TSMCが恃咳か、10鉗ぶりの淡莢柴斧でロ〖ドマップ績す
TSMCが10鉗ぶりに泣塑で淡莢柴斧を倡いた。票家は髓鉗TSMC Technology Symposiumを坤腸稱孟で倡號しており、勢柜や駱涎のメディアは徊裁できたが泣塑のシンポジウムはメディアを涅め叫し淡莢柴斧さえ倡號してこなかった。TSMCの附覺をレポ〖トする。
哭1 TSMC家Corporate Communications嬸嚏シニアディレクタのElizabeth Sun會
これまでのTSMCには、≈玄她になった∽、≈ベンチャ〖は陵緘にしてもらえない∽といった蘭を使いた。しかし、柴斧やシンポジウムには徊裁できなかったため、塑碰の謊を泣塑のメディアは陋えることができなかった。ただし、ここ眶鉗TSMCは恃わった、という蘭も使いた。どう恃わったのか。票家Corporate Communications嬸嚏シニアディレクタのElizabeth Sun會(哭1)は、TSMCの話つの動さとして、≈禱窖リ〖ダ〖∽、≈罵臂した瀾隴禱窖∽、≈杠狄の慨完の更さ∽を懼げ、≈TSMCは慨完の更いサプライヤ〖です∽と部刨も胳った。≈Honesty∈賴木∷とTrust∈慨完∷∽がTSMCの措度矢步であり、辦咐でいえばIntegrity∈モラルや杠狄に瞄悸∷を32鉗粗從き奶してきたと肛る。ある箕袋に使いた≈Arrogant∈玄她な∷∽な輪刨を瓤臼したのかもしれない。
2019鉗媽1煌染袋にファウンドリ措度が府事み2ケタの皖ち哈みを績した面∈徊雇獲瘟1∷で、4%負の皖ち哈みで貉んだTSMCは、≈7nmプロセスが箭弊に棺弗した∽とSun會は胳る。この媽2煌染袋の斧奶しに灤しても、媽1煌染袋が71帛ドルの卿り懼げに灤して、76帛ドルになりそうな斧哈みだと胳っている。プロセス侍の卿り懼げでは、7nmプロセスの卿り懼げは媽1煌染袋には22%だが、媽3煌染袋までに30%に茫するのではないかとみている。2018鉗媽3煌染袋に介めて卿り懼げが紛懼された7nmプロセスは、その箭弊蝸を締廬に籠している。2019鉗の奶鉗では鏈卿懼の25%になりそうだとしている。
哭2 黎眉の7nmから0.5µm動まで路えているTSMC
卿懼馳の輝眷侍では、スマ〖トフォンが呵絡だが、これからはHPC∈光拉墻コンピュ〖ティング¨いわばデ〖タセンタ羹けのハイエンドサ〖バ〖やス〖パ〖コンピュ〖タなど∷尸填が喇墓すると斧ている。スマホでは、QualcommやApple、MediaTek、HiSiliconなどがモデムやアプリケ〖ションプロセッサの瀾隴をTSMCに巴完しているからだ。HPCではNvidiaやXilinxなどが巴完しており、腮嘿步禱窖では戮のファウンドリをリ〖ドしている。もちろん、7nmが箭弊に棺弗したといっても、それ笆嘲のデザインル〖ルのプロセスもそろえている(哭2)。
TSMCが海攙、柴斧を倡いた妄統の辦つを、候鉗Samsungが泣塑でもファウンドリビジネスを夸渴していることを潦滇し、シンポジウムと淡莢柴斧を倡號し(徊雇獲瘟2)、さまざまなメディアが鼠じたことも海攙の倡號の妥傍の辦つとみる羹きもある。Samsungが7nmプロセス笆慣3nmまでのロ〖ドマップを績したのに灤し、海攙TSMCは5nmまでの輻悸なロ〖ドマップを閃いた。
これまで7nmプロセスの炳脫は、HPCや簿鱗奶策の芭規豺粕チップだったが、簿鱗奶策が候鉗稿染に締皖し、しばらくその擦呈は你搪を魯けていた。呵奪、浩び簿鱗奶策擦呈は懼がり幌めている。≈スマホにも粗もなく7nmを蝗った瀾墑が叫てくる∽と票家Business Development么碰VPのKevin Zhang會(哭3)は胳る。7nmといった腮嘿步はモデムやアプリケ〖ションプロセッサ、FPGAなどを崔むロジックチップが裁廬させていく。
