寥み哈みMRAMを海鉗瑣にファウンドリ2家が欄緩倡幌
姬丹スピンの羹きで1、0を冉侍するSTT-MRAMが海鉗瑣から辦丹に裁廬しそうだ。Samsung Electronicsのファウンドリ嬸嚏と、ファウンドリのGlobalFoundriesは2018鉗瑣に寥み哈みMRAM∈eMRAM∷のリスクプロダクションを倡幌すると澎頌絡池肩號のCIES∈Center for Innovative Integrated Electronic Systems∷Technology Forumで券山した。
哭1 Samsung Electronicsファウンドリ禍度嬸、LSI PA Teamの儉朗エンジニアのYong Kyu Lee會
寥み哈み脫のMRAMは、まず8Mビットという井推翁から睛脫步するには、鎳紊い推翁であり、寥み哈み廢ではプログラムメモリとデ〖タメモリとしても蝗えるレベルであることを雇胃したもの。Samsungはその脫龐をマイコンとIoT、そしてグラフィックやデ〖タバッファなどのバッファメモリという3つを鱗年している、と票家ファウンドリ禍度嬸、LSI PA Teamの儉朗エンジニアのYong Kyu Lee會は臘妄した。そしてeMRAMを今き垂え攙眶の驢い光廬の稍帶券拉メモリと疤彌燒けている。
GlobalFoundriesは、ウェアラブルIoT、極瓢賈エレクトロニクスが輝眷として賂哼し、MRAM帽攣ではデ〖タセンタ〖も晾えるとする。票家のEmbedded Memory-CMOS Platforms Business UnitのバイスプレジデントのDave Eggleston會∈哭2∷は、この面でもeMRAMの睛脫步が呵も玲く、そのあとにデ〖タセンタ〖羹けが判眷するとみる。呵介の箕袋は2018鉗瑣だとしている。
哭2 GlobalFoundries家 Embedded Memory-CMOS Platforms Business UnitのバイスプレジデントのDave Eggleston會
附哼のMRAMの悸蝸は、粕み叫し、今き哈み鼎25nsであり、セルサイズはNANDフラッシュと票じだが、今き哈み廬刨が暗泡弄に光い。リテンションは10鉗(慨完拉裁廬活賦からの斧姥もり)、粕み叫し/今き哈みのサイクル∈エンデュアランス∷は10の8捐笆懼となっており、NANDフラッシュよりも拉墻弄には畝えている。辦數、廬刨の爬ではSRAM事みだがMRAMは傅」稍帶券拉であり久銳排蝸が警ないため、SRAMよりもさらに你い。裁えてセル燙姥がSRAMの1/3笆布と井さいため、コスト弄に銅網である。
eMRAM、毋えばマイコンに寥み哈む脫龐では、フラッシュマイコンと孺べ、光廬今き哈み、今き垂え攙眶の驢さ、光廬の彈瓢箕粗などがフラッシュマイコンよりも銅網であり、マスク綏眶もフラッシュと孺べ3綏納裁するだけで貉む、とSamsung のLee會はいう。
Samsungは28nmFD-SOI禱窖を蝗ったeMRAMを125°C光補瘦瓷と10鉗粗のリテンション(瘦積)を瘦沮した瀾墑を侯るプロセスを澄惟し、18鉗瑣にリスクプロダクションに掐るとしているが、これまでもNXP Semiconductorと28nmFD-SOIプロセスのeMRAMのテストチップを倡券してきたことがベ〖スになっている。2016鉗のIEDMで28nmバルクCMOSプロセスの8MビットMRAMを券山しているが、海攙のフォ〖ラムでは28nmFD-SOIの8MビットMRAMを券山した。
スピンが極統に瓢く動姬拉亨瘟と、スピンを蓋年した姬拉亨瘟をトンネル煥步遂でサンドイッチした菇隴のMRAMは翁緩碰箕、トンネル煥步遂のショ〖ト稍紊が驢かったという。しかし、瀾隴しているうちに殊偽まりが懼がる漿較妒俐に捐って海は90%笆懼の殊偽まりを澄瘦できるようになったとLee會は揭べる。これにより、150°Cでの光補瘦瓷活賦や115°Cでの光補瓢侯活賦、105°Cでの瘦積(リテンション)活賦をそれぞれ1000箕粗しても稍紊が叫ず圭呈するようになった。今き垂えのエンデュアランス活賦は85°C、25°Cとも100它攙をパスしている。
28nmのFD-SOI MOSFETのバルクやFinFETと孺べ、fmax∈パワ〖ゲインが1となる件僑眶∷、fT∈排萎籠升唯hFEが1となるときに件僑眶∷鼎、甲們件僑眶は光い。このためRFやアナログ攙烯に羹くとLee會は咐う。またバッファメモリとして寥み哈みフラッシュと孺べ、光廬であり、久銳排蝸は井さいが、リテンションとエンデュアランスを呵努步する澀妥があるとして、その豺瘋忽も績している。
GFのEggleston會は、MRAMが攻まれそうな尸填は2つあり、リテンション潑拉を腳渾するフラッシュに擊た脫龐∈-F∷であり、もう辦つは廬刨弄に銅網なSRAMのような脫龐∈-S∷だという。呵介に-F脫龐、肌に-S脫龐になろうとみる。
またマイコン脫龐は票じだが、IoT脫龐では、RFのIPも澀妥となるが、この脫龐では、eMRAM+RF+FD-SOI=キラ〖コンビネ〖ションだと肩磨する。なぜか。IoT脫マイコンの士堆弄な蝗脫覺輪を尸老したところ、瓢侯の66%が略怠覺輪、13%が浮叫、11%が奶慨、遍換や彈瓢が10%という馮蔡だった。つまり略怠箕の排蝸が鏈攣の排蝸に端めて絡きく焊寶する。だから稍帶券拉メモリが澀妥、という條だ。eMRAMはスリ〖プ覺輪からの惟ち懼がりが端めて廬いため、IoTにぴったりの脫龐といえそうだ。
AI炳脫では、薔の菇隴を簍郝に冉們する箕と、ゆっくり雇える箕の尉數を積つとして、客粗が跑っているときは簍郝の炳批に陵碰し、部かを紛換しているときはゆっくり炳批にあたるという塑を疽拆、eMRAMの炳脫も、簍郝=リアルタイム瓢侯としてIoTやマイコン、ゆっくり瓢侯は賴澄さを績しデ〖タセンタ〖に陵碰するとした。簍郝は夸俠、ゆっくりは池漿とする。デ〖タセンタ〖ではメモリ推翁は不澀妥であり、かつ瓢侯廬刨は廬いSRAMのようなeMRAM-Sベ〖スのアクセラレ〖タなどの脫龐を鱗年している。
SamsungがNXPをパ〖トナ〖としていたことに灤して、GFのパ〖トナ〖はMRAM禍度に徊掐したベンチャ〖の勢Everspin家だ。256MビットのMRAM瀾墑を翁緩しており、1Gビット墑をサンプル叫操しているという。
eMRAMの腮嘿步は10nmまではシミュレ〖ションで瓢侯を澄千しているとGFのEggleston會は揭べており、7nmまでは乖けそうだという炊卡もあるという。
