Infineon、ソーラーと蓄電システムにSiC�x場を拡�j
SiのIGBTよりも価格が1桁高く、�x場調�h会社の予�Rは毎�Q後送りになるほど外れてきたSiCパワーMOSFETだが、蓄電池との組み合わせでソーラーパネルのDC-DC/DC-ACコンバータなどでじわじわと広がり始めた（図1）。SiCのメリットは高耐圧、高周�Sであり、����の小型化のメリットが最も�jきい。なぜソーラーのような�jきな設�△任眈�型化が��要なのか。 [→��きを読む]
�\術分析
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Nokia、日本のモノづくりに5Gのターゲットを��く
Nokiaが東�B広�_のフィンランド�j使館でConnected Future 2020を開��、日本におけるローカル5Gへの期待とエコシステムの�_要性を述べた。ローカル5Gは、IoTと組み合わせて工場や港湾、倉�Uなど広い場所で機械や機�_をつなぎ、�攵掚を�屬欧茲Δ箸いΧ\術である。 [→��きを読む]
Keysight、横からの飛び出しも�h価する79GHzドップラーレーダー�R定�_
���R�_メーカーのKeysight Technologyは、�����颪箸燐{�`を�Rるクルマ��ドップラーレーダーの�R定�_を拡充した。これからの79GHzのドップラーレーダーをテストするために3�瓦量祇�リモートヘッドを設けている。リモートヘッドは、�{�`をフレキシブルに変えられるヘッド1個と�{�`を�w定したヘッド2個からなり、横からの飛び出しを�h価できる。 [→��きを読む]
Arm、�啻蟯愿纏劵瓮皀蠕賁腓�IPベンダーをスピンオフ
ArmのメモリIP�靆腓�独立、スピンオフしてCerfe Labsを設立した（参考�@料1）。Ce（Correlated Electron）RAMと�}ぶ、�啻蟯愿纏��Uの材料を使った不ｧ発性RAMのメモリIPを提供する。これまでのArmと同様、IPベンダーとしてのビジネスを行う。�啻蟯愿纏��Uとは、電子が単独で動作するのではなく、電子同士が相関を保ちながら挙動する材料。 [→��きを読む]
ニューノーマルなタッチレス時代に威��を発ｧする60GHz帯のミリ�S�\術
Infineon Technologiesが60GHzのミリ�Sレーダーを使って、タッチレス応��を�t開し始めた。60GHz帯は日本でも認められたミリ�S周�S数帯。帯域が7GHzと広く�Dれるため、�����颪箸燐{�`を分解��2cm��度で�R定できる。タッチレスで人間の心臓や肺の動きを検出できるため、リモートで医師が患�vを����できる。 [→��きを読む]
ON Semiの�Z載��CMOSセンサがスバルの新型レヴォーグに搭載
�Z載��CMOSイメージセンサでトップを走るON Semiconductorが、ダイナミックレンジ120dB、画素数2.3MピクセルでLEDフリッカ低��機�Δ鮴澆韻�CMOSイメージセンサ(図1)を量�凮始したかと思うと、スバルの新型「レヴォーグ」に搭載されたことを��らかにした。このCMOSセンサが開発されたのは5�Q�i。�Z載に乗る時期はむしろ早いくらいだ。 [→��きを読む]
5700ものICモデルを�Dり込んだPSpiceをTIが無償で提供
Texas Instruments (TI) はIC����とリンクした電子�v路シミュレータ「PSpice for TI」をリリース（図1）、ダウンロード可�Δ砲覆辰�。電子�v路設���vは、無料でダウンロードできるこのツールを使って、電子�v路を予めコンピュータシミュレーションできるため、����の�x場投入を�]縮できる。 [→��きを読む]
新型コロナの�~無を15分で検�hできる光センサ�\術をamsが開発
オーストリアの中��半導��メーカーamsが新型コロナウイルスの感��を調べる検�hをわずか15分で済ませられるセンサとそのソリューション�\術を開発した。通常なら2~3日かかるPCR検�hを同じ日に�T果がわかるという検�h�\術であり、光半導��センサと読み�Dり�\術によるものだ。 [→��きを読む]
ストレージのそばでデータ解析可�Δ�Arm Cortex-R82
Armは、リアルタイムCPUの64ビット版、Cortex-R82を開発した。コンピュータシステムのストレージからデータを�}び出して���Qする����を狙ったもの。Cortex-RシリーズはリアルタイムCPUという位��づけのIPコア。Cortex-R82ではCPU�v路を8コア搭載、ニューラルネットワークの演�Q向けにNeonプロセッサも内�鼎靴討い�。 [→��きを読む]
SiCパワーMOSFETの新�x場は���]充電スタンド
![SiCパワーMOSFETの新�x場は���]充電スタンド](/assets_c/900px/200908-sicmosfet.png "SiCパワーMOSFETの新�x場は���]充電スタンド")
パワー半導��のSiCがコスト高の点でその採��が��れている。SiC パワーMOSFETは��高電圧����などですでに使われているが、電気�O動�Z（EV）にはコスト高でインバータにはまだ採��されていない。量��という点でSiCの��世主となりそうなのが、EV��の���]充電�_での採��だ（図1）。���]充電�_はクルマに搭載したバッテリパックに高圧をかけて電荷を電池に送り込む。 [→��きを読む]
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