図1　ロームの子会社であるローム・アポロ筑後工場の��画図

ローム子会社のローム・アポロ社は、図1のような新棟を建設する��画だ。地��3階建て、��べ�o�C積約11,000m2になる。��工は2019�Q2月の予定で、�A工が2020�Q12月を予定している。�J�Tの工場はまだ4インチラインが中心であり、このラインをいずれ6インチへグレードアップするとしている。

SiC半導��は、ダイオードは構�]が単純であるため、ロームは2010�Q4月にダイオードの量��を開始した。SiCショットキダイオードは、�H数キャリア素子だけに��にオンからオフへのスイッチングの��失が��来のSi 高�]pinダイオードと比べ圧倒的に少ない。ロームはSiCショットキダイオードを量�凮始以来、��実に�攵盋を�\やしてきた。しかも��合と比べ、直�`�B�^が低く、順電流を�jきくとれるというメリットがある。順�妓�電圧VFは他社と変わらないが、電流を�jきく流せる。例えば、SCS310Aの例では、これまでの����では順�妓�電圧VFが2Vで10Aしか�Dれなかったのに�瓦靴董�同じ電圧で18A�咾泙覇Dれる。その差は、ロームが�T晶のインゴットから���]しており、��にエピタキシャル成長�\術で�k日の長があるという。エピ成長と研磨がカギだとしている。

ロームは、2014�QからSiC MOSFETを出荷し始めており、これも徐々に�\えているとしている。データセンターの無停電源（UPS）やFA/�噞機�_��の電源などに入り始めている。最�Zはサーバ��の電源の��要が�Hいという。UPSにSiCを採��すれば、高周�S動作が可�Δ覆燭瓮灰ぅ襪肇灰鵐妊鵐気鮠�さくでき、Siよりも高�a動作可�Δ覆燭瓠�空冷にせよ水冷にせよ放�Xフィンの小型化や冷却システムの小型化が図れるため、コンピュータラックスペースが削��され、ブレードサーバーを�{加できる。例えば、800V入��で5kWのDC-DCコンバータの例では、Si IGBTでは最�j効率が96%（��失4%）だったが、SiC MOSFETを使えば98.1%（��失1.9%）に�屬�った。このためSi IGBTでは最�j3.3kWだったがSiCモジュールだと最�j5kWまで��容できる。逆に出��を同�kにすると��積は1/7．�_量は1/5になると見積もっている。この時の5kWのDC-DCコンバータの��積は12cm×18cm×12.5cmと小さい。

このため電源����のコストは、SiCによってむしろ下げることができるという情報もある。SiCトランジスタだけではまだ1桁高いが、トータルシステムコストでは�Wくなる。データセンターではメリットがはっきりしてきたためSiC化は立ち�屬�り始めている。�O動�Z��には欧�Δ鬚呂犬瓩箸垢觜盖蛉Zメーカーから要求が来ているが、�j量に使われるのはまだ先になりそうだ。

新工場はSiC�T晶の6インチウェーハラインが主��となり、�攵�プロセス����は8インチウェーハも�Dり扱えるようになっているという。現在は6インチの��要には応えられない�X況だが、今�Qの下期には6インチの�攵盋を�\やしていきたいとしている。

ロームは2009�Q7月にドイツのSiC�T晶メーカーSiCrystal社を�A収し、�T晶成長を�O�iで行っている総合SiCメーカーだ。それでもデバイス���]では、内��ウェーハに加えて外�陲�らも�P入しているという。サプライチェーンのリスク分�gのためだ。

ロームはチップとモジュールを����化しているが、モジュールはSiC開発当時モジュールメーカーがチップを�Aってくれなかったために作ったのだという。これからはSiCの立ち�屬�りにより、チップに��を入れていく。StarPowerやSemikron、Powersem、DanfossなどのSiCパワーモジュールメーカーにチップ売りを進めていくためだという。