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�噞�\術総合研�|所は、ペロブスカイト構�]の�陵枦澱咾亮唾�化に向け、�O動作��システムを試作した。ペロブスカイト�陵枦澱咾蓮∧儡晃�率がシリコン以�屬旅發じ�率を��す試作は�Hいが、バラつきが�jきいと共に、経時変化が�jきく劣化しやすい、�j�C積が�Mしいなどの問��が�兩僂漾�少しでも�}作業による作��ではなく�O動機によってバラツキを��らす狙いで����を開発した（図1)。 [→��きを読む]
Keysight Technologiesは、周�S数帯域200MHz~1GHz、サンプリングレート3.2Gサンプル/秒という2チャンネル/4チャンネルのオシロスコープ（図1）を137万��から発売した。オシロスコープといってもFFTを�Xければスペクトラムアナライザになる�屐⊃��ﾈ��昊_やロジックアナライザ機�Δ眛��鼎靴討�り、統合�R定�_ともいえるが、分解�Δ�高くノイズが極めて低い。 [→��きを読む]
Texas Instrumentsは、POL（Point of Load）と�}ばれる電源��ICとして使う、出��6Aの小型電源��パワーモジュール「MagPack」を開発、サンプル出荷を開始した。出��6AのDC-DCコンバータでさえ、�jきさは2.3mm×3mm×1.95mm（高さ）とボードに実�△垢��C積が小さい。このためボードスペースを�~効に使うことができる。 [→��きを読む]
半導��の高周�S��性やさまざまなパラメータ��性を�R定する���R�_を設��・���]しているKeysight Technologyが、今�Qで10�v�`となるプライベート�t��会Keysight Worldを東�B・JPタワーホール&カンファレンスで開��した。ここでVLSI 設��データのライフサイクルマネージメントやチップレットの設��ツール、��電容量�擬阿砲茲襯椒鵐妊�ングワイヤーの��破�s検�hなどを紹介している。 [→��きを読む]
Nvidia同様、データセンターやオンプレミスなど企業向けAIチップの中でデータフローコンピューティングを積極的に�W��するSambaNova社が次世代AIというべき、�H数の専��モデルを�O��的に実行できるエージェンティックAIを�`指していることがわかった。�kつのAIチップで�H数のモデルを実行できる。消�J電��は�j幅に下がることになる。 [→��きを読む]
![Nvidia、LSI新����開発�]縮に威��を発ｧする�收�AI「ChipNeMo」を�o開](/assets_c/900px/240718-nvidiachipnemo.png "Nvidia、LSI新����開発�]縮に威��を発ｧする�收�AI「ChipNeMo」を�o開")
半導��売り�屬欧脳�成長しているNvidiaは、�收�AIをはじめとするAIコンピューティングのGPUやソフトウエアをさまざまな応��ごとにAIソリューションを提供している。このほどLSI設��期間を�]縮するため、チップ設��のための�收�AIであるLLM（�j��模言語モデル）アシスタントChipNeMo（図1）を開発、IC����開発に使っていることを「NTTPC GPU Day �收�AI基盤の最�i線」の講演で、��らかにした。 [→��きを読む]
AIコンピューティングパワーがけん引し、プロセスノードの微細化は早まっている、とTSMCシニアバイスプレジデント兼副共同最高業��執行責任�vのKevin Zhang��が述べた。これは6月28日に横�pでTSMC Technology Symposium Japanを開��した際、メディア向け�\術説��会で述べたもの。 [→��きを読む]
GaNやSiCのような高�]のパワー半導��は性�Δ陵グ明�は��確にあるものの、ノイズやオーバーシュート、アンダーシュート、リンギングなどプリント基���屬濃箸い砲�さが残る。ノイズを抑えるドライバICがカギを�曚襪海箸鬚垢任謀舛┐燭�（参考�@料1）、ドライバICとGaNパワートランジスタを集積したモジュール（図1）をTexas Instrumentsが開発した。 [→��きを読む]
英国のIP（Intellectual Property）ベンダーの�kつ、Imagination Technologiesの経営陣が来日、Imaginationの変貌ぶりを伝えた。CPUはRISC-V、GPUはかつての主������POWERVRのポートフォリオをローエンドからハイエンド、さらにAシリーズからDシリーズへと進化させている。AIはCPU+GPUがカギとなる。応��もかつての主要1社から�H岐に渡る。 [→��きを読む]
Analog Devicesは、GaNパワーFETのゲートをドライブするためのシリコンのドライバICを2023�Qに新����として発売していたが、このほどその背景について��らかにした。GaNパワーFETはシリコンのパワーMOSFETと比べて、絶縁耐圧が10倍高く、電子�‘暗戮�2000cm2/Vsと高く高�]動作に適している。�k�機�高�]すぎて使いにくい点もある。 [→��きを読む]
