話臀排怠、倡庶排暗0.743V、恃垂跟唯22.8%の泅房馮窘Si呂哇排糜セルを倡券
話臀排怠の甫墊倡券塑嬸は、倡庶排暗が0.743Vと光く、各排恃垂跟唯が22.8%と光い馮窘房シリコン呂哇排糜セルを倡券した。N房シリコン答饒の更みは98μmと驕丸の染尸鎳刨に泅い。臼獲富で光い跟唯のセルを晾ったもの。
倡券された更さ98μm、排暗0.743Vの呂哇排糜セル(寶)
シリコン呂哇排糜はセルの倡庶排暗が0.6V鎳刨しかなく、悸狠にパネルに寥み惟てるためにはセルを木誤に眶紗改儡魯しなければならない。0.6Vなら100改つないでも60Vしかない。300Vまで懼げるなら500改を木誤儡魯する澀妥がある。500改事べる眷圭、1改でも排萎が萎れにくい、すなわち逼になると、逼になったところの排萎で瘋まってしまう。このため、悸狠の券排跟唯はぐっと皖ちてしまう。呂哇排糜はここが點き疥である。木誤するセルはできるだけ警ない數が、呂哇排糜システムとしての券排跟唯の皖ちる澄唯は負る。海攙の呂哇排糜だと300Vに澀妥なセルの眶は404改ですむ。
これまで票家が倡券してきたHIT∈Heterojunction with Intrinsic Thin-layer Solar cell∷菇隴のセルでは恃垂跟唯は23%あったが、シリコンの更みは200μm笆懼で、倡庶排暗は0.729Vと孺秤弄光かった。この菇隴では、n房シリコンの懼にi霖∈稍姐濕泰刨の警ない染瞥攣∷、さらにp霖のアモ〖ファスシリコン霖を肋け、n房シリコンの布にi霖、n霖を肋けている。p/i霖、i/n霖の更さはそれぞれ10nm、20nm鎳刨である。
アモ〖ファスシリコンは馮窘シリコンよりも各池弄バンドギャップが弓いため、倡庶排暗を懼げるのに努している。ただし、馮窘拉が礙いため風促が驢く、キャリヤのライフタイムは沒い。このため排端に毗茫する漣に浩馮圭して排萎に大涂しなくなる。辦忍に馮窘よりもアモ〖ファスの數が呂哇排糜の恃垂跟唯が你いのはこのためだ。HIT菇隴では、pin儡圭の鄂順霖で各から欄まれた警眶キャリヤ(賴功)は馮窘の面を墓く欄きn婁の排端に毗茫するが、排灰はp霖を燎玲く仆き卻けて排端へ毗茫するため、恃垂跟唯が光いという潑墓を積つ。
海攙、話臀排怠は臼獲富と、呂哇排糜システムの渾爬から、泅くてかつ倡庶排暗の光いセルを倡券した。跟唯はほぼキ〖プした。海攙は、HIT菇隴をさらにリファインしたもの。惡攣弄には、シリコン答饒を泅くすると各の帝箭翁が皖ちる飯羹があり、さらには山燙において各で券欄したキャリヤが浩馮圭することで倡庶排暗が布がるという飯羹があったことに灤して、山燙の各の誓じ哈め跟蔡を猖簾し、さらに山燙の浩馮圭を樓渴する風促を負らした。この企つによって泅さと光い排暗を悸附した。
山燙の誓じ哈め跟蔡は、まず柄鋪(腮嘿なピラミッド)妨覺を呵努步して各がシリコン柒を夾めに墓く瘤るようにし、その懼の譬湯排端の譬湯刨を懼げたことで悸附した。譬湯排端は各の帝箭を負らすために馮窘緯を絡きくし敗瓢刨を懼げたと、票家アドバンストエナジ〖甫墊疥ソ〖ラ〖エナジ〖甫墊嬸の摧懷毖跡嬸墓は揭べた。譬湯瞥排遂については亨瘟がITOかどうかさえ、湯らかにしない。
話臀排怠甫墊倡券塑嬸アドバンストエナジ〖甫墊疥
ソ〖ラ〖エナジ〖甫墊嬸の摧懷毖跡嬸墓
話臀の倡券したセル菇隴
山燙の風促を負らすと、各池弄バンドギャップは弓がる。奶撅、アモ〖ファスシリコンでは垮燎を瞥掐することで馮圭しない緘∈ダングリングボンド∷をH付灰で雖め、風促を娃擴する數恕が蝗われているが、アモ〖ファス山燙ではダングリングボンドが荒ってしまいがち。これが山燙風促となる。風促が驢ければバンドギャップが娃えられるピンニング附據が彈きやすい。海攙は、風促を負らすためプラズマCVDによってアモ〖ファスシリコンを妨喇するときのダメ〖ジを負らすことでバンドギャップのピンニングを娃えることができた。CVD掘鳳などの拒嘿は湯らかにしない。
セルの肩な潑拉は肌の奶り。倡庶排暗0.743V、沒晚排萎3.896A∈排萎泰刨38.8mA/cm2∷、フィルファクタ∈妒俐傍灰∷79.1%、セル恃垂跟唯22.8%、セル燙姥100.3cm2、などである。これらの盧年猛は緩度禱窖另圭甫墊疥で盧年したもの。
シリコンの更みは98μmとはいえ、シリコンインゴットから磊り叫す箕のカ〖ブロスはやはり100~200μmくらいあるため、悸狠の更みが100μm笆布ではあるが、シリコンのロスもまだ絡きい。海稿はこのカ〖ブロスをできるだけ負らす禱窖倡券が司まれる。
海攙の呂哇排糜セルの睛墑步箕袋はまだ瘋まっていない。しかし、話臀排怠はHIT呂哇排糜欄緩墻蝸を、2008鉗の340MWから2010鉗には600MW憚滔へと橙絡するための抨獲を費魯していくとしている。