哭3 TSMC家Business Development么碰VPのKevin Zhang會
TSMCの腮嘿步ロ〖ドマップは、7nmプロセス笆慣ではこれまでとは般い、ゆっくりとしたペ〖スで殊む。これまでは、28nmの肌が20nmあるいは14/16nm、さらに10nm、そして7nmとやってきた。ところが、7nm笆慣はもっとゆっくり癸んでいく。
7nmプロセスをN7プロセスと山附し、さらにN7プロセスの肌はN7+プロセスになるという。N7プロセスとの般いは、7nmをベ〖スにしながら20%ロジック泰刨を懼げたものだとしている。このN7+はEUVを翁緩で蝗う介めてのプロセスとなる。EUV禱窖のアベイラビリティ∈材脫拉¨蝗える覺輪を拜積している充圭∷が懼がり、欄緩拉が懼がることを悸沮してきた。アベイラビリティは2018鉗の70%から85%へと懼がり、2020鉗には90%笆懼になる斧哈みだ。また、EUVの叫蝸は280Wを奧年して評られるようになっており、2019鉗に300W、2020鉗には350Wに乖きそうだという。N7+プロセスの翁緩は2019鉗稿染からとしている。
その肌はN6プロセスで、7nmプロセスをベ〖スにしてスケ〖リングしたものだという。拉墻は懼がりコスト弄には銅網になりそうだという。デザインル〖ルやSPICEモデル、IPなどはN7と高垂拉があり、EDAツ〖ルもN7と票じものが蝗える。弓い認跋の炳脫を謄回しリスク欄緩は2020鉗媽1煌染袋を徒年している。
さらにその黎がN5プロセスだ。メインのロジックをスケ〖リングしたもので、拉墻は15%懼がり、久銳排蝸は30%負警、ロジック泰刨は1.8擒になるとしている。ここではEUVリソグラフィを蝗うレイヤ〖の眶が籠えるという。N7とは般うeLVT禱窖を瞥掐するとしている。これは端眉に你いしきい排暗VT禱窖を罷蹋している。リスク欄緩は2019鉗3奉に幌まっている。
その黎にはN5Pプロセスが丸る。Pは+(プラス)の罷蹋。これはN5と票じデザインル〖ルを蝗いながら、しきい排暗を布げることによって拉墻を懼げる禱窖だ。スピ〖ドが票じなら久銳排蝸は布がる禱窖である。
哭4 光卵暗デバイスやRF、アナログ、センサ、NVMなどを礁姥するスペシャルティ禱窖プラットフォ〖ム
TSMCが捏丁するファウンドリ禱窖には、光卵暗トランジスタや稍帶券拉メモリ、センサなどを礁姥するスペシャルティ禱窖もある(哭4)。この面で潑に、畝你久銳排萎プロセスプラットフォ〖ムという妨で、SRAMや、RFとアナログ、寥み哈みNVM∈MRAMとReRAM∷をIoTやAIを蝗ったスマ〖ト家柴羹けチップと疤彌燒けている。
寥み哈み脫稍帶券拉メモリ(eNVM)として鳥鉤恃步房メモリ∈RRAM∷と姬丹メモリ∈MRAM∷を脫罷したのは、ユ〖ザ〖からの妥司によるとZhang會は咐う。しかもMRAMは紗它攙笆懼のR/W∈粕み叫し/今き哈み∷卵底拉があり、RRAMはマスク眶の籠裁が2綏だけというコスト妥傍もある。
裁えて、さまざまな怠墻のチップを礁姥するという爬で、2.5Dや3Dの礁姥禱窖もある。ファンアウトのウェ〖ハレベルパッケ〖ジInFO禱窖やPoP∈Package on package∷、CoWoS∈Chip on Wafer on Substrate∷などの禱窖を路え、さらにChip on Chip∈SoIC: System on Integrated Chips∷やWoW∈Wafer on Wafer∷などの3D禱窖もある。WoWはN16プロセスで悸沮されており、SoIC禱窖もN7プロセスで喇根しているという。2.5D/3D悸劉禱窖では、駱涎のASEと孺べ腮嘿步禱窖で鏈く般うため、頂圭しない、とZhang會は胳っている。
徊雇獲瘟
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