EUV箕洛が斧えてきたか、IntelがASMLと殊拇を圭わせ10nmに救潔
EUV∈Extreme Ultra Violet∷リソグラフィ禱窖の附覺が湯らかになった。Intelは2013鉗に14nmのトライゲ〖トFETプロセスを瞥掐するが、肌の10nmノ〖ドでは193iとEUVのミックスになるだろうと徒盧する。これはEIDEC Symposium 2013で湯らかにしたもの。
哭1 EIDEC Symposiumで怪遍したIntel Krautschik會(焊)とASML Jenkins會(寶)
IntelのStrategic Technology Manager for Lithography & MicrosystemsのChristof Krautschik會∈哭1焊∷は、2015鉗には10nmノ〖ドの箕洛に掐り、EUVが辦嬸蝗われるとの斧數(shù)を績した。このプロセスノ〖ドでは僑墓193nmのArF閉炕レ〖ザを蝗った禱窖∈193i∷と孺べ、コスト弄にEUVの數(shù)が銅網(wǎng)になるとする。
Intelでは22nmはもはや翁緩レベルになっており、海鉗瞥掐される糠しいマイクロプロセッサ瀾墑Haswellは22nmのトライゲ〖トFETを網(wǎng)脫している。Krautschik會によると、2013鉗瑣までには14nmの瀾墑が判眷するという。さらにその2鉗稿の2015鉗に判眷する10nmの瀾墑は193iとEUVのミックスになるとしている。
これを毀積するかのように、ASMLのStrategic Marketing么碰VPのPeter Jenkins會(哭１寶)は、附哼、13nm笆布のプロセスを灤據(jù)に甫墊しており、尸豺墻22nmのNEX3300B怠でのテストを乖っている。R&Dレベルでは、3.8nmのLWR∈line width roughness∷を拜積しながら、パタ〖ンを溪各する眷圭10nmノ〖ドを1攙の救紀(jì)できることが材墻だという。これにはIntelのKrautschik會も溪各怠票晃でオ〖バ〖レイを浮皮すると、EUVと193iの粗の數(shù)が、193i溪各怠票晃の眷圭よりもオ〖バ〖レイのバラつきは警なかったという悸賦馮蔡だとしている。
欄緩を前片に掐れたASMLの甫墊では、55綏/箕をデモし、丸鉗には70綏/箕も渾填に掐れている。各富の叫蝸は、2014鉗に125W、2016鉗に250Wをタ〖ゲットにし毗茫材墻だろうと斧ている。10nmノ〖ドでは、トリプルパタ〖ニングだとプロセスウィンドウが井さくなりすぎて欄緩が豈しくなるとみている。
Intelは步池籠升レジストにも袋略しており、俐升/俐粗持∈L/S∷が16nm/16nmのパタ〖ンは溪各稿の稿借妄できれいなパタ〖になることを澄千している。
EUV禱窖は、溪各怠だけの啼瑪ではなく、マスクブランクスやパタ〖ン妨喇したマスク、レジスト、レジストベ〖クによるアウトガスなどさまざまな啼瑪があり、これらはEIDECが豺瘋に羹けて艱り寥んでいる。勢柜の染瞥攣コンソシアムのSEMATECHもEIDECと票屯、マスクの啼瑪に艱り寥んでいる。IMECはASMLと鼎票で溪各怠倡券に驕禍しており、EUV倡券は坤腸の定蝸攣擴(kuò)がようやく叫丸つつある。魯試ではEIDECのマスクとレジストの渴鷗をレポ〖トする。∈魯く∷
