SuVolta社、富士通にき、ARM、UMCとも契約、成長企業へ踏み出す

MOSトランジスタのゲートしきい電圧Vthのバラつきを本的にらす\術企業のSuVolta(スボルタ)社。このほど、ARMコアで高性Αδ秕嫡J電を実証、さらにUMCと28nmプロセスを共同開発することを発表した。この\術は、Vthバラつきを小さくできるため、電源電圧を下げ、消J電を削できる。 [→きを読む]
MOSトランジスタのゲートしきい電圧Vthのバラつきを本的にらす\術企業のSuVolta(スボルタ)社。このほど、ARMコアで高性Αδ秕嫡J電を実証、さらにUMCと28nmプロセスを共同開発することを発表した。この\術は、Vthバラつきを小さくできるため、電源電圧を下げ、消J電を削できる。 [→きを読む]
半導]が好調だ。SEAJが発表した5月のpRY・販売Y・B/Bレシオを見る限り(参考@料1)、今Qは峺きになりそうだ。SEAJは先週、2013〜2015Q度の日本半導]の見通しを発表、日本経済新聞も7月5日けでそのニュースを掲載した。先週はニコンが450mm向け開発のG450Cに参加するというニュースもあった。 [→きを読む]
ミニマルファブのプロジェクトが組E化され、昨Q12月のセミコンジャパンにおいて初めてのモックアップがtされた。今どこまで進tしたのか。その1vの報告会とも言うべき「ミニマルファブ・シンポジウム2013」が東B川で開された。 [→きを読む]
欧Δ100億ユーロの半導開発プロジェクトを発表、盜VLSI Researchは450mmウェーハの開発が300mmの時よりもずっと少ない金Yで開発できるというレポートを発表した。英国からも電子噞を主噞に育てようというレポートが出た。先端半導の開発画が欧櫃発になっている。 [→きを読む]
Silicon Laboratories社は、CMOS ICとMEMS振動子をモノリシックに集積したオシレータを化した。MEMSラストのプロセスで]、振動子としてSiGe薄膜をいたことでSiよりも機械的單戮咾、冷・Xや衝撃にも咾い燭瓠◆20ppmの周S数W定性を10Q間保証する。 [→きを読む]
SEAJ(日本半導]協会)が発表した、2013Q5月における日本半導]の1.17というB/Bレシオ(販売Yに瓦垢pRYの比)は、pRYが\えけている好調さをよく表している。昨Q10月をfとして、pRYはPびけ、5月には1Qぶりに1000億のjに乗った。 [→きを読む]
Mooreの法Г離謄ノロジーノードをスキップする動きが顕著になってきた。Alteraは、ハイエンドのFPGA SoCStratix、ミッドレンジのArriaを現在最先端の28nmプロセスで攵しているが、この次のプロセスノードをそれぞれ14nm FINFET、20nmプレーナCMOSと、変する疑砲鯣表した。@はいずれも10シリーズと命@している(図1)。 [→きを読む]
日本の半導]メーカーは世cx場で依、健hしている。VLSI Researchが行った半導]・検hj}の顧客満B度調hでは、日本企業が岼10社中6社をめている、と6月17日の日経噞新聞が伝えた。先週は、設関係のニュースが比較的集まっていた。また、NANDフラッシュの新x場SSDは爆発しそうな勢いだ。 [→きを読む]
UMCが10nmプロセスでIBMと協業すると6月13日に発表した。IBMの\術開発アライアンス(Technology Development Alliances)グループにUMCが参加し、10nm CMOSプロセス\術を開発する。 [→きを読む]
2013Qの半導設投@総YはiQ比2%\の325億ドルになりそうだ、という予RをSEMIが発表した。これはSEMIが5月に発行したWorld Fab Forecastレポートによるもの。このレポートは半導LSIだけではなく、LEDやオプトエレクトロニクスの工場もとしている。 [→きを読む]
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