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テキサスΔ半導噞に14億ドル\、メモリはHBM争に

テキサスΔ半導噞に14億ドル\、メモリはHBM争に

盜颪離謄サスΔ半導噞に14億ドル(約2300億)を\すると7月6日の日本経済新聞が報じた。Samsung電子は2024Q4~6月期の営業W益が10兆4000億ウォン(約1兆2100億)だったと発表した。メモリx況はv復しつつあり、SK Hynixは2028Qまでの5Q間に12兆を投@すると発表、キオクシアも新\術開発により2Tビットをサンプル出荷した。 [→きを読む]

Micronの最新Q報告からメモリx場のv復X況を瑤

Micronの最新Q報告からメモリx場のv復X況を瑤

先週、Micron Technologyの2024Q度3四半期(2024Q3〜5月)のQが発表された。これによると売幢Yは徐々に\加し始めており、営業W益は2期連プラスで、しかも\加向だった。メモリがv復している様子を瑤襪海箸できる。收AIへのUの検討が始まった。医データをAIで解析する企業をソフトバンクグループ(SBG)が設立する。 [→きを読む]

2023Q、SiCパワーデバイスのトップ5社ランキング

2023Q、SiCパワーデバイスのトップ5社ランキング

2023QにおけるSiCパワー半導のトップ5社ランキングが発表された。これによると1位のSTMicroelectronicsはiQと同様だが、onsemiがiQの4位から2位に浮屬靴。トップ5社でSiCデバイス販売Yの92%をめているという。これはx場調h会社TrendForceがらかにしたもの。SiCは電気O動Zで今後の発tが見込まれる。 [→きを読む]

ファブレス半導トップのNvidia、時価総Yで世c企業のトップに立つ

ファブレス半導トップのNvidia、時価総Yで世c企業のトップに立つ

櫂侫.屮譽紅焼トップのNvidiaの時価総YがMicrosoftをsいて世cのトップに立った。盜饂間18日のNvidiaの時価総Yは3兆3350億ドルとなった。これは石や金融などあらゆる噞を含めて位に立ったというT味だ時価総Yとは発行された株式総数に株価をXけたかけた数C。国内では理U子枠を設けて性\術vを\やす動きが出ている。 [→きを読む]

プリント基と半導が接Z、先端パッケージにRする陵HD

プリント基と半導が接Z、先端パッケージにRする陵HD

プリントv路基のソルダーレジストの最j}である陵曠曄璽襯妊ングスが半導分野に参入する。それも先端パッケージのインターポーザ\術への応を狙ったソルダーレジストとなる。ソルダーレジストはプリント基屬u色した`脂で、半導などのを接する金鐡填飽奮阿嶺てを保護するという役割をeつ。 [→きを読む]

湾IT主要企業、5月の業績が史嶌嚢發法半導は本格v復

湾IT主要企業、5月の業績が史嶌嚢發、半導は本格v復

長い不況トンネルをようやくsけられるようになった。2024Q5月における湾IT主要企業19社の売幢Y合がiQ同期比17.7%\の1兆3150億(約6兆3000億)となったと日経が伝えた。キオクシアや東も設投@\咾望茲蟒个靴。]も動き始め、9月11〜13日に都ニューデリーでSemicon Indiaを開する。 [→きを読む]

24Q1四半期ファウンドリランキング、中国勢が成長

24Q1四半期ファウンドリランキング、中国勢が成長

2024Q1四半期(1Q)におけるファウンドリのトップテンランキングに変Г見られた。トップのTSMCと2位のSamsungは変わらないが、iv5位の中国SMICが3位に浮屐iv3位のGlobalFoundriesが5位に落ち、順位が入れわった。10社では、i四半期比4.3%の291.7億ドルとなったが、いつものI要因による落ち込みによる。 [→きを読む]

Nvidiaの時価総Yが3兆ドルをえ、AIシフトが株式x場でも顕著に

Nvidiaの時価総Yが3兆ドルをえ、AIシフトが株式x場でも顕著に

先週、湾のxでComputex Taipei 2024が開かれ、通常の基調講演とは別に開日のi々日にNvidiaのJensen Huang CEOの基調講演が行われ、セミコンポータルでも報Oした(参考@料1)。j会中NvidiaはjきくR`を集め、時価総Yはピーク時で3兆ドルを突破した。日本でシャープ堺工場の跡地をめぐる提案が2社から出てきた。半導人材の育成も発化してきた。 [→きを読む]

Analog Devices、GaNパワーFETを~動するシリコンICでGaNv路設を容易に

Analog Devices、GaNパワーFETを~動するシリコンICでGaNv路設を容易に

Analog Devicesは、GaNパワーFETのゲートをドライブするためのシリコンのドライバICを2023Qに新として発売していたが、このほどその背景についてらかにした。GaNパワーFETはシリコンのパワーMOSFETと比べて、絶縁耐圧が10倍高く、電子‘暗戮2000cm2/Vsと高く高]動作に適している。k、高]すぎて使いにくい点もある。 [→きを読む]

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