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NEDO（新エネルギー･�噞�\術総合開発機構）とLEAP（��低電圧デバイス�\術研�|組合）は、0.37Vという低い電圧で動作するSOIのMOSFETを開発(図1)、2MビットのSRAMを試作し、その動作を確認した。この成果を6月11日から�B都で開��されている2013 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits（通称VLSI Symposium）で発表した。 [→��きを読む]
Bluetooth Smart Readyがアンドロイドフォンにも搭載されることが��まった。Bluetooth Smartは、低消�J電��版であるBluetooth Low Energy（BLE）の発�t版として�擇泙譴拭�今、Bluetooth Smart、Bluetooth Smart Readyという��格が�R�`されている。この新��格Bluetooth Smartとは何か。BLEとの違いを含めて、これらを�D理してみる。 [→��きを読む]
ファウンドリのUMCは28nmプロセスの量����を出荷しており、その量����模拡�jを進めている中、20nmプロセスをスキップして、14nmのFINFETプロセス立ち�屬欧冒世い鮃覆辰討い襪海箸���らかにした(図1)。 [→��きを読む]
EUV（Extreme Ultra Violet）リソグラフィ�\術の現�Xが��らかになった。Intelは2013�Qに14nmのトライゲートFETプロセスを導入するが、次の10nmノードでは193iとEUVのミックスになるだろうと予�Rする。これはEIDEC Symposium 2013で��らかにしたもの。 [→��きを読む]
富士通セミコンダクターは、画�輝��宜臉���のグラフィックスシステムLSIを開発、�O動�Zのティア1メーカー向けに8月からサンプル出荷していく。4�妓�、合��4��のカメラからの映��(動画)を合成し表��する機�Δ魴eつ。クルマの�屬���線からだけではなく、360度周囲からクルマを見たような映�気鮑遒蟒个�(図1)。 [→��きを読む]
�|極の��低消�J電��動作を�`指して、ルネサスエレクトロニクスがエネルギーハーベスティング��デバイスを開発、ユーザーに提案するため、ESEC（組込みシステム開発�\術�t）に出�tした（図1）。このデバイスは、200mVを直接1.8Vに��圧するDC-DCコンバータと、4μWで動作するマイクロコントローラ（マイコン）だ。 [→��きを読む]
![��菱電機、グラフィックス画�気鰓~単に設��できる�]晶モジュールを提供](/assets_c/900px/130508-mitsubishi.png "��菱電機、グラフィックス画�気鰓~単に設��できる�]晶モジュールを提供")
プログラミングのスキルがなくても、オリジナルな図柄を��いたメーターなどのグラフィックスを表��する�]晶パネルを�O分で開発できるようになる。��菱電機は、タッチパネルとそのコントローラ、�]晶モジュール、グラフィックスボードに設��開発ツールをワンセットにしたソリューション（図1）の提供を始める。 [→��きを読む]
FPGA�j�}のAltera（アルテラ）は、14nm時代に向けた����のロードマップ(図1)とポートフォリオを��らかにした。14nmではIntelをファウンドリとして使う旨も表��しており、その�T図を�D材した。 [→��きを読む]
かつて、バリアブルコンデンサと�}ばれる、ラジオチューナ��の可変キャパシタがあった。空気を絶縁��として��い、向かい合わせた金�關�の片�Cだけを機械的に�v転させることで金�關�が向かい合う�C積を変え容量を変えるというもの。MEMSを使って金�關�間の�{�`を変えて可変キャパシタを実現する企業が現れた。リードスイッチ企業もMEMSで��小型にした。 [→��きを読む]
ボストンでの爆発���Pの�畤佑鯀椶垢里飽厠�を発ｧした監��カメラ。監��カメラ�x場では、360度あるいは180度の魚眼レンズカメラが求められている(図1)。1��で広い�J囲をカバーできるからだ。その魚眼広角カメラ����に向けた専��のチップをジオセミコンダクタ社が開発中。このほどGlobalpress主��のE-Summit2013でそのチップの�k�陲���らかにした。 [→��きを読む]
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