GaNの殊偽まり90%や、卵暗1200Vの僥房菇隴など糠GaNパワ〖FET
GaNの殊偽まりを90%に懼げられる材墻拉のある肋紛緘恕、GaNの卵暗を1200Vまで懼げてもオン鳥鉤が1.8mΩcm2とSiC事みに奪づけることのできるMOSFETなどが活侯され、GaNデバイスの撅急が恃わりつつある。籬駝俯穗磨メッセで倡號されたテクノフロンティア2015では、糠しいパワ〖染瞥攣GaNに絡きな渴殊がみられた。 [ⅹ魯きを粕む]
禱窖尸老∈プロセス∷
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Infineon、パワ〖モジュ〖ルのパッケ〖ジ糠供眷を給倡
Infineon Technologiesがドイツのバ〖ルシュタイン∈Warstein∷にパワ〖染瞥攣パッケ〖ジング供鎳の糠供眷を蒼漂させ、このほど給倡した。パワ〖染瞥攣といえども、LSI票屯、井房步ˇ你久銳排蝸(光跟唯)步ˇ蝗いやすさを滇められている。このため、帽攣のトランジスタから、剩眶のベアチップを悸劉したモジュ〖ルへとパッケ〖ジは渴步している。 [ⅹ魯きを粕む]
GaN-on-Diamondウェ〖ハをサンプル叫操
毖Element Six家がGaN-on-Diamondの4インチウェ〖ハをサンプル叫操した。ダイアモンドの胎蝸は部といっても冷憋攣ながら錢鳥鉤が端めて你いこと。このため、光件僑パワ〖トランジスタにはうってつけ(徊雇獲瘟1)。錢帕瞥唯が1600W/mKと光く、庶錢拉が庭れているため、驕丸のSiCを答饒とするGaNよりも拉墻が光い。 [ⅹ魯きを粕む]
finFETを鏈燙リニュ〖アルに
16/14nm笆慣のFinFETは、妨覺、サイズ、ピッチ、亨瘟、瀾隴プロセスから斧木すことになりそうだ。このトランジスタはIntelの22nmノ〖ドのプロセッサHaswellから蝗われたが、その變墓では貉まないようだ。Semiconductor Engineeringがレポ〖トする。 [ⅹ魯きを粕む]
Infineonの窗鏈極瓢步200mmラインとパワ〖染瞥攣脫300mmラインを斧た
ドイツのInfineon Technologiesは、パワ〖染瞥攣羹けに300mmウェ〖ハラインをドレスデンに肋彌し蒼漂させている。パワ〖染瞥攣は眶翁の爬ではデジタルやアナログ瀾墑に昔るが、そのチップを絡庚仿步するメリットはやはり你コスト步にある。裁えて、客鳳銳の光いドイツでもコスト弄に斧圭う欄緩をするため200mmラインを窗鏈極瓢步した。 [ⅹ魯きを粕む]
7nmと5nm箕洛はやってくるのだろうか々
糠亨瘟と糠トランジスタでム〖アの恕摟を1.5nm笆布まで凱ばすことはできそうだが、啼瑪は懷姥みで、まだ豺のない啼瑪も驢い。セミコンポ〖タルの捏啡メディアであるSemiconductor Engineeringは黎眉禱窖を倡券する絡緘染瞥攣メ〖カ〖を艱亨した。 [ⅹ魯きを粕む]
14nm笆慣に悸脫袋を忿える3肌傅IC
3肌傅スタックダイ(3D IC)の悸脫步には箕粗がかかると10鉗漣から咐われてきた。輝眷拇漢柴家のGartnerによると、3D ICをすでに侯瀾できるようになったTSMCは、1鉗稿にはサンプル欄緩を姜えるという。セミコンポ〖タルの捏啡メディアであるSemiconductor Engineeringが呵奪の3肌傅ICの瓢きをレビュ〖した。 [ⅹ魯きを粕む]
Element Six家、GaN on Diamondウェ〖ハで錢鳥鉤を4充猴負
排丹弄には冷憋攣ながら錢帕瞥唯がCuの5擒と光いダイヤモンドウェ〖ハを、毖柜のElement Six Technologies家が倡券しているが、このほど木仿4インチのGaN-on-Diamondウェ〖ハを倡券、券錢の絡きな光件僑パワ〖デバイスに羹くことを悸沮した。このウェ〖ハは海財に任卿するという。 [ⅹ魯きを粕む]
糠房陵恃步メモリをTRAMとLEAPが炭嘆
LEAP∈畝你排暗デバイス禱窖甫墊寥圭∷が2013 IEDM∈International Electron Devices Meeting∷で券山した糠しい陵恃步メモリ(徊雇獲瘟1)は、TRAM∈Topological switching RAM∷と嘆燒けることが瘋まった。GeTe/Sb2Te3畝呈灰の面のGeの敗瓢だけで你鳥鉤と光鳥鉤をスイッチングする。このカルコゲン亨瘟による畝呈灰を、トポロジカル冷憋攣と濕拉濕妄池の坤腸で鈣んでいる。 [ⅹ魯きを粕む]
澎絡グル〖プ、プラスチックICで13.56MHzのRF ID瓢侯に喇根
澎疊絡池のグル〖プは、プラスチックで侯瀾した礁姥攙烯で、13.56MHzのRF ID流減慨瓢侯に喇根した。これは、敗瓢刨が10cm2/Vsと銅怠トランジスタとしては端めて絡きいトランジスタを侯瀾したことで評られたとしている。 [ⅹ魯きを粕む]
