Micronが1γnmノ〖ドのDRAMをサンプル叫操、その悸蝸は々
Micron Technologyが1γnmノ〖ドのDDR5DRAMをサンプル叫操した。1γnmというサイズは10nmクラスのようで、EUV劉彌の瞥掐が澀寇になる。Micronの腮嘿な禱窖によって、スピ〖ドは附坤洛の1βnmノ〖ドのDRAMと孺べ、8Gbpsから9.2Gbpsと光廬になり、久銳排蝸は20%猴負(fù)され、礁姥刨は30%懼げることができる(哭1)。
哭1 1γDRAMの拉墻、久銳排蝸 叫諾¨Micron Technology
DRAMビジネスは、ロジックと般い、20nm笆布になると賴木ベ〖スで19×18nmを1xnm、17×16nmを1ynm、15×14nmを1znmなどと癸んできて、さらに1αnm、1βnm、1γnmへと警しずつ癸んで腮嘿步してきた。ロジックは28nm、20nmまではプレ〖ナで賴木ベ〖スだが、16/14nmでFinFETを蝗いだしたことで、3肌傅步させ、腮嘿步潰恕から違れていった。7nmと咐っても呵井の悸潰恕は16×14nm鎳刨だった。
ロジックでは、芹俐やトランジスタの3肌傅步を渴めることで、悸狠のトランジスタの礁姥刨で部nmという潰恕で山附した。毋えば7nmは1mm2あたり1帛改漣稿のトランジスタが礁姥されたICを山附していた。面柜瀾のICチップで7nmプロセスノ〖ドを悸附した、という券山があったときも1mm2あたりトランジスタ眶が9400它改鎳刨あったため、7nmプロセスと千年した。
海攙DRAMで1γnmプロセスは10nm鎳刨の呵井芹俐升になった滔屯で、そのように山附していたが、さらなる腮嘿步を1δ/εnm∈デルタ/イプシロン∷と山附しているため、そこまで腮嘿步しても、まだ10nmを磊っていないのかもしれない。
ただし、芹俐升がここまで腮嘿になると、リソグラフィ劉彌がArF閉炕のレ〖ザ〖リソグラフィからEUV∈端眉葷嘲俐∷に洛わってくる。Micronは頂圭メ〖カ〖と孺べてEUV瞥掐には康腳だった。≈これまでの禱窖を虐攆弄に蝗い泡すことでコストを布げ、網(wǎng)弊を欄む數(shù)羹に渴んできた∽と泣塑恕客のマイクロンメモリジャパンでDRAM Technology Development嬸嚏のシニアVPの球冪絳會(huì)は胳る。EUVの瞥掐が覓くてもコストを庭黎して驕丸禱窖を蝗い泡すという雇え數(shù)であり、呵糠の4Q瘋換ではSamsungよりも網(wǎng)弊唯は光い。
哭2 マイクロンメモリジャパンでDRAM Technology Development嬸嚏のシニアVPの球冪絳會(huì)
海攙の1γDRAMのDDR5メモリのサンプルは弓噴供眷で倡券したものだが、EUVリソを蝗わなくてはならない嬸尸の裁供のみを、EUVが瞥掐されている駱涎の供眷にウェ〖ハを流り、裁供借妄稿に弓噴に提して肌の侯度に掐ったという。1γnmDRAMと咐っても鏈ての供鎳にEUVを蝗ったわけではない。呵も腮嘿でしかも悸賦弄にも蝗いやすいのはおそらくコンタクト嬸尸の裁供ではないか、と鱗嚨される。
まだ弓噴供眷にEUVは掐っていないが、弓噴供眷の抨獲には泣塑惹CHIPs恕捌による輸錦垛があるため、25鉗刨面に掐ることは粗般いない。球冪會(huì)も25鉗面には掐るだろうと批えている。駱涎では駱頌と駱面に供眷があり、駱面の供眷にEUVが瞥掐されている。
海稿、DRAMは3D-DRAMへと渴む蘋(píng)囤がある。これは、NANDフラッシュのようにモノリシックに姥んでいくわけだが、これまで僥數(shù)羹に邊披覺(jué)のキャパシタ嬸尸を玻數(shù)羹に泡し、トランジスタとキャパシタを僥數(shù)羹に姥んでいく菇隴である。Applied Materials家のホ〖ムペ〖ジ∈徊雇獲瘟1∷にその菇隴が非很されている。Micronは3D-DRAMに灤しても驕丸禱窖を蝗い泡していくことになる。ただしその甫墊倡券は掄らない。
徊雇獲瘟
1. ∪DRAM∩、Applied Materialsホ〖ムペ〖ジ柒
