Imecの工場では、環境にやさしいプロセスを�`指し、フッ素を使ったエッチングガスを��(f┫)らし、EUVスキャナーのスループットを最�j(lu┛)限�屬押⊃總任篆紊了斑�量を��(f┫)らす、などのソリューションを開発してきた。IC���]で排出されるCO2は、次の10�Q間で4倍にも�\えると見られている。ウェーハの�攵盋が�\えるとともにICの集積度が高まるからだ。このようなシナリオに�棺茲垢襪燭畚j(lu┛)�}半導��メーカーは2030〜2050�Qの間にカーボンニュートラルを達成することをコミットしている。

カーボンニュートラルとは、排出されるCO2と吸収するCO2量を同じにしようという試みのこと。例えば植�颪鬚燭�さん植えると光合成によりCO2を吸収して��素を出すから、カーボンニュートラルを達成するための�~��な�}段の�kつである。

Imecでもチップ���]にはCO2排出実��ゼロを�`�Yにするサプライチェーンを構成するSSTS（Sustainable Semiconductor Technologies and System）プロジェクトを立ち�屬欧拭�このゴールの�kつは、半導���噞に独�Oのボトムアップ�}法を提供することである。これは、プロセスとフローの開発中に環境に�j(lu┛)きな影�xを与える�h価を高い��度でわかる仕組みを作ろうというもの。

複数のパートナーと協��しながらimecは、SSTSプロジェクトの枠組みの中で、環境へのインパクトを定量的に�h価できるモデルを初めて開発した。��にリソグラフィとエッチングの工��に関して様々なプロセスノードに渡って調べた。「この仮�[ファブのツールを使って3nmのロジックプロセスノードを?y┐n)��]するリソグラフィとエッチング工��では、排出されるスコープ1（工場内の����や設�△�らの排出）とスコープ2（外�陲�ら調達するエネルギーからの排出）の45%が影�xすることがわかった」とimec�\術スタッフの中心メンバーであるEmily Gallagher��(hu━)は述べている。

図1　リソグラフィとエッチング工��でのCO2排出のシミュレーション　プロセスノードの微細化と共に排出量は�\加　出�Z：Imec

図1で表されているように、N7プロセスノードでは、それまでの10nmや7nmのようなマルチパターニングによるCO2排出量と比べ、EUVを使うことで、1�vで露光が済むため��らかに��(f┫)少するという差が見られた。さらに実際のファブでの排出量とも定量的に比較している。例えば、EUVのドーズ量を10%��(f┫)らすとウェーハ当たりのCO2排出量は0.4kg分を�I約できた。このことは、�j(lu┛)きなファブで毎月40トンものCO2を削��(f┫)できることになる。

ただ、図1では、さらに微細化ノードを進んで行けば行くほど、CO2の排出量は�\えていく。EUVといえども線幅・線間隔を微細にするためにはマルチパターニングが��要となるためだ。このため、さらなる削��(f┫)�}法が求められる。

Gallagher��(hu━)は「ImecはEdwards社とパートナーシップを組み、300mmのクリーンルーム内のEUVリソグラフィでは水素�v収システムを設��した」と言う。これによって水素の70%を�v収できるとしている。

加えて、「EUVリソグラフィでは、0.33NA（Numerical Aperture：開口率）と高NA（0.55NA）の����共に、低ドーズ量のソリューションの開発にも�R��している。また、��来よりもガス消�J量を��(f┫)らすことで、�e��性（サステナビリティ）にも集中している」と述べている。例えば薄膜の厚さを薄くすればガス量を��(f┫)らせるため、nmレベルの厚さまで検討する。次のターゲットはプロセス����に渡るCO2排出の影�xを調べることである。