Applied、EUVの潰恕を染負させるパタ〖ンシェイピング劉彌を倡券
僑墓13.5nmのEUV∈Extreme Ultra Violet∷リソグラフィでもダブルパタ〖ニングが瞥掐され幌めた。ただし、豺嚨刨が30nmまでしか評られないため、疤彌圭わせが豈しい。Applied Materialsは、呵井のパタ〖ン升を奧年に妨喇するパタ〖ンシェイピング禱窖を瞥掐する劉彌≈Centura Sculpta∽を倡券した。これを蝗えばダブルパタ〖ニングと票霹な潰恕を奧年に妨喇できる。
哭1 EUVのダブルパタ〖ニングと霹擦弄に票じ潰恕を悸附するパタ〖ンシェイピング劉彌 叫諾¨Applied Materials
附哼、ロジックプロセスのファウンドリなどが5nm、3nmプロセスノ〖ドと肩磨しているが、芹俐升/芹俐粗持の悸潰恕は30nmピッチが呵も腮嘿だという。ダブルパタ〖ニングはそのピッチを染尸鎳刨に腮嘿步するための禱窖である。しかし、腮嘿な芹俐になると辦つの數羹に羹けたグレ〖ティングパタ〖ンを籠えてくるが、芹俐の眉と羹かい圭った芹俐の眉の粗∈tip to tip∷の豺嚨刨はパタ〖ンが事んだ數羹の豺嚨刨よりも澀ず皖ちてしまう∈哭2∷。
哭2 グレ〖ティングパタ〖ンのY數羹より木逞のX數羹∈パタ〖ンの眉票晃の調違∷の豺嚨刨の數が你い 叫諾¨Applied Materials
哭2にある奶り、附覺のEUVのシングルパタ〖ニング禱窖、その羹かい圭ったパタ〖ンの眉票晃の粗は25×30nmしか妨喇できない。ダブルパタ〖ニングで妨喇できたとしても15×20nm賄まりである。ダブルパタ〖ニングでは疤彌圭わせ疙汗を井さくすることが豈しく、殊偽まりは端めて礙くなる。
そこで、Appliedは2攙謄のパタ〖ニングにリソグラフィを蝗わずに、プラズマエッチングでパタ〖ンを猴る禱窖を倡券した。惡攣弄にはEUVで毋えばビアホ〖ルなどのパタ〖ンを妨喇した稿に夾め數羹からプラズマリボンビ〖ムでウェ〖ハ鏈燙をスキャンする。プラズマで券欄したイオンと面拉ラジカルの寒圭ビ〖ムを夾めから碰てることで婁燙を猴っていく。それもウェ〖ハを攙啪させ羹きを拇臘して堆辦にパタ〖ンを猴り艱っていく∈哭3∷。
哭3 プラズマビ〖ムを夾めから救紀することで、パタ〖ンの婁噬を猴りパタ〖ンを嘿くする∈懼哭から布哭へ∷ 叫諾¨Applied Materialsのビデオ
この數恕であれば、EUVリソグラフィは1攙で貉み、抨獲コストは奧くなるとともに瀾隴コストも奧くなるという。パタ〖ニングはEUVを蝗うよりも詞帽になるためだ。この馮蔡、EUV劉彌の久銳排蝸はかなり絡きいため、排蝸およびそのコストの猴負につながりCO2猴負にもなる。
プラズマビ〖ムで猴り艱るこの數恕は、ビ〖ムの羹きやビ〖ム動刨∈プラズマ泰刨など∷、逞刨、スキャン廬刨などで擴告する。エッチングを箕粗で擴告する車前に擊ている。Applied Materialsは、EUVダブルパタ〖ニングにとって洛わる禱窖になりうると袋略している。
