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\術分析(プロセス)

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TSMC、~機インターポーザによるCoWoS\術の優位性を実証

TSMC、~機インターポーザによるCoWoS\術の優位性を実証

先端パッケージ(Advanced Package)\術が今後ICパッケージの中で最もj(lu┛)きな成長を~げるとx場調h会社が予Rしている通り、AppleのパソコンプロセッサであるM1チップやNvidiaの最新GPUチップH100(図1)などに使われている(参考@料1)。ここではインターポーザ\術がカギを曚襦TSMCは~機インターポーザによるCoWoS\術が性Δ世韻任呂覆信頼性も優れていることをらかにした。 [→きを読む]

エッチングなどのインサイチュモニター可Δ量分析_(d│)をAtonarpが発売

エッチングなどのインサイチュモニター可Δ量分析_(d│)をAtonarpが発売

東Bに本社をき、シリコンバレーに動の拠点をくスタートアップのAtonarp社が半導]のインサイチュ・モニタリング向けの小型量分析_(d│)をリリースした。半導]のチャンバ内でエッチングやデポジション時のプロセスガスの分析ができると共にリアルタイムで分析情報をフィードバックできる。いわばスマート]の基本\術のkつになりうる。 [→きを読む]

IBM研|所が2nmプロセスで500億トランジスタのICチップを試作

IBM研|所が2nmプロセスで500億トランジスタのICチップを試作

櫂縫紂璽茵璽Ε▲襯丱法爾砲けるIBM研|所が2nmデザインのナノシート\術を使ったトランジスタを開発、このトランジスタを500億個集積したICテストチップを300mmウェーハ屬忙邵遒靴拭平1)。IBMは、PowerアーキテクチャのCPUを独Oに開発しているが、今Q後半に7nmプロセスのPower10をリリースするため、2nmチップが登場するのは2025Q以Tになりそうと見られている。 [→きを読む]

Samsung、EUVリソによる1z nmプロセスで16Gb DRAMを量凮始

Samsung、EUVリソによる1z nmプロセスで16Gb DRAMを量凮始

Samsungは、EUVリソグラフィを使った1z nm(15nmi後)プロセスによるLPDDR5仕様の16GビットDRAMの量を開始したと発表した。DRAMはこれまでのコンピュータ要に加え、AIのニューラルネットワークモデルの演Qにもず使うため、今後の要の期待がj(lu┛)きい。1パッケージに8のDRAMチップを_ね、16GBを構成している(図1)。 [→きを読む]

オランダHolst Centreがj(lu┛)C積フレキシブル基向けALD\術をo開

オランダHolst Centreがj(lu┛)C積フレキシブル基向けALD\術をo開

ALD(原子層デポジション)\術をj(lu┛)気中で、しかもロール2ロール(sh┫)式の連量ラインで使える\術Spatial ALDをオランダの研|機関であるHolst Centreがらかにした。ALDは原子1層ずつ\積する\術であるため、これまでは表C吸をW(w┌ng)して1層ずつ\積するため処理時間が長かった。この常識を]ち破るフレキシブルエレクトロニクス向けの新\術で、も作っている(図1)。 [→きを読む]

中国初の新型NORフラッシュメモリで組み込みUを狙う

中国初の新型NORフラッシュメモリで組み込みUを狙う

中国に新しいメモリベンチャーが登場した。China Flash(中W弘宇集成電路)と}ばれるファブレスだ。]はファウンドリに依頼する。今からx場に入る以屐長が要だが、これまでの中国のメモリメーカーとはく違う。後述するが、新開発の独Oメモリ\術をeち、元IntelのStefan Lai(図1)がCTOとなっている企業だ。 [→きを読む]

AlとFeとSiだけで作ったX電素子を旟研・NEDOのチームが開発

AlとFeとSiだけで作ったX電素子を旟研・NEDOのチームが開発

「おっしゃられて、そうか、まぁ」。覚えておられる(sh┫)がいるだろう。高擇虜◆化学で{ったクラーク数(地球屬堀T在する元素の内、Hい順に並べた元素の割合)「O, Si, Al, Fe, Ca, Na, K, Mg」 の覚え(sh┫)である。この順に地球にやさしい元素といえる。この内のFe(鉄)とAl(アルミニウム)、Si(シリコン)だけで作ったX電変換素子を噞\術総合研|所、NEDO、アイシン@機、茨城j(lu┛)学のグループが開発した。 [→きを読む]

Micronがメモリ不況中にNANDフラッシュ工場を拡張する理y(t┓ng)

Micronがメモリ不況中にNANDフラッシュ工場を拡張する理y(t┓ng)

Micron Technologyがシンガポールのにある工場を拡張するというニュースをすでに伝えたが(参考@料1)、その理y(t┓ng)について後では紹介しよう。Micronは、シンガポール工場をNANDフラッシュの中心ともいうべきCoE(Centre of Excellence)と位づけた。工場を拡張するには、そのT味がある。 [→きを読む]

mめ込み厚さ0.6mmのw薄膜リチウムイオン電池

mめ込み厚さ0.6mmのw薄膜リチウムイオン電池

薄膜\術によるwリチウムイオン電池は、半導プロセス\術で]するウェーハベースのバッテリ]\術であるが、医に人にmめ込むでは10Q以峪箸┐襯瓮匹立った。英国のファブレス企業Ilika(イリカと発音)社は、新型電池Stereax M50を開発、mめ込み可Δ扮としてその](sh┫)法をライセンス開始した。 [→きを読む]

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