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28nmの次のプロセスノードは、14nm FINFETか20nmプレーナか

28nmの次のプロセスノードは、14nm FINFETか20nmプレーナか

Mooreの法Г離謄ノロジーノードをスキップする動きが顕著になってきた。Alteraは、ハイエンドのFPGA SoCStratix、ミッドレンジのArriaを現在最先端の28nmプロセスで攵しているが、この次のプロセスノードをそれぞれ14nm FINFET、20nmプレーナCMOSと、変する疑砲鯣表した。@はいずれも10シリーズと命@している(図1)。 [→きを読む]

日本の半導]メーカー、世cでも顧客満B度依として高い

日本の半導]メーカー、世cでも顧客満B度依として高い

日本の半導]メーカーは世cx場で依、健hしている。VLSI Researchが行った半導]・検hj}の顧客満B度調hでは、日本企業が岼10社中6社をめている、と6月17日の日経噞新聞が伝えた。先週は、設関係のニュースが比較的集まっていた。また、NANDフラッシュの新x場SSDは爆発しそうな勢いだ。 [→きを読む]

LEAP、電源電圧0.37Vで動く2MビットSRAMを試作、ビット動作確認

LEAP、電源電圧0.37Vで動く2MビットSRAMを試作、ビット動作確認

NEDO(新エネルギー・噞\術総合開発機構)とLEAP(低電圧デバイス\術研|組合)は、0.37Vという低い電圧で動作するSOIのMOSFETを開発(図1)、2MビットのSRAMを試作し、その動作を確認した。この成果を6月11日からB都で開されている2013 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits(通称VLSI Symposium)で発表した。 [→きを読む]

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