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![3D構�]��に�pった配線�v路を�~単に形成する新インモールド�\術](/assets_c/900px/190220-tno.png "3D構�]��に�pった配線�v路を�~単に形成する新インモールド�\術")
オランダ応��科学研�|機構（TNO: The Netherlands Organization for Applied Scientific Research）はベルギーのIMECと共にフレキシブルエレクトロニクスに��を入れてきたが、����や3次元構�]に配線を�~単に�Wくことのできるインモールド�\術をこのほど開発した。コストが�Wく、これまでの3D配線�\術を��き換えられる可��性がある。 [→��きを読む]
オランダの�陵枦澱咼灰鵐宗璽轡▲�Sollianceは、144cm2の�C積で変換効率が14.5%と高いペロブスカイト構�]のソーラーモジュールを開発した（図1）。ペロブスカイト構�]の�陵枦澱咾蓮≪~機材料で構成する塗布型ソーラーセルであり、最�Z�R�`が���]に集まっている。2011�Qに小�C積だが10%を��えるものが発表されて以来、その勢いがあまりにも��だからである。 [→��きを読む]
これまで�Mしかったフリップチップ�\術によるLSIパッケージが実��化できるようになりそうだ。電極にかかる荷�_が��来の1/20となる0.12g�_/バンプと小さく、しかも接合�a(b┳)度が80°Cと��来の1/3で可�Δ砲覆襪�らだ。このようなLSIパッケージ�\術を日本のベンチャーであるコネクテックジャパンが開発、数���Pの引き合いに�{いている。 [→��きを読む]
完���w��の薄膜電池を英国のベンチャーIlika社が開発しているが、このほど使���a(b┳)度�J(r┬n)囲を�j(lu┛)きく広げ、-40°Cから150°Cまで使える����Stereax P180を開発した。これは�O動�Zをはじめとする工業��に使えるレベルだ。同社のビジネスモデルは、IPベンダーであり、�j(lu┛)�}電子����メーカーにライセンス供与することで、量��へつなげる�T向だ。 [→��きを読む]
オランダと言えば、国営�j(lu┛)企業フィリップスがエレクトロニクスをけん引してきた国、というイメージが�咾�。しかし、そのフィリップスから完��独立して�擇泙譴�ASMLの��(sh┫)が今や企業��模はフィリップスよりも�j(lu┛)きい。このほどナノテク訪問団がやってきた。ナノテクに�瓦垢誅��Bの�@金は、��GDP比で0.04%と他の国よりも�j(lu┛)きい。 [→��きを読む]
厚さが1mmと薄く、リーク電流が��来のリチウムイオン電池の1/10、エネルギー密度がmA/cm2クラスの���w��リチウムイオン電池を英国のベンチャー、Ilika（イリカと発音）が開発した。ARMと同様、IPライセンスビジネスを主��に据え、量��パートナーを探している。 [→��きを読む]
人間の��の��層を撮影するCTスキャナー。このComputed Tomography（トモグラフィ）�\術を使って3次元ICの内�陲鮓�ようという検�h����をCarl Zeissが開発中である。3D構�]のFinFETや3D-NANDセル、あるいはICチップをスタックする3D-ICなど3次元構�]を見ることができる。 [→��きを読む]
GlobalFoundriesが16/14nm Fin FET�\術と同等な性�Δ魴eつ22nm FD (Fully-Depleted)-SOI (Silicon on Insulator)�\術をファウンドリとして提供することを発表した。これまでSamsungと�k緒に14nm Fin FET�\術を開発してきただけに、なぜ今この�\術なのか、同社CMOS Platforms Business�靆臘垢妊轡縫�VPのGregg Bartlett��(図1)が電�Bインタビューで答えた。 [→��きを読む]
![�]チャンネル効果のないIGZO�W(w┌ng)��のMOSトランジスタ](/assets_c/900px/150610-sel.png "�]チャンネル効果のないIGZO�W(w┌ng)��のMOSトランジスタ")
シャープの�]晶ディスプレイの�Q画素にスイッチングトランジスタとして形成されているIGZO（In、Ga、Znの�┣��顱鉾焼���を改良し、リジッドな完���T晶ではなく、アモーファスでもない「柔らかい」�T晶を半導��エネルギー研�|所が開発、半導��LSIに応��するため、��湾ファウンドリのUMCと提携した。 [→��きを読む]
![GaNの歩�里泙�90%や、耐圧1200Vの�e型構�]など新GaNパワーFET](/assets_c/900px/150527-gan.png "GaNの歩�里泙�90%や、耐圧1200Vの�e型構�]など新GaNパワーFET")
GaNの歩�里泙蠅�90%に�屬欧蕕譴覯���性のある設���}法、GaNの耐圧を1200Vまで�屬欧討皀�ン�B�^が1.8mΩcm2とSiC並みに�ZづけることのできるMOSFETなどが試作され、GaNデバイスの常識が変わりつつある���h��県幕張メッセで開��されたテクノフロンティア2015では、新しいパワー半導��GaNに�j(lu┛)きな進歩がみられた。 [→��きを読む]
