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Texas Instruments（TI）が開発したSiCパワートランジスタ向けのゲートドライバIC����「UCC5880-Q1」は、SiCパワーMOSFETの�L(f┘ng)点を解消したドライバICだ（図1）。SiCはIGBTと比べ、少数キャリアの蓄積時間がない分、高�]にスイッチできる。しかし、オーバーシュートやリンギングなどのノイズを発�擇靴�ちになる。TIのチップはこの�L(f┘ng)点を解消した。 [→��きを読む]
クロックの立ち�屬�りと�T下でトリガーをかけるLPDDR（Low Power Double Data Rate）�\術は、これまでDRAMの高�]化�\術であった。これを高�]アクセスに使ったNORフラッシュメモリをInfineon Technologiesが開発、サンプル出荷を開始した。狙いは�Z載コンピュータのリアルタイム動作である。LPDDR4のDRAMと比べ読み出しアクセス時間が10nsと5倍�]いという。 [→��きを読む]
�S長13.5nmのEUV（Extreme Ultra Violet）リソグラフィでもダブルパターニングが導入され始めた。ただし、解�掬戮�30nmまでしか�u(p┴ng)られないため、位��合わせが�Mしい。Applied Materialsは、最小のパターン幅を�W定に形成するパターンシェイピング�\術を導入する����「Centura Sculpta」を開発した。これを使えばダブルパターニングと同等な�∨，��W定に形成できる。 [→��きを読む]
プロセスノード2nm以�Tの次世代半導��チップ���]に�L(f┘ng)かせない、���Q機リソグラフィ（Computational Lithography）のエコシステムをTSMCとNvidia、ASML、Synopsysが設立した。3nmノードの実チップ�屬任虜脳��∨，�13nm��までやってきて、�S長13.5nmのEUVリソでもOPC（光�Z接効果����）の導入が�L(f┘ng)かせなくなってきた。���Q機リソはそのための�\術である。 [→��きを読む]
プリント基��だけではなく、テフロンなどの基��にも密��性の良い配線を形成できる�\術を岩�}�j(lu┛)学が開発、高周�S��性の優れた�v路を容易に形成できるようになる。岩�}�j(lu┛)のi-SBと�}ばれる�\術は、分子接合材を��いる異�|材料接合�\術である。�噞�cもすでに���`し始め、実��化に向けたエコシステムの構築中だ。この�\術を普及させるためのプラットフォームを今秋には構築する��画で進めている。 [→��きを読む]
半導��工場の脱炭素化が求められるようになってきたが、ベルギーの研�|開発会社であるimecは、リソグラフィとエッチング工��における環境負荷を定量的に�h価するシミュレーションを発表した。半導��プロセスの環境�h価によりCO2削��(f┫)への�敢�を�]つことができる。まずはリソとエッチング工��でEUVの優位性が��(j┤)された。 [→��きを読む]
AIチップならFPGAが向いている。こういった考えでAI（機械学�{）プラットフォームを作り、さまざまな分野に応��するため��業した東�B工業�j(lu┛)学発のスタートアップがいる。Tokyo Artisan Intelligence（TAI）社だ。漁の養殖場での�_数���R作業を�O動化し、鉄�Oのレール検�hなどにもAIを?q┗)���し、POC（実証実�x）を終えたところにいる。 [→��きを読む]
高耐圧のパワー半導��には、������性としてSiよりも絶縁耐圧の高いSiCやGaNの��(sh┫)が�~�W(w┌ng)だ。しかしながらSiCでは1200Vの耐圧を�u(p┴ng)られるが、高価でなかなか普及しない。GaNの横型HEMTトランジスタは650V��度しか耐圧が�u(p┴ng)られない。こんな常識がSi、SiC、GaNのパワー半導��でこれまでまかり通っていた。 [→��きを読む]
先端パッケージ�\術が次世代の高集積化�\術として�R�`されている。チップレットや3次元ICのパッケージングでは、これまでとは異なる�\術が求められる。研�|開発向け半導��チップのパッケージングを�}�Xけるコネクテックジャパンがインプリント法で10µmピッチの電極を形成する�\術や、80°Cで半田バンプをチップ接��する�\術で�p�Rを�耀u(p┴ng)し��けている（図1）。 [→��きを読む]
STMicroelectronicsが�O動�Z仕様にPCM（相変化メモリ）を集積したマイクロコントローラ（MCU）Stellarファミリを東�Bビッグサイトで開��(h┐o)されたオートモーティブワールド2023で�t��(j┤)した。Intel/Micron連合がPCMを�W(w┌ng)��したX-Point Memoryの��業を��念したのとは�款氾�だ。STの狙うのはあくまでも160°Cのような高�a(b┳)でも使えるPCMを開発、�Z載コンピュータへの応��だ。なぜか。 [→��きを読む]
