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VLSI Sympo、投�M数・採�I数とも最�H級、Technologyの採�I�b文は�f国トップ

2024年4月26日｜会議報告（プレビュー）

VLSI Symposium（�式�@称：2024 Symposium on VLSI Technology and Circuits）2024の�要が�まった。今�vの��長は、投�M�b文数、採��b文数ともここ10�Qで最も�Hいことだ。��に�f国からの採��b文が最も�Hく、Technology、Circuitsを合わせた�採��b文232�Pの内、54�Pと��櫃汎運瑤砲覆辰拭平�1）。次に�Hいのが中国（37�P）、そして欧�Α�36�P）、�湾（26�P）、日本（18�P）、シンガポール（8�P）、インド（1�P）となった。 [→�きを読む]

Micron、232層でQLC（4ビット/セル）のNANDフラッシュSSDを量�開始

2024年4月25日｜�\術分析（半導��）

Micron Technologyは、512GBから2TBまでの容量を�eつ、クライエントSSD（半導��ディスク）「Micron 2500　NMVe」のサンプル出荷を開始した。このSSDには232層でQLC（Quad Level Cell）を�eつNANDフラッシュ（図1）を搭載している。また、このNANDフラッシュを搭載した企業向けストレージ顧客向けの「Crucial SSD」は量�を開始した。 [→�きを読む]

AIST Solutions、半導��ICの�c主化を進めるOpenSUSIを設立

2024年4月23日｜�業分析

�業�\術総合研�|所が日本版「半導��ICの�c主化」プロジェクトを進めていることがわかった。�総研の総責任�vである理�長の石�和�}��平�1）は、�総研が開発した�\術を社会実�△靴得い涼罎量鬚卜�燭擦茲Δ箸い�倪�改革を�任以来進めてきた。2023�Q設立したAIST Solutionsは社会実�△寮萋�頏�。2024�Q4月には半導��ICの開発に向けて「OpenSUSI」を設立した。これこそ半導��の�c主化を狙った組�Eである。 [→�きを読む]

TSMCの2024�Q��1四半期に見る半導��x況の�v復

2024年4月22日｜週間ニュース分析

半導��業の景気を�う指�Yの�kつでもあるTSMCの2024�Q��1四半期（1～3月期）の��Qが報告された。売�幢Yは�i�Q同期比16.5%�\の5926.4億元となり、�W益も8.9%�\となり久しぶりに�\収�\益となった。半導��要の�v復はSIA（�殀焼��工業会）の数�Cにも表れている。またTSMCに�きSamsungのテキサス��傾�譴砲瞻��\金64億ドルが�У襪気譴襦� [→�きを読む]

2024�Q��1四半期の世�cスマホ出荷�数、7.8%成長の2億8940万�に

2024年4月19日｜�x場分析

世�cのスマートフォン�x場が2024�Q��1四半期（1～3月期）には、�数ベースで3四半期連�、�i�Q同期比でプラス成長になり、�i�Q同期比7.8%�\の2億8940万�と�\えた。最も�Hくのスマホ�数を出荷したのはSamsungで、�i�Q同期比0.7%�の6010万�、2位はAppleで同9.6%�の5010万�となった。発表したのは�x場調�h会社のIDC（参考�@料1）。 [→�きを読む]

Infineon,SiCのセルの微細化、新ダイボンディング�\術で性�Α��蠕④鮓��

$Infineon,SiCのセルの微細化、新ダイボンディング�\術で性�Α��蠕④鮓��$

2024年4月18日｜�\術分析（半導��）

Infineon Technologiesは、��2世代のトレンチ構�]のSiC パワーMOSFET「CoolSiC MOSFET G2」を3月に発表していたが、このほどその詳細について��蕕�砲靴�。このG2（��2世代）では、オン�B�^を1桁ミリオームに下げると共に、�X�B�^を12%�らし電流容量を�屬欧��は650Vと1200Vの2�|類で、パッケージもピン�U入型と表�C実��燭鮹��Tする。G2でパワーMOSFETのチップ設�から見直している。 [→�きを読む]