図1　GlobalFoundriesのグローバルセールス兼マーケティング担当�峙薀丱ぅ好廛譽献妊鵐箸任△�Mike Noonen��(hu━)

これまで、グローバルファウンドリーズは130nmから90nm、さらに65nm、45/40nm、28nm、20nmへと�Q世代へ?c│i)々圓垢襪里?�Qを要した(図2)。14nmプロセスには初めてfinFETトランジスタを導入するが、グローバルファウンドリーズはそれを10�Q�iから開発してきたため、導入はかえって早まると見ている。��に、IBMとのコラボレーションにより、finFET単��の開発とシステムレベルのSoC設��を?q┗)���できたことが�j(lu┛)きいとしている。

図2　14nmプロセスの導入は早まる　出�Z：GlobalFoundries

14nmプロセスでは、finFETトランジスタ�霾�の最小�∨，�14nmだが、トランジスタ以外の�霾�は20nmのLPMプロセスを組み合わせる。さらに、これまでのプレーナトランジスタからfinFETトランジスタへの�々圓砲�FFM（Fin-Friendly Migration）と�}ぶ独�Oのルールを作り、スムーズな�々圓魏��Δ砲靴討い襦�

この独�Oのルールは、20nmプロセスを開発する時に、14nmのfinFETプロセスを�T識してモジュラー化を図ったものだとしている。�々圓垢襪燭瓩���要なルールは当初7000もあったが、20nmプロセス開発と共にこのルールの数を70に��(f┫)らしたという。同社が�eつさまざまなセルライブラリにFFMルールを当てはめ、��性�h価も行った。さらに、配��・配線のルールは20nmプロセスをベースにしており、ライブラリのセル内はコンパクトな配線にし、セル-セル間の配線経路も最小になるようにした。このようにして、20nmから14nmプロセスへの�々圓鰺動廚砲靴拭�この�T果、RTLやネットリストのレベルでも容易にプロセスを�々圓任�るようになった。

同社は28nmプロセスでHKMG（High-k Metal Gate）ゲートファースト構�]を使い、20nmプロセスではゲートラスト構�]に�々圓鬚垢襪箸靴討い拭�HKMGプロセスのゲートファーストはメタル材料に�U(ku┛)約があるものの、��来のポリシリコンプロセスの��長線にあるため28nmプロセスは比較的やりやすかった。グローバルファウンドリーズは「これまでに40万個�攵�してきた実績がある」とNoonen��(hu━)は言う。ゲートラストで28nmプロセスをやっていた半導��メーカーはずいぶん�Z労していたと言われている。では、グローバルファウンドリーズにとって20nmで初めてゲートラストを経�xすることになる�lだが、昨�Qはすでにこのゲートラストプロセスの開発で随分�Z労してきたらしい。しかし、HKMGのノウハウを�Qめてきたため20nmプロセスの�L(f┘ng)陥は最�Z少なくなってきたとしている。

14nmプロセスでのリソグラフィにはダブルパターニング�\術を使うが、「�_要なことはダブルパターニングを使う工��をできるだけ少なくしたことだ」とNoonen��(hu━)は述べる。「だから、20nmプロセスと組み合わせる」のである。マスク数はできる限り��(f┫)らしたいため、28nmプロセスの時と同様、まず配線総数を�[定し、その後どうやってマスク数を��(f┫)らすかを考えながらプロセス設��を行っているという。

20nmから14nmへの�々圓呂錣困�1�Qだが、20nmをスキップする�lではない。顧客によって20nmプロセスを��けることを望む所もあり、加えて14nmの客もあり、しばらく�攵�ラインを並�`に走らせることになりそうだ。

14nmプロセスを使った最初のテープアウトは2013�Q��になる見込みで、その量�巤期が14�Qになることから、2014�Qに14nmというロードマップを�Wいている。最初の顧客に向けた����はインテルと��合する����となろうという。