TI、GaN-on-Si�\術でドライバと保護�v路を集積したパワーICを?y┐n)����?/h2>
Texas Instrumentsは、ドレイン-ソース耐圧600V/650VのGaN HEMTパワートランジスタにドライバ�v路や保護�v路を集積した����を発売した(参考�@料1)。電気�O動�Z（EV）のオンボードチャージャーやDC-DCコンバータに使えば��来のボードよりも50%サイズを小さくできるとしている(図1)。ただし、インバータを動かすような�j(lu┛)電������ではない。
図1 GaNパワー����のオンボードチャージャーやDC-DCコンバータなどへの搭載を狙う 出�Z：Texas Instruments
新����「LMG3525R030」は、GaN HEMTパワーパワートランジスタに、ドライバ�v路や��(c┬)電流や加�X(qi│n)を防ぐための保護�v路を集積している。いわばGaN on Si�\術を使っている。�a(b┳)度センサやゲートを�~動するためのドライバ段�v路をシリコン�陲�担当し、GaNパワートランジスタ�霾�とは分�`しているという。パワートランジスタとドライバアンプ・保護�v路とは、Co-package（�kつのパッケージ）に入れている、と同社高電圧パワー�靆�GaN����マネージャーのSteve Tom��(hu━)（図2）は述べている。パワートランジスタの��性は、最も低いオン�B(ni┌o)�^が30mΩで耐圧650Vの����である。パッケージは、12×12mmのQFN。最�j(lu┛)4kWの電��を扱える。
図2 Texas Instruments社高電圧パワー�靆�GaN����マネージャーのSteve Tom��(hu━)
GaNトランジスタは入��と出��の内�陬�ャパシタンスが小さくなるため高�]スイッチングができる。このため、電源�v路でのコイルLやキャパシタ（コンデンサ）Cを小さくできるというメリットがある。スイッチング��失と導電��失、逆�v復の��失などが小さいため、DC-DCコンバータやAC-DCコンバータ、��率改���v路などの電��効率を�屬欧襪海箸�できる。最�j(lu┛)99%が可�Δ世箸いΑ�
このGaN-ICは、クルマ��だけではなく、5G通信基地局のサーバーやデータセンターなどの電源にも使えるとして、AC-DCコンバータのPFC（��率改���v路）や高圧コンバータなどに使っても効率は99%だという。�h価ボードも充実しており、この����を搭載したドーターカードLMG3525EVM-042には、650V、30mΩのGaN HEMT2個で構成されたハーフブリッジに加え、パワートランジスタに印加するバイアス�v路やロジック/電源レベルシフト�v路も搭載している。
ただし量����は600VのGaN HEMT����4�|類で、1000個�p�R時の単価は8.34ドルから14.68ドルまで。それぞれの�h価ボードは��て199ドル。GaNパワートランジスタの普及を加�]させそうだ。
参考�@料
1. �Z載機�_(d│)向けに、ドライバ、保護�v路や�ζ暗�な電��管理機�Δ鮟言僂靴振板c初のGaN FET����ポートフォリオを発表
