2009年11月 4日
|\術分析(デバイス設& FPD)
アマゾンの電子ブックである「キンドル」が盜颪嚢ツ瓦鶯けていることを反映して、FPD International 2009では、電子ペーパーがR`を集めた。キンドルのディスプレイを提供しているEインク社は、フリースケール・セミコンダクタ、セイコーエプソンなどのチップメーカーと提携しているだけではなく、ポーランドのMpicosys社のようなスマートカードのベンチャーなど、々とパートナーシップをTび、ビジネス拡jを図っている。
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2009年10月26日
|\術分析(プロセス)
10月24日からk般o開されたモーターショーにおいて、カーエレクトロニクスの専門メーカーであるデンソーはSiCのMOSFETをtした。ドレイン耐圧1200V、ドレイン電流は放Xフィンをけて100A度流せる。同社が作するSiCT晶のは群をsいていると言われている。なぜ、どうやって高なSiCT晶を作っているのか、デンソーにD材した。
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2009年10月23日
|\術分析(半導)
SoCビジネスは、1社で何もかも開発すべきデバイスではない。カスタマやサプライヤーとの協はLかせない。このほど、ルネサステクノロジは、同社のeつ32ビットプロセッサコアSHシリーズを使ったO動ZSoCを開発するため協パートナー組EであるSH-Naviコンソシアムの会^が2008Q度の54社から2009Q度には71社と\えた、と発表した。
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2009年10月20日
|\術分析(]・検h)
日本テクトロニクスは、アナログの周S数帯域が最j20GHz、サンプリングレート50Gサンプル/秒で、デジタルのタイミング分解80psと高]のミクストシグナルオシロスコープMSO70000シリーズを発売した。
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2009年10月19日
|\術分析(プロセス)
IMECが創立25周Qを迎えた。これまでの売り屬欧呂困辰肩屬りでやってきた。2009Q7月に新たにCEOに任したリュック・バンデンホッフにインタビューすると、最初からグローバルにやってきたわけではないという。何が成功した要因なのか、インタビューを通してその謎にってみた。
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2009年10月16日
|\術分析(デバイス設& FPD)
サンケン電気、ローム、富士通研|所などがGaNやSiCなどの高a動作可Δ淵僖錙FETをCEATECでtした。に、サンケン電気はGaNのノーマリオフ型2次元電子ガスFET(いわゆるHEMT構])とSiCのMOSFETの両気鵁tした。ロームもSiCのMOSFETをtし、来よりもいっそう低いオンB^を実現するためトレンチ構]を使った。
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2009年10月16日
|\術分析(]・検h)
世cトップのリソグラフィメーカーであるオランダのASMLがいよいよ狭まってくるプロセスウィンドウを最適化し、歩里泙蠅魍諒櫃任る統合的なリソグラフィ\術(Holistic Lithographyと}ぶ)についてSEMICON Westで発表していたが、このほど日本の9メディアにもo開した。これは45nm、38nm、32nm、22nmと微細化が進むにつれ狭くなるプロセスウィンドウに棺茲景里泙蠅魍諒櫃垢襪燭瓩料躪腑螢愁哀薀侫6\術である。
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2009年10月 5日
|\術分析(半導)
通信ICや高]RAMなどにRしてきたIDT(Integrated Device Technology)社がc敲野の啣修望茲蟒个靴拭このほどテレビ映気zにするビデオICとタッチパネルコントローラを化した。
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2009年10月 1日
|\術分析(半導)
英国スコットランドのウォルフソン・マイクロエレクトロニクスは、定格電流1.2AのDC-DCコンバータ2個と1.0Aを2個、さらに10個のLDO、1個の常時オンのLDOとU御v路を集積したパワーマネジメント(PM)IC、WM8320をサンプル出荷した。1.0Aの2個のコンバータを合わせると1.6Aを出するDC-DCコンバータができる。しかもフレキシブルに構成を変えられる。この狙いは何か?
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2009年9月29日
|\術分析(プロセス)
スイスに本社を構え、伊仏合弁のSTマイクロエレクトロニクスと櫂ぅ鵐謄襪箸旅臺朮饉劼任△襯縫紂璽皀縫スが、128Mビットの相変化メモリー(PCメモリー)を量する。現在、定ユーザーにエンジニアリングサンプルを配布中であるが、まもなくk般ユーザーにも配布できるようになる。90nmルールという実績のあるプロセスで設している。Qけには1Gビットも出したいとT気込んでいる。
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