ニュ〖モニクス、塔を積してPCメモリ〖をまもなく翁緩、90nmで128M墑から
スイスに塑家を菇え、八施圭售のSTマイクロエレクトロニクスと勢インテルとの圭售柴家であるニュ〖モニクスが、128Mビットの陵恃步メモリ〖∈PCメモリ〖∷を翁緩する。附哼、潑年ユ〖ザ〖にエンジニアリングサンプルを芹邵面であるが、まもなく辦忍ユ〖ザ〖にも芹邵できるようになる。90nmル〖ルという悸烙のあるプロセスで肋紛している。鉗湯けには1Gビット墑も叫したいと罷丹哈んでいる。
ニュ〖モニクスは、アイリ〖アクセスプログラムと鈣ぶ、システム肋紛莢やソフトウエア倡券莢のために呵糠攫鼠を捏丁するホ〖ムペ〖ジを惟ち懼げた。PCメモリ〖の呵糠攫鼠を捏丁する。海攙、128MビットPCメモリ〖に簇してはNDA∈Non-disclosure agreement∷を馮ぶことなく攫鼠を粕むことができる。
光補のリセットパルスでアモ〖ファスになり排萎は井さくなる
PCメモリ〖はカルコゲナイド馮窘亨瘟を締裁錢ˇ締武することでアモ〖ファス覺輪に恃え、亨瘟を萎れる排萎の恃步、すなわち鳥鉤の恃步を網脫して1、0を灤炳させるメモリ〖である。懼哭においてT機のメモリ〖セルのオレンジ咖嬸尸がカルコゲナイド亨瘟∈Ge2Sb2Te5∷、渦咖嬸がヒ〖タ〖である。それぞれの懼と布は懼嬸排端、布嬸排端で菇喇されており、排端粗に排萎を萎し締錢ˇ締武にすると輥い嬸尸で績したようにアモ〖ファスとなる。アモ〖ファスでは排萎は萎れにくいが、馮窘の覺輪にすると萎れるようになる。布哭のように粕み叫し排暗を0.5V笆柒に肋年すると、セット/リセットを冉侍できる。今き哈みにはVth笆懼の排暗を裁える。
アモ〖ファスのリセット覺輪ではしきい猛Vthを畝えるまでは排萎は井さい
今き垂え攙眶は悸蝸として10の15捐∈1000名攙∷鎳刨あると、ニュ〖モニクスˇジャパン EBGジャパン嬸墓の嘲懷絡搞會は咐う。悸狠には10の10捐∈100帛攙∷から1、0の鳥鉤猛がばらつき幌めるため、翁緩を雇えて10の8捐∈1帛攙∷を懼嘎と瘋めている。NANDフラッシュメモリ〖は1、0の升が井さくなっていくため、今き垂え攙眶は警ない。
今き垂えサイクルの悸蝸は1000名攙
アレニウスの裁廬活賦では、110☆で10鉗もつという馮蔡が評られている。寵拉步エネルギ〖は2.6eVもあり、昔步しにくいという飯羹を績している。
スケ〖リングのしやすさに簇しては、40nmピッチで１士數インチ碰たり∈6.45cm2∷0.4Tビット∈400Gビット∷、20nmピッチでは票1.6Tビット、14nmピッチでは票3.3Tビットだと斧姥もっている。セル燙姥でDRAM、NANDと孺秤するとDRAMよりは井さく、NANDよりも絡きい。ただし、腮嘿步しにくいというわけではないという。
またフラッシュと票屯、驢ビット/セルの材墻拉についても甫墊しており、はっきりとした4猛の鳥鉤妒俐をISSCC2008で券山しており、2ビット/セルは材墻であることを績している。
ROM弄な蝗い數をするフラッシュと票屯、PCメモリ〖の蝗い數としてRAMではなくROMとしての炳脫を雇えている。PCメモリ〖はフラッシュメモリ〖と票屯、排富をオフにしても淡脖覺輪が荒る稍帶券拉メモリ〖である。しかしフラッシュと般い、粕み叫しˇ今き哈み廬刨はずっと廬い。PCメモリ〖をサムスンはPCRAMと疚しているが、RAM弄な蝗い數だと、今き垂え攙眶は痰嘎に奪いため、悸狠弄ではない。
炳脫尸填としては、フラッシュやDRAMの擦呈からみて、頂凌蝸のありそうなサ〖バ〖羹けHDDのキャッシュメモリ〖としての脫龐がある。驕丸のNANDフラッシュよりも光廬なため、その跟蔡は絡きい。裁えて、フラッシュがまだ光擦な、コントロ〖ラ≤ECC柒壟メモリ〖の彌き垂えはありうる。疤彌づけとしては、DRAMではできない稍帶券拉、フラッシュなどのROMよりも光廬であることを網脫し、絡推翁のプログラム脫龐などもありうるとしている。
卿り叫す瀾墑にはシリアルアクセス墑とパラレルアクセス墑の2鹼梧を脫罷する。シリアルアクセス墑は16ピンのSOPだが、パラレルアクセス墑は56ピンのTSOPか、64ピンのBGA。潑にパラレル墑は、途偷を積ってNORに奪い拉墻を捏丁する。瓢侯補刨認跋は0×70☆、今き垂え攙眶は100它攙しか瘦沮しない。NORとの高垂拉を腳渾した慌屯となっている。これはマ〖ジンを澆尸に積った慌屯といえる。
