欄攣雖め哈み脫更さ0.6mmの鏈蓋攣泅遂リチウムイオン排糜
泅遂禱窖による鏈蓋攣リチウムイオン排糜は、染瞥攣プロセス禱窖で瀾隴するウェ〖ハベ〖スのバッテリ瀾隴禱窖であるが、板聞脫に客攣に雖め哈む脫龐では10鉗笆懼蝗えるメドが惟った。毖柜のファブレス措度Ilika∈イリカと券不∷家は、糠房排糜Stereax M50を倡券、欄攣雖め哈み材墻な炳脫としてその瀾隴數(shù)恕をライセンス倡幌した。 [ⅹ魯きを粕む]
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泅遂禱窖による鏈蓋攣リチウムイオン排糜は、染瞥攣プロセス禱窖で瀾隴するウェ〖ハベ〖スのバッテリ瀾隴禱窖であるが、板聞脫に客攣に雖め哈む脫龐では10鉗笆懼蝗えるメドが惟った。毖柜のファブレス措度Ilika∈イリカと券不∷家は、糠房排糜Stereax M50を倡券、欄攣雖め哈み材墻な炳脫としてその瀾隴數(shù)恕をライセンス倡幌した。 [ⅹ魯きを粕む]
オランダ炳脫彩池甫墊怠菇∈TNO: The Netherlands Organization for Applied Scientific Research∷はベルギ〖のIMECと鼎にフレキシブルエレクトロニクスに蝸を掐れてきたが、涇攣や3肌傅菇隴に芹俐を詞帽に閃くことのできるインモ〖ルド禱窖をこのほど倡券した。コストが奧く、これまでの3D芹俐禱窖を彌き垂えられる材墻拉がある。 [ⅹ魯きを粕む]
オランダの呂哇排糜コンソ〖シアムSollianceは、144cm2の燙姥で恃垂跟唯が14.5%と光いペロブスカイト菇隴のソ〖ラ〖モジュ〖ルを倡券した∈哭1∷。ペロブスカイト菇隴の呂哇排糜は、銅怠亨瘟で菇喇する派邵房ソ〖ラ〖セルであり、呵奪廟謄が締廬に礁まっている。2011鉗に井燙姥だが10%を畝えるものが券山されて笆丸、その廓いがあまりにも締だからである。 [ⅹ魯きを粕む]
これまで豈しかったフリップチップ禱窖によるLSIパッケ〖ジが悸脫步できるようになりそうだ。排端にかかる操腳が驕丸の1/20となる0.12g腳/バンプと井さく、しかも儡圭補刨が80°Cと驕丸の1/3で材墻になるからだ。このようなLSIパッケ〖ジ禱窖を泣塑のベンチャ〖であるコネクテックジャパンが倡券、眶紗鳳の苞き圭いに獅いている。 [ⅹ魯きを粕む]
窗鏈蓋攣の泅遂排糜を毖柜のベンチャ〖Ilika家が倡券しているが、このほど蝗脫補刨認跋を絡(luò)きく弓げ、-40°Cから150°Cまで蝗える瀾墑Stereax P180を倡券した。これは極瓢賈をはじめとする供度脫に蝗えるレベルだ。票家のビジネスモデルは、IPベンダ〖であり、絡(luò)緘排灰嬸墑メ〖カ〖にライセンス丁涂することで、翁緩へつなげる罷羹だ。 [ⅹ魯きを粕む]
オランダと咐えば、柜蹦絡(luò)措度フィリップスがエレクトロニクスをけん苞してきた柜、というイメ〖ジが動い。しかし、そのフィリップスから窗鏈迫惟して欄まれたASMLの數(shù)が海や措度憚滔はフィリップスよりも絡(luò)きい。このほどナノテク爽啼媚がやってきた。ナノテクに灤する蠟紹の獲垛は、灤GDP孺で0.04%と戮の柜よりも絡(luò)きい。 [ⅹ魯きを粕む]
更さが1mmと泅く、リ〖ク排萎が驕丸のリチウムイオン排糜の1/10、エネルギ〖泰刨がmA/cm2クラスの鏈蓋攣リチウムイオン排糜を毖柜のベンチャ〖、Ilika∈イリカと券不∷が倡券した。ARMと票屯、IPライセンスビジネスを肩蝸に盔え、翁緩パ〖トナ〖を玫している。 [ⅹ魯きを粕む]
客粗の攣の們霖を唬逼するCTスキャナ〖。このComputed Tomography∈トモグラフィ∷禱窖を蝗って3肌傅ICの柒嬸を斧ようという浮漢劉彌をCarl Zeissが倡券面である。3D菇隴のFinFETや3D-NANDセル、あるいはICチップをスタックする3D-ICなど3肌傅菇隴を斧ることができる。 [ⅹ魯きを粕む]
GlobalFoundriesが16/14nm Fin FET禱窖と票霹な拉墻を積つ22nm FD (Fully-Depleted)-SOI (Silicon on Insulator)禱窖をファウンドリとして捏丁することを券山した。これまでSamsungと辦斤に14nm Fin FET禱窖を倡券してきただけに、なぜ海この禱窖なのか、票家CMOS Platforms Business嬸嚏墓でシニアVPのGregg Bartlett會(哭1)が排廈インタビュ〖で批えた。 [ⅹ魯きを粕む]
シャ〖プの閉窘ディスプレイの稱茶燎にスイッチングトランジスタとして妨喇されているIGZO∈In、Ga、Znの煥步濕∷染瞥攣を猖紊し、リジッドな窗鏈馮窘ではなく、アモ〖ファスでもない≈嚼らかい∽馮窘を染瞥攣エネルギ〖甫墊疥が倡券、染瞥攣LSIに炳脫するため、駱涎ファウンドリのUMCと捏啡した。 [ⅹ魯きを粕む]