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Infineon、300mmのGaNウェーハを開発、Siプロセスに期待

Infineon、300mmのGaNウェーハを開発、Siプロセスに期待

パワー半導j}のInfineon Technologiesが300mmのGaNウェーハを開発したと発表した。同社はSiCだけではなく、GaNデバイスも開発しているが、昨QカナダのGaN SystemsをA収したことで、GaN開発が加]した。GaNパワー半導は高]ゆえに高効率で、Si並みに低コスト、高耐圧という長をせeつ。 [→きを読む]

onsemiに見るサステナビリティ・脱カーボン戦S

onsemiに見るサステナビリティ・脱カーボン戦S

ESGや気t変動に瓦垢襯汽好謄淵咼螢謄は半導工場でも_要なテーマとなっている。パワー半導とセンサのonsemiは、2030Qまでに工場で使うエネルギーの50%を再擴Ε┘優襯ーに代えていく`Yをeち、脱カーボンにRし効率アップを`指している。このほど来日した同社シニアVPでCMO(Chief Marketing Officer)のFelicity Carsonにonsemiの脱カーボン戦Sを聞いた。 [→きを読む]

セミコン湾、3つの先端パッケージング\術がR`される

セミコン湾、3つの先端パッケージング\術がR`される

先週、セミコン湾がで開され、收AIがけん引する半導の先端パッケージング\術にR`が集まっている。日本からも九Δ会場でのセミナーを通じて、湾との半導協でアピールした。湾が日本に進出する湾企業をмqする。日本のAIプラットフォームをO動收するスタートアップのサカナAIにNvidiaが出@したと発表された。 [→きを読む]

絶好調Nvidia、最新四半期売幢YがiQ同期比2.22倍の300億ドルに

絶好調Nvidia、最新四半期売幢YがiQ同期比2.22倍の300億ドルに

先週のビッグニュースはNvidiaの業績発表だった。NvidiaのQ時期は2月から翌Qの1月までであり、2025Q度2四半期(2024Q5〜7月期)のQが8月29日(盜饂間)に発表された。売幢YはiQ同期比(YoY)2.22倍の300億4000万ドル、営業W益は、営業W益率62%の186.4億ドルとなった(図1)。YoYでは2.74倍と極めてjきい。 [→きを読む]

收AIが実証実xから現場へ提供、医現場での適始まる

收AIが実証実xから現場へ提供、医現場での適始まる

收AIの現場Wが始まっている。すでにPoC(実証実x)の段階は終わった。日本IBMは、ビジネスWの收AIやAIのWをさまざまな分野の顧客に提案してきたが、すでに現場Wをらかにできるレベルに達した。医現場の例を紹介する。日立作所も收AIをして顧客へのサービスを提供するビジネスを始めた。 [→きを読む]

の値屬欧加価値を売る、エイブリックの営業戦S

の値屬欧加価値を売る、エイブリックの営業戦S

2023Q6月にエイブリックの代表D締役社長執行役^に任した田中司。2024Q6月には、経営のプロであり、エイブリックの会長兼ミネベアミツミの専執行役^であった石合信が任され、田中社長はミネベアミツミの業執行役を引きき担っている。社長任から1Q経ち、エイブリックはどう変わったか。 [→きを読む]

キオクシア、東証へ崗譴鮨弌日経報じる

キオクシア、東証へ崗譴鮨弌日経報じる

キオクシアが東B証wD引所に株式崗譴鮨个靴拭△8月24日の日本経済新聞が報じた。同社のj株主はファンドの櫂戰ぅ鵐ャピタルと東で、キオクシアの崗豸紂∧气~株を段階的に売却する。また23日の日経は半導]j}が次四半期の見通しをD理した。TSMCのドレスデン工場の工式が行われ、AMDは湾南陲2拠点を新に設ける。 [→きを読む]

TI、POL電源モジュールを2.3mm×3mmのC積に小型化

TI、POL電源モジュールを2.3mm×3mmのC積に小型化

Texas Instrumentsは、POL(Point of Load)と}ばれる電源ICとして使う、出6Aの小型電源パワーモジュール「MagPack」を開発、サンプル出荷を開始した。出6AのDC-DCコンバータでさえ、jきさは2.3mm×3mm×1.95mm(高さ)とボードに実△垢C積が小さい。このためボードスペースを~効に使うことができる。 [→きを読む]

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