Applied、EUVの�∨，鯣裳�(f┫)させるパターンシェイピング����を開発
�S長13.5nmのEUV（Extreme Ultra Violet）リソグラフィでもダブルパターニングが導入され始めた。ただし、解�掬戮�30nmまでしか�uられないため、位��合わせが�Mしい。Applied Materialsは、最小のパターン幅を�W定に形成するパターンシェイピング�\術を導入する����「Centura Sculpta」を開発した。これを使えばダブルパターニングと同等な�∨，��W定に形成できる。
図1 EUVのダブルパターニングと等価的に同じ�∨，鮗存修垢襯僖拭璽鵐轡Дぅ團鵐����� 出�Z：Applied Materials
現在、ロジックプロセスのファウンドリなどが5nm、3nmプロセスノードと主張しているが、配線幅/配線間隔の実�∨，�30nmピッチが最も微細だという。ダブルパターニングはそのピッチを半分��度に微細化するための�\術である。しかし、微細な配線になると�kつの��(sh┫)向に向けたグレーティングパターンを�\えてくるが、配線の端と向かい合った配線の端の間（tip to tip）の解�掬戮魯僖拭璽鵑�並んだ��(sh┫)向の解�掬戮茲蠅���ず落ちてしまう（図2）。
図2 グレーティングパターンのY��(sh┫)向より直角のX��(sh┫)向（パターンの端同士の�{(di┐o)�`）の解�掬戮���(sh┫)が低い 出�Z：Applied Materials
図2にある通り、現�XのEUVのシングルパターニング�\術、その向かい合ったパターンの端同士の間は25〜30nmしか形成できない。ダブルパターニングで形成できたとしても15〜20nm�Vまりである。ダブルパターニングでは位��合わせ誤差を小さくすることが�Mしく、歩�里泙蠅篭砲瓩撞Kくなる。
そこで、Appliedは2�v�`のパターニングにリソグラフィを使わずに、プラズマエッチングでパターンを削る�\術を開発した。����的にはEUVで例えばビアホールなどのパターンを形成した後に�Aめ��(sh┫)向からプラズマリボンビームでウェーハ���Cをスキャンする。プラズマで発�擇靴織ぅ�ンと中性ラジカルの混合ビームを�Aめから当てることで���Cを削っていく。それもウェーハを�v転させ向きを調�Dして均�kにパターンを削り�Dっていく（図3）。
図3 プラズマビームを�Aめから照�o(j━)することで、パターンの�篳匹鮑錣螢僖拭璽鵑鮑戮�する（�嵜泙�ら下図へ） 出�Z：Applied Materialsのビデオ
この��(sh┫)法であれば、EUVリソグラフィは1�vで済み、投�@コストは�Wくなるとともに���]コストも�Wくなるという。パターニングはEUVを使うよりも�~単になるためだ。この�T果、EUV����の消�J電��はかなり�j(lu┛)きいため、電��およびそのコストの削��(f┫)につながりCO2削��(f┫)にもなる。
プラズマビームで削り�Dるこの��(sh┫)法は、ビームの向きやビーム�單戞淵廛薀坤淕�度など）、角度、スキャン�]度などで�U(ku┛)御する。エッチングを時間で�U(ku┛)御する��念に�瑤討い�。Applied Materialsは、EUVダブルパターニングにとって代わる�\術になりうると期待している。
