Micron、メモリからAIアクセラレータへポートフォリオを拡j(lu┛)

Micron Technologyが日本とシンガポールで工場の拡張にを入れていることをJ報したが(参考@料1、2)、(sh━)国ではポートフォリオを広げる(sh┫)針を発表した。これまで、DRAMとNANDフラッシュ、3D-Xpointメモリというメモリ業にフォーカスしてきたが、NORフラッシュやAIアクセラレータボードにまで}を広げることをらかにした。 [→きを読む]
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Micron Technologyが日本とシンガポールで工場の拡張にを入れていることをJ報したが(参考@料1、2)、(sh━)国ではポートフォリオを広げる(sh┫)針を発表した。これまで、DRAMとNANDフラッシュ、3D-Xpointメモリというメモリ業にフォーカスしてきたが、NORフラッシュやAIアクセラレータボードにまで}を広げることをらかにした。 [→きを読む]
これぞ逆転の発[だ。ロームは、アナログv路内にマイコンのCPUコアを集積するという新しいモータU(ku┛)御ICを開発した。これまでマイコンIC内にアナログv路IPを集積したpSoCなどはあったが、ロームのICはそのく逆だ。主要機Δ魯癲璽U(ku┛)御。ここにソフトウエアでU(ku┛)御命令を?y┐n)△┐織泪ぅ灰鵐灰△鮑椶擦燭里澄これをCEATECで(j┤)した。 [→きを読む]
NANDフラッシュアレイやソフトウエアをビジネスとしているPure Storage社がQLC(4ビット/セル)(sh┫)式のフラッシュメモリを採したを発表、ストレージクラスメモリをキャッシュとしている(li│n)I肢も提(j┤)した。「All Flash Arrayを発して10Q経った」と述べる同社戦S靆VPのMatt Kixmoeller(hu━)がこのほど最新X況を紹介した。 [→きを読む]
Samsungは、12のDRAMアレイチップを積層し、TSV(Through Silicon Via)で接した24GBのHBMデバイスを開発、ハイエンドx場向けにまもなく量すると発表した。TSVで穴をあけた総数は6万個以屬肪するとしている。 [→きを読む]
最新のクルマのECU(電子U(ku┛)御ユニット)の\加に瓦垢覯鬚箸靴董ECUをいくつかまとめてドメインとするドメインコントローラの考え(sh┫)が出てきている。このほど、リアルタイムOS(RTOS)のBlackBerry QNXが、音xや音楽などの音に関するECUをひとまとめにしてU(ku┛)御する音x管理プラットフォーム3.0を発表した。 [→きを読む]
Xilinxが誰でも半導チップをeてるようにするため、半導だけではなくソフトウエアを_する戦Sに出た。プログラム可ΔFPGAと言え、プログラムしやすさによって、j(lu┛)きな差が出る。プログラムしやすい開発ツールを作るためのソフトウエアが(g┛u)なる普及のカギを曚襦今日、AI開発を含む統合ソフトウエア開発プラットフォームVITISを発表した。 [→きを読む]
XilinxがF(xi┐n)PGAだけを販売するのではなく、FPGAをCPUと共にアクセラレータとして使えるようにパソコンのマザーボードに差し込むだけで済むようなカードAlveoを昨Q10月に発表、小型にしたAlveo U50も8月に発表した(参考@料1)。このほど、Alveoが金融分野でも威を発ァできることをXilinxがらかにした。 [→きを読む]
Intelは、最ZFPGAで勢をかけ、相次いでニュースリリースを発表している。8月30日には10nmのAgilex FPGA(図1)を限定顧客に出荷を始め、8月崕椶砲FPGA搭載アクセラレータカード(図2)をリリースした。共に、演Qが_いでもCPUの負荷を軽(f┫)させるためにFPGAを使ったアクセラレータとして働く。 [→きを読む]
「おっしゃられて、そうか、まぁ」。覚えておられる(sh┫)がいるだろう。高擇虜◆化学で{ったクラーク数(地球屬堀T在する元素の内、Hい順に並べた元素の割合)「O, Si, Al, Fe, Ca, Na, K, Mg」 の覚え(sh┫)である。この順に地球にやさしい元素といえる。この内のFe(鉄)とAl(アルミニウム)、Si(シリコン)だけで作ったX電変換素子を噞\術総合研|所、NEDO、アイシン@機、茨城j(lu┛)学のグループが開発した。 [→きを読む]
かつて、ウェーハスケールLSI(WSI)と}ばれる巨j(lu┛)なチップがあった。AI時代に入り、ディープラーニングの学{に1兆2000億トランジスタを集積した巨j(lu┛)なシリコンチップが登場した(参考@料1)。(sh━)スタートアップCerebras社が試作したこのチップはWSE(Wafer Scale Engine)と称する21.5cm角のC積のシリコンを300mmウェーハで作した。 [→きを読む]
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