泣惟瀾侯疥がMEMS材瓢嬸を驢霖芹俐に肋ける1チップCMOSセンサ〖を活侯
驢霖芹俐禱窖を蝗い、芹俐霖嬸尸にMEMS材瓢嬸を肋けるという、1チップ禱窖が判眷した。泣惟瀾侯疥の面丙甫墊疥がCMOSプロセスに屢定することなくMEMSを礁姥できるプロセスを媽20攙マイクロマシン/MEMS鷗で券山した。
MEMSチップの網(wǎng)爬は材瓢嬸尸が井さいこと。モノリシックでMEMSセンサ〖などの材瓢嬸尸を侯るためにはCMOS攙烯婁でプロセス懼の屢定をしなければ侯瀾が豈しかった。このため、MEMSセンサ〖とCMOS ICを痰妄にモノリシックに礁姥せず、マルチチップで1パッケ〖ジに羌めるシステムインパッケ〖ジ∈SiP∷が肩萎になりつつあった。しかし、剩眶のチップを玻に事べたり、僥に姥んだりしてもパッケ〖ジのサイズがト〖タルの絡(luò)きさを瘋めていた。
泣惟瀾侯疥はCMOS ICプロセスをほぼそのまま蝗えるプロセスを倡券、驢霖芹俐嬸尸にMEMS材瓢嬸尸を肋けることで、1チップMEMSセンサ〖を倡券した。CMOS攙烯では攙烯嬸尸を?yàn)懞瞍筏扛澶衰昆蕙伐螗抓恁互工胜嗓摔瑜盲企H霖の芹俐を妨喇するわけだが、この驢霖芹俐嬸尸にMEMS材瓢嬸尸を妨喇してもCMOS攙烯の拉墻は恃わらない。この禱窖は、2×3霖の芹俐霖W、WSi亨瘟で妨喇した稿に、更い冷憋霖の辦嬸をくり卻いて鄂粗キャビティを妨喇するというもの(哭1)。
キャビティの妨喇は肌のように乖う。まず、布嬸排端を妨喇した稿、更いSiO2霖を?qū)\姥させ、さらに懼嬸排端を妨喇する。懼嬸排端に驢眶の逢を倡けておき、その懼からプラズマエッチングあるいはウェットエッチングなどで懼嬸排端の布のSiO2霖を猴っていく。排端の逢の絡(luò)きさとエッチング掘鳳などでキャビティサイズが瘋まる。猴られる改」の逢が肌媽につながっていき、呵姜弄に弓い鄂貧ができる。キャビティの絡(luò)きさはエッチング掘鳳と箕粗で擴(kuò)告するとしている。
もともと驢霖芹俐はプラズマCVDなど450☆笆布のプロセスで乖うため、MEMS嬸尸を侯る供鎳と驢霖芹俐供鎳との科下拉は紊い。この鄂貧を網(wǎng)脫して瑯排推翁キャパシタンスの恃步によって暗蝸を浮叫するという暗蝸センサ〖を活侯した。哭2の毋では、50改のダイヤフラムを妨喇した、0.9mm∵0.8mmの井さな暗蝸センサ〖であり、ダイヤフラムの木仿を恃えることでいろいろな暗蝸恃步に灤炳できる。裁えて、浮叫炊刨や籃刨は50改の暗蝸センサ〖を寥み圭わせることで拇臘できる。
辦忍弄にMEMSなどのセンサ〖慨規(guī)はインピ〖ダンスが光いため、ノイズの逼讀を減けやすいため、センサ〖からの慨規(guī)をもっと胺いやすい慨規(guī)レベルに恃垂する。そのためのアンプやレベルシフタ〖などの攙烯を1チップに礁姥する。海攙は、CMOS攙烯としてアンプなどアナログ攙烯だけで菇喇したが、A-D恃垂してデジタル慨規(guī)借妄する數(shù)恕もありうると泣惟の棱湯鎊は批えた。
NEDOの≈光礁姥ˇ剩圭MEMS瀾隴禱窖倡券禍度∽の毀辯を減けて倡券した、この禱窖は極瓢賈のタイヤ暗浮夢(mèng)や、咀仆浮夢(mèng)、縫暗紛、鄂拇怠達(dá)などに蝗えるとしている。また、井房であることを潑墓としてロボットの回黎の儡卡センサ〖としても材墻だとしている。さらに、辦忍のCMOS LSIにおいても、鄂貧キャビティはLow-k亨瘟として蝗うこともありえる。
