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オーストリアのアナログ半導��メーカーamsは、機械的なセンサから光を�W��するイメージセンサ、化学センサに至るまでさまざまなセンサとその応��に��化することに舵を切り��えた。センサ単��だけではなく、センサとのインタフェースICやアルゴリズムなどソリューションまで�}を広げている。工業��イメージセンサの責任�vであるDIV Image Sensor SolutionsのシニアVP兼GMのStephane Curral��が最�Z来日、その狙いを聞いた。 [→��きを読む]
IntelとMicronが3D-NANDフラッシュをそれぞれが独�Oに開発と販売を進めるとしたのはほんの数カ月�i。このほど再び共同開発することを表��した。それも4ビット/セルで96層の3D-NANDの開発である。単位�C積当たりのビット密度は最も高い��争��のあるチップとなる。 [→��きを読む]
Nvidiaは単なるファブレス半導��メーカーにとどまっていない。AI（デ��ープラーニング）やHPC（高性�Ε灰鵐團紂璽謄�ング）のマシンを設��するコンピュータメーカーでもある。最�咾�GPUであるTesla V100（図1）を使いこなす。AIでは学�{だけではなく推�b��にGPUを動かすための推�bソフトウエアTensorRTの新バージョンも開発した。�O動運転��プラットフォーム、IoT��の推�bアクセラレータも提供する。こんな�eが浮かび�屬�る。 [→��きを読む]
ロームはSiCパワー半導��に��を入れてきたが、SiC MOSFETのデータセンターの無停電電源やソーラー発電をはじめとして電源��を中心に出荷が�\えている。2020�QごろからのEV（電気�O動�Z）����の拡�jに向け、これまでの工場では間に合わなくなることから、九�Δ涼涕綛�場（図1）にSiCデバイスの6インチラインを�\設する。 [→��きを読む]
ルネサスエレクトロニクスは、さらなる排ガス���U/低�\�Jに�官�し、コネクテッドカー向けのセキュリティと�j容量フラッシュメモリ容量、そして機���W��のASIL-Dに��拠し�O動運転に向けた、マルチコアマイコン「RH850/E2xシリーズ」(図1)を開発、サンプル出荷を始めた。これは28nmプロセスで設��したフラッシュマイコン。 [→��きを読む]
磁気スピンの向きで1、0を判別するSTT-MRAMが今�Q��から�k気に加�]しそうだ。Samsung Electronicsのファウンドリ�靆腓�、ファウンドリのGlobalFoundriesは2018�Q��に組み込みMRAM（eMRAM）のリスクプロダクションを開始すると東���j学主��のCIES（Center for Innovative Integrated Electronic Systems）Technology Forumで発表した。 [→��きを読む]
家庭内のWi-Fi機�_が数�会�もつなげられるようになる。QualcommがWi-Fiメッシュネットワークに��を入れ始めた。このほど、スマートホームのWi-Fiルータを作れるメッシュネットワークを構成するリファレンスデザインを日本でも提供する。さらにメッシュネットワーク信頼性を確保するためWi-Fi- SON�\術も開発した。 [→��きを読む]
クルマをインテリジェントにする場合でも最終的には、アクチュエータを動かすモーターにつながる。そのためのパワートランジスタやICの�x場としてもカーエレクトロニクス�x場は�jきい。ヘッドランプ/テールランプ��LEDドライバや電源IC、小型モータドライブIC、充電ICなどもパワーICも��躍する。パワー関係もいくつか�Rってみる。 [→��きを読む]
Micron Technologyは64層の3D-NANDフラッシュメモリを搭載したSSD「Crucial MX500」を発売した。ストレージ容量は250GBから2TBまで4�|類(図1)。Micronの3D-NANDはIntelと共同開発した、浮�^ゲート型のメモリセル構�]を�eつ。東��やSamsungがMNOS構�]を採��したのとは�款氾�。SSDとしての工夫も�Hい。 [→��きを読む]
TSV（Through Silicon Via）を使い、シリコンチップを積み�_ねて配線電極を楉未気擦�3次元ICは、TSV工��のコスト高が問��でなかなか普及しなかった。これまでDRAMセルアレイチップを積み�_ねた3次元ICであるHBM（High Bandwidth Memory）は、ハイエンドのHPC（High Performance Computing）分野でしか使われなかった。それがパソコンレベルに�Tりてきた。 [→��きを読む]
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