3nmプロセスノ〖ドでTSMCとSamsungが楓しく頂い圭う
3nmプロセスを戒ってTSMCとSamsungが禱窖を頂っている。TSMCは、6奉に勢柜で倡いたTechnology Symposiumで3nmプロセスノ〖ドのN3およびN3EのFinFET禱窖と、2nmノ〖ドのN2プロセスを券山した。SamsungはGAA∈ゲ〖トオ〖ルアラウンド∷菇隴の3nmプロセスノ〖ドでチップ欄緩を幌めたと券山した。
哭1 Samsungが3nmノ〖ドの翁緩を幌めたと券山 叫諾¨Samsung Electronics
TSMCは頌勢で倡號されたTSMC Technology SymposiumでN3とN2の黎眉禱窖を券山したが、頌勢には杠狄が驢いため坤腸に黎額けて券山する禱窖が驢かった。≈コンピュ〖テイング拉墻と排蝸跟唯の羹懼がかつてないほど締廬に渴鷗している∽TSMCのCEOであるC.C. Wei會は 揭べており、腮嘿プロセスノ〖ドの倡券に廓いが籠している。
3nmノ〖ド禱窖ではFin FETトランジスタのFinの眶を恃えることで、トランジスタ拉墻を恃えられるように肋紛した。これをFin FLEX禱窖と鈣んでいる。毋えば、3塑のFinと2塑のFinを蛤高に芹彌した3-2Fin菇喇は拉墻庭黎のトランジスタ、2塑のFinと1塑のFinを蛤高に事べた2-1Fin菇喇は久銳排蝸の猴負を呵庭黎したトランジスタ、そして2-2Fin菇喇のトランジスタはその面粗の拉墻ˇ久銳排蝸を積つトランジスタ、という3鹼梧のFinFETを路えた。Finの眶は、プレ〖ナのMOSFETで山附するW/L∈ゲ〖ト升】ゲ〖ト墓∷のWに陵碰する。つまり排萎額瓢墻蝸を光めたい、すなわちWを絡きくしたい眷圭はFinの眶が驢いということになる。
これらFinの眶を杠狄の妥滇に炳じて恃えられるためFin FLEX禱窖と鈣んでいる。答塑弄なFin FET菇隴を恃えずにFinの眶だけを恃えられるようにしているため、トランジスタ潑拉を嚼起に恃えることができる。端めて嚼起なシステマティックなトランジスタ菇喇といえる。
このFin FLEX禱窖によって、5nmノ〖ドであるN5プロセスと孺べ、ロジック泰刨は60%、拉墻∈廬刨∷は18%、久銳排蝸は34%你負するという。また臘臉としたトランジスタ肋紛禱窖によって、23%の燙姥猴負ができるとしている。N3禱窖は2022鉗稿染から翁緩に掐る徒年だ。
さらに渴んだ2nmプロセスノ〖ドの禱窖N2ではFinFETではなく、ナノシ〖ト菇隴のトランジスタ∈悸劑弄にGAA菇隴∷を蝗う。N3プロセスと孺べ、拉墻は10~15%羹懼し、久銳排蝸は25~30%猴負される斧哈み。N2プロセスは2025鉗に欄緩を幌める徒年である。
TSMCはチップレットのような3D-ICにも咐第しており、SoICチップスタッキング禱窖として2鹼梧を疽拆した。辦つは、ウェ〖ハ懼のチップ悸劉∈CoW: Chip on Wafer∷を蝗ったSoICベ〖スのCPU禱窖で、レベル3キャッシュメモリとしSRAMをスタックする。もう辦つはウェ〖ハ懼に侍のウェ〖ハを腳ねる悸劉∈WoW: Wafer on Wafer∷を蝗った考いトレンチキャパシタチップ懼にインテリジェントなプロセッサを烹很する禱窖である。
Samsung、3nmでGAA何脫
辦數Samsungの3nmプロセスは翁緩に掐ったと券山しており、GAA菇隴を蝗っているが、驕丸のGAA菇隴でみられるようなナノワイヤ〖ではなく、2肌傅弄に弓げたナノシ〖ト菇隴のGAAとなっており、プレ〖ナMOSFETのWを凱ばすために剩眶のナノシ〖トを、冷憋遂を洞んで腳ねている。その菇隴を、票家はMBCFET∈Multi-Bridge-Channel FET∷と鈣んでいる。
MBCFETを蝗った3nmプロセスノ〖ドは、5nmプロセスと孺べ、久銳排蝸は呵絡45%猴負し、拉墻は23%羹懼、燙姥は16%你負できるという。海攙の3nmプロセスを渴步させる媽2坤洛の3nmノ〖ドでは久銳排蝸は50%猴負し、拉墻は30%羹懼、燙姥は35%負警するという。
Samsungは、2021鉗媽3煌染袋から幌めた、肋紛インフラの慌寥みSAFE∈Samsung Advanced Foundry Ecosystem∷と鈣ぶパ〖トナ〖プログラムを倡幌、Ansys、Cadense、Siemens、Synopsysらのパ〖トナ〖の肋紛ˇ浮沮ツ〖ルを蝗えるようにしている。
Samsungが捏丁する3nmプロセスノ〖ドの翁緩では、どのメ〖カ〖とファウンドリ防腆したのか、さまざまなうわさが若んでいる。そのような擂、IBMが肌坤洛Power 10プロセッサを倡券、それを烹很したミッドレンジサ〖バ〖を券山∈徊雇獲瘟3∷、漣坤洛のPower 10プロセッサのシステムと孺べ、コア眶とメモリバンド升は2擒になったと揭べている。さらに、稱Power10プロセッサコアにはAIモデルの拉墻を猖簾するための乖誤遍換アクセラレ〖タが4改礁姥されている。IBMの媽1坤洛のPower10プロセッサはSamsungの7nmプロセスで瀾隴されていたが、この媽2坤洛のPower10プロセッサは3nmで瀾隴されたのかどうか、湯らかではないが、警なくともファウンドリはSamsungである材墻拉は容年できない。Samsungの瀾隴パ〖トナ〖の柒の1家だからである。
徊雇獲瘟
1. "TSMC FINFLEX™, N2 Process Innovations Debut at 2022 North American Technology Symposium", TSMC (2022/06/17)
2. "Samsung Begins Chip Production Using 3nm Process Technology with GAA Architecture", Samsung (2022/06/30)
3. "Announcing IBM Power10 Scale-Out and Midrange Servers", IBM (2022/07/12)
