CEATEC 2013(2)〜センサとパワー、空間ディスプレイの�t��に�R�`
電子����メーカーがさまざまなセンサを�t��するだけではなく、そのセンサで何ができるかというソリューション提案が��発だったこともCEATEC 2013の��徴だろう。その他、�j小はあるが電��を扱う����もあり、何もない空間に画�輝��気魃任圭个好▲好�ネットの新型ディスプレイは実応��に�k歩�Zづいた。 [→��きを読む]
�\術分析
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CEATEC 2013(1)〜IoTに向けたヘルスケアソリューションが��発、�L外コラボも
�h��県幕張で開��されているCEATEC 2013（図1）では、����メーカーのソリューション提案が�`立つ。ワイヤレスセンサネットワーク（WSN）からつながる��来のIoT（Internet of Things）、ワイヤレスヘルスケアなどのソリューション向け、Bluetooth Smart、�Q�|のセンサ、そのためのコラボレーションも��発だ。半導��メーカーの参加は国内ではロームのみ。 [→��きを読む]
4Kテレビ�官�を狙ったHDMI2.0��格が��定
4K HDテレビスクリーンに映�気鯀��p信するための伝送��格HDMI2.0の詳細が��らかになった。データレートは最�j18Gbps。4K映�気鯏疏�するのに�科�な�]度である。この��格を策定してきたHDMI Forumと、HDMIのライセンス業��を扱うHDMI Licensing社社長のSteve Venuti��(図1)がこのほど、新��格2.0について語った。 [→��きを読む]
複雑なSoCを�~単に設��するためのツールを�Y��化しよう−HSAが�}びかけ
CPUやGPUなど複数のプロセッサを集積したSoCチップをもっと�~単・�]期間に設��したい。SoCの普及を�`的とした�Y��化団��HSA Foundationがこういった開発ツールを�Y��化するため2012�Q6月に誕�擇靴拭�AMDやARM、Qualcommなどが創立メンバー(図1)となり、オープンな設��プラットフォームを作る��動に��を入れている。このほど電�B記�v会見で、その��動�X況を��らかにした。 [→��きを読む]
Qualcommが腕時��型モバイル端��を今�Q4Qに発売
Qualcommは、スマートフォンと連携する腕時��型デバイス「Toq」を今�Qの��4四半期(10〜12月)に発売する。実際に販売するのは100%子会社のQualcomm Connected Experiences社であり、この腕時��型スマートウォッチにはQualcommの子会社の連携�\術が詰まっている。 [→��きを読む]
ソフトウエアだけでカメラの�}ぶれ����を実現した、CEVAのIPコア
DSPコアの開発メーカーであるCEVA（シーバ）社が�}ぶれ����機�Δ溌�解�偽\術のアルゴリズムを開発、それらを�rり込んだIPを商��化した。スマートフォンのように薄く小型のカメラには搭載が�Mしい�}ぶれ防�V機�Δ鬟愁侫肇Ε┘△納存修垢襦� [→��きを読む]
銅の5倍の�X伝導性を�eつ合成ダイヤ薄膜で、日本�x場狙うElement Six社
英国の工業��ダイヤモンド材料メーカーであるElement Six Technologies社が日本での��動を本格化させている。これまで工業��のダイヤモンド砥��やパウダーなど�駘�的に�wいという��長を�擇�し機械的な作業の分野に�R��していたが、エレクトロニクスにも��を入れ始めた。�X伝導の良さに�R�`している。 [→��きを読む]
Keithley、タッチパネル�擬阿諒９�DC�R定�_SMUを発売
絶縁��や半導��pn接合の微小なリーク電流�R定�_で定�hのあるKeithley Instrumentsが、使い�M�}を格段に向�屬気察⊆��R時間を�j幅に�]縮した�R定�_SMU（Source Measurement Unit）を61万��で発売した。SMUは電圧源、電流源を内�鼎轡�ーブトレーサやデジタルマルチメータの機�Δ魴eつDC�R定�_。同社がTektronixと経営統合し、シナジー効果を発ｧした����だ。 [→��きを読む]
TowerJazz、デザインセンターを社内に��きサポートの充実図る
イスラエルに本社を��くファウンドリメーカーのTowerJazzがこのほど、日本国内にもデザインセンターを充実させることを��らかにした。これは、同社CEOのRussel Ellwanger��が7月下旬に開かれたTowerJazz Technical Global Symposiumで述べたもの。 [→��きを読む]
コスト的にもSiに�Mてるメド、TransphormのGaNパワートランジスタ
Si IGBTやパワーMOSFETの性�Δ鬯�える、SiCやGaNといった高�a半導��トランジスタが期待されながら�jきく成長していけない最�jの問��はコスト。SiCはSiよりも10倍も高い。Siのパワートランジスタは���]プロセスがSiCやGaNに比べて完成しており、��来の設�△�使え、低コストである。化合�馮焼���はどうやってコストの壁を突破するか、その�kつのアイデアをTransphorm（トランスフォーム）社が提案した。 [→��きを読む]
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