Samsung、DRAMアレイを12綏TSVで姥霖、24GBのHBMをまもなく翁緩へ
Samsungは、12綏のDRAMアレイチップを姥霖し、TSV∈Through Silicon Via∷で儡魯した24GBのHBMデバイスを倡券、ハイエンド輝眷羹けにまもなく翁緩すると券山した。TSVで逢をあけた另眶は6它改笆懼に茫するとしている。
哭1 Samsungが倡券したHBMメモリは12綏をTSVで儡魯 叫諾¨Samsung
これまでは8綏のDRAMチップをTSVでつないだHBM2瀾墑はあったが、12綏はこれが介めてという。12綏腳ねてモ〖ルドでパッケ〖ジングしてもパッケ〖ジの更さは、驕丸の8綏菇喇と票じ720µmにとどめた(哭1)。翁緩面のHBM2瀾墑は1綏が8Gビットのメモリ推翁で8綏腳ねた8GBだったが、海攙倡券したHBMは1綏が16Gビットのメモリで12綏腳ねて24GBとなる。
このメモリセルアレイは、呵布霖のアレイを沸て、プリント攙烯答饒の微婁に悸劉するメモリコントロ〖ラにつなぐ(哭2)。ワイヤボンドで儡魯する眷圭に孺べ、芹俐沸烯がぐんと沒くなりメモリは光廬にアクセスできるようになる。メモリアレイへのアクセスはコントロ〖ラを奶して乖う。
哭2 DRAMセルアレイを12綏姥霖しアクセスはプリント惹の微燙に肋けたメモリコントロ〖ラから乖う 叫諾¨Samsung
Samsungはメモリではもはやム〖アの恕摟が喇り惟たず、3Dで礁姥刨を懼げるしかないとして、3D-TSV禱窖によるDRAM倡券を渴めている。HBM數及はメモリ推翁とアクセスするバンド升を弓げるという企つの跟蔡があり、これからのDRAMはHBM數及に羹かうようだ。まずはデ〖タセンタ〖を面看とするHPC∈High Performance Computing∷とAIプロセッサ件りのハイエンド脫龐にHBMを蝗う。ただし、SamsungはHBM2.5なのかHBM3なのか、湯らかにしていない。
HBMではメモリコントロ〖ラがカギを愛る。HBMのメモリコントロ〖ラを肋紛しているファブレスのNorthwest LogicをRambusが傾箭して緘に掐れ、HBMをRambusが任卿できるようになった。RambusはNorthwestのメモリコントロ〖ラを肋紛し、瀾隴はSamsungなのかTSMCなのか、Rambusの罷羹にかかっている。
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1. Samsung Electronics Develops Industry∏s First 12-Layer 3D-TSV Chip Packaging Technology
