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さる9月中旬、新�觸j学で開��された電子情報通信学会のエレクトロニクスソサイエティ主��の企画「More than Mooreを実現するMEMS融合LSI�\術」では、MEMSデバイスをCMOSLSIに融合する場合の�\術の向かうべき�妓�が見え始めてきた。MEMSとCMOSを融合するならMEMSラストにすべき、65nm・45nmと微細化の先端をゆくCMOSとの融合なら1チップ化せずSiPを使うべき、との共通合�Tが�uられた。 [→��きを読む]
��洋電機の研�|開発本�陲�、開放電圧が0.743Vと高く、光電変換効率が22.8%と高い�T晶型シリコン�陵枦澱咼札襪魍�発した。N型シリコン基��の厚みは98μmと��来の半分��度に薄い。省�@源で高い効率のセルを狙ったもの。 [→��きを読む]
�H層配線�\術を使い、配線層�霾�にMEMS可動�陲鮴澆韻襪箸いΑ�1チップ�\術が登場した。日立��作所の中央研�|所がCMOSプロセスに�匐┐垢襪海箸覆�MEMSを集積できるプロセスを��20�vマイクロマシン/MEMS�tで発表した。 [→��きを読む]
��GlobalFoundries社がニューヨーク�Ε汽薀肇�郡に建設する300mmプライムウェーハ工場Fab2の��工式を7月24日に行うことを��らかにした。かつてアプライドマテリアルズ社やLSIロジックに在籍していたことのある、Fab2の責任�vNorm Armour��がセミコンウェスト2009において、「����メーカーにとってのグッドニュースは�盜颪忘農菽爾旅�場を戻したこと」と述べ、拍�}�_采を浴びた。 [→��きを読む]
