Samsung、DRAMアレイを12��TSVで積層、24GBのHBMをまもなく量��へ
Samsungは、12��のDRAMアレイチップを積層し、TSV（Through Silicon Via）で接��した24GBのHBMデバイスを開発、ハイエンド�x場向けにまもなく量��すると発表した。TSVで穴をあけた総数は6万個以�屬肪�するとしている。
図1 Samsungが開発したHBMメモリは12��をTSVで接�� 出�Z：Samsung
これまでは8��のDRAMチップをTSVでつないだHBM2����はあったが、12��はこれが初めてという。12���_ねてモールドでパッケージングしてもパッケージの厚さは、��来の8��構成と同じ720µmにとどめた(図1)。量�桵のHBM2����は1��が8Gビットのメモリ容量で8���_ねた8GBだったが、今�v開発したHBMは1��が16Gビットのメモリで12���_ねて24GBとなる。
このメモリセルアレイは、最下層のアレイを経て、プリント�v路基��の裏�笋房��△垢襯瓮皀螢灰鵐肇蹇璽蕕砲弔覆�(図2)。ワイヤボンドで接��する場合に比べ、配線経路がぐんと�](m└i)くなりメモリは高�]にアクセスできるようになる。メモリアレイへのアクセスはコントローラを通して行う。
図2 DRAMセルアレイを12��積層しアクセスはプリント版の裏�Cに設けたメモリコントローラから行う 出�Z：Samsung
Samsungはメモリではもはやムーアの法�Г�成り立たず、3Dで集積度を�屬欧襪靴�ないとして、3D-TSV�\術によるDRAM開発を進めている。HBM��(sh┫)式はメモリ容量とアクセスするバンド幅を広げるという二つの効果があり、これからのDRAMはHBM��(sh┫)式に向かうようだ。まずはデータセンターを中心とするHPC（High Performance Computing）とAIプロセッサ周りのハイエンド����にHBMを使う。ただし、SamsungはHBM2.5なのかHBM3なのか、��らかにしていない。
HBMではメモリコントローラがカギを��(┐i)る。HBMのメモリコントローラを設��しているファブレスのNorthwest LogicをRambusが�A収して�}に入れ、HBMをRambusが販売できるようになった。RambusはNorthwestのメモリコントローラを設��し、���]はSamsungなのかTSMCなのか、Rambusの�T向にかかっている。
参考�@料
1. Samsung Electronics Develops Industry’s First 12-Layer 3D-TSV Chip Packaging Technology
