだとしている。しかも絡翁欄緩せずに呵黎眉のトランジスタでファウンドリとも頂凌できる。SOI菇隴は赦頭推翁が你いために久銳排蝸を猴負できることが、ネットワ〖ク尸填でもゲ〖ムの尸填でもメリットが絡きい。翁緩のメガファブを積たない肝に、IDMにこだわることができるとしている。
瀾墑弄には、STマイクロは絡きく企つの尸填に礁面する。センサ□パワ〖と極瓢賈尸填と、寥み哈み借妄システム尸填だ。いずれも客粗の欄寵に舔惟つ瀾墑を謄回し、life.augmentedという篩胳を蝗うようになった(哭2)。さらに禱窖弄にはワイヤレスに礁面する。だからMWCに叫鷗した。
哭2 STマイクロの2絡廄爬尸填とワイヤレスへの礁面
