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Armがますます高集積のIPを開発している中、16個のCPUコアにセキュリティIPや�W��性IP、I/O（入出��）などを基本の�Y����とする新しいCSS（Compute Sub-System）IPコア「Zena」（ジーナと発音）を発表した。ここにGPUやNPU（ニューラルプロセッシングユニット）などを拡張するバージョンも提供する。スケーラブルなCSSコアとなる。 [→��きを読む]
クルマが今後、SD-V（ソフトウエア定�Iのクルマ）になるにつれ、ますます半導��の出番が�\えてくる。SD-Vでは頭�NとなるSoCと、センサとなるイメージセンサやレーダー、LiDARなどのセンサが�\えてくると共に、システム�屬離札�ュリティやセンサフュージョンなど新しい半導��はますますシステムに�Zづく。シミュレーションメーカーのAnsysは、半導��の世�cにもシミュレーションが不可�Lになることを訴求している。 [→��きを読む]
Infineon TechnologiesがこれからのSD-V（ソフトウエア定�Iのクルマ）時代を迎え、CPUコアとしてRISC-Vを採��することを��らかにした（図1）。RISC-Vコアは�櫂�リフォルニア�j学バークレイ�鬚龍笈bらが開発した、オープンソースのCPUコアであり、誰でも�W(w┌ng)��できる。とはいえ、��常にシンプルな命令セットなので�O分で開発する場合には��要な命令セットやパイプライン構�]、マルチコア�官�などを作り込む��要がある。なぜInfineonはRISC-Vに��を入れるのか。 [→��きを読む]
�R定�_メーカー�j�}のKeysight Technologyは、成長し��けるAIデータセンター向けの�R定�\術KAI（Keysight Artificial Intelligence）アーキテクチャを提唱（図1）、����的な����群も発表した。このアーキテクチャは、��並�`に演�QするGPU（グラフィックスプロセッサ）などのワークロードをエミュレーションによって検証するもので、AIデータセンターをさらに拡張する場合に�мqできる。 [→��きを読む]
Texas Instrumentsは、並�`接��により最�j6kWまでの電��を扱うことのできる電子フューズ(eFuse)IC、「TPS1685」を開発した。これによりますます電��を消�Jするデータセンターの電源を確保できるようになる。�k般のeFuseをただ単に並�`にしても、MOSFETのオン�B�^や配線パターンの�B�^やコンパレータのしきい電圧のバラつきなどによって、弱い�霾�に電流集中が��こりやすくなる。しかしこれを防いだ。 [→��きを読む]
高効率で消�J電��当たりのAI処理性�Δ�高いAIチップの中で、NvidiaのGPUと張り合えるチップはそう�Hくない。データフローコンピューティングアキテクチャであり、さらにダイナミックにエージェントがジョブを切り��えられる��(sh┫)式のSambaNovaのチップはその�t��の�kつ。推�b性�Δ蚤昭劼魄掬櫃垢鞫T果をこのほど発表している。 [→��きを読む]
ルネサスエレクトロニクスは、�}ごろな価格で画�鞠Ъ�AIが使える新しいAIアクセラレータを集積したミッドレンジのプロセッサ「RZ/V2N」をドイツのニュルンベルグでのEmbedded World 2025で�t��した。2��のカメラ画�気鯑Dり込める�屬法▲�ルマのドライブレコーダーや�O動走行ロボットのカメラ、監��カメラなどコンピュータビジョンに�官�する。3月19日に発売する。 [→��きを読む]
![Arm、CPU+NPUを�kつのコアとしてビデオなど高�]IoT向けIPを開発](/assets_c/900px/250304-armiot.png "Arm、CPU+NPUを�kつのコアとしてビデオなど高�]IoT向けIPを開発")
高性�Δ�CPUとAI専��のNPU（ニューラルプロセッシングユニット）を集積したIP（��的財��）コアをArmが開発した。高性�Ε咼妊�伝送をはじめとする高�]IoT（Internet of Things）に�官�するIPコアである。高性�Δ紛\術であるArmv9をエッジAIのプラットフォームとして使う����が早くも�擇泙譴燭燭瓩法△海里茲Δ聞眄���IoT向けのIPを開発した。����的にはどのような����だろうか。 [→��きを読む]
Micron Technologyが1γnmノードのDDR5DRAMをサンプル出荷した。1γnmというサイズは10nmクラスのようで、EUV����の導入が��須になる。Micronの微細な�\術によって、スピードは現世代の1βnmノードのDRAMと比べ、8Gbpsから9.2Gbpsと高�]になり、消�J電��は20%削��され、集積度は30%�屬欧襪海箸�できる(図1)。 [→��きを読む]
STMicroelectronicsは、ゾーンアーキテクチャに向いたMCU（マイコン）「Stellar」のシリーズを��らかにした。先行して販売していたStellar Eシリーズに�瓦靴董�Armマルチコアによる仮�[化�\術を採り入れている。その高集積化のためNORフラッシュメモリに代わりPCM（相変化メモリ）を��い28nm、18nmへと微細化で�官�する。 [→��きを読む]
