�\術分析（プロセス）

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��洋電機、開放電圧0.743V、変換効率22.8%の薄型�T晶Si�陵枦澱咼札襪魍�発

 2009年9月24日 ｜�\術分析（プロセス）

��洋電機の研�|開発本�陲�、開放電圧が0.743Vと高く、光電変換効率が22.8%と高い�T晶型シリコン�陵枦澱咼札襪魍�発した。N型シリコン基��の厚みは98μmと��来の半分��度に薄い。省�@源で高い効率のセルを狙ったもの。 [→��きを読む]

日立��作所がMEMS可動�陲鴦H層配線に設ける1チップCMOSセンサーを試作

 2009年8月 3日 ｜�\術分析（プロセス）

�H層配線�\術を使い、配線層�霾�にMEMS可動�陲鮴澆韻襪箸いΑ�1チップ�\術が登場した。日立��作所の中央研�|所がCMOSプロセスに�匐┐垢襪海箸覆�MEMSを集積できるプロセスを��20�vマイクロマシン/MEMS�tで発表した。 [→��きを読む]

GlobalFoundriesが28nm/22nmのFab2ラインの��工式を7月24日に行う

 2009年7月23日 ｜�\術分析（プロセス）

��GlobalFoundries社がニューヨーク�Ε汽薀肇�郡に建設する300mmプライムウェーハ工場Fab2の��工式を7月24日に行うことを��らかにした。かつてアプライドマテリアルズ社やLSIロジックに在籍していたことのある、Fab2の責任�vNorm Armour��がセミコンウェスト2009において、「����メーカーにとってのグッドニュースは�盜颪忘農菽爾旅�場を戻したこと」と述べ、拍�}�_采を浴びた。 [→��きを読む]

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