ニューモニクスは、アイリーアクセスプログラムと�}ぶ、システム設���vやソフトウエア開発�vのために最新情報を提供するホームページを立ち�屬欧拭�PCメモリーの最新情報を提供する。今�v、128MビットPCメモリーに関してはNDA（Non-disclosure agreement）を�Tぶことなく情報を読むことができる。

高�a(b┳)のリセットパルスでアモーファスになり電流は小さくなる

PCメモリーはカルコゲナイド�T晶材料を��加�X・��冷することでアモーファス�X��に変え、材料を流れる電流の変化、すなわち�B�^の変化を�W(w┌ng)��して1、0を�官�させるメモリーである。�嵜泙砲�いてT�C(j┤)のメモリーセルのオレンジ色�霾�がカルコゲナイド材料（Ge2Sb2Te5）、�u色�陲�ヒーターである。それぞれの�屬伐爾����霤填法�下�霤填砲嚢柔�されており、電極間に電流を流し���X・��冷にすると��い�霾�で��したようにアモーファスとなる。アモーファスでは電流は流れにくいが、�T晶の�X��にすると流れるようになる。下図のように読み出し電圧を0.5V以内に設定すると、セット/リセットを判別できる。書き込みにはVth以�屬療徹気魏辰┐襦�

アモーファスのリセット�X��ではしきい値Vthを��えるまでは電流は小さい

書き換え�v数は実��として10の15乗（1000兆�v）��度あると、ニューモニクス・ジャパン　EBGジャパン�霙垢粒��兔j(lu┛)吾��は言う。実際には10の10乗（100億�v）から1、0の�B�^値がばらつき始めるため、量��を考えて10の8乗（1億�v）を�峺造発�めている。NANDフラッシュメモリーは1、0の幅が小さくなっていくため、書き換え�v数は少ない。

書き換えサイクルの実��は1000兆�v

アレニウスの加�]試�xでは、110℃で10�Qもつという�T果が�uられている。��性化エネルギーは2.6eVもあり、劣化しにくいという��向を��している。

スケーリングのしやすさに関しては、40nmピッチで１平��(sh┫)インチ当たり（6.45cm2）0.4Tビット（400Gビット）、20nmピッチでは同1.6Tビット、14nmピッチでは同3.3Tビットだと見積もっている。セル�C積でDRAM、NANDと比較するとDRAMよりは小さく、NANDよりも�j(lu┛)きい。ただし、微細化しにくいというわけではないという。

またフラッシュと同様、�Hビット/セルの可��性についても研�|しており、はっきりとした4値の�B�^曲線をISSCC2008で発表しており、2ビット/セルは可�Δ任△襪海箸鮨�している。

ROM的な使い��(sh┫)をするフラッシュと同様、PCメモリーの使い��(sh┫)としてRAMではなくROMとしての応��を考えている。PCメモリーはフラッシュメモリーと同様、電源をオフにしても記憶�X��が残る不ｧ発性メモリーである。しかしフラッシュと違い、読み出し・書き込み�]度はずっと�]い。PCメモリーをサムスンはPCRAMと称しているが、RAM的な使い��(sh┫)だと、書き換え�v数は無限に�Zいため、実際的ではない。

応��分野としては、フラッシュやDRAMの価格からみて、��争��のありそうなサーバー向けHDDのキャッシュメモリーとしての����がある。��来のNANDフラッシュよりも高�]なため、その効果は�j(lu┛)きい。加えて、フラッシュがまだ高価な、コントローラ＋ECC内�泥瓮皀蝓爾���き換えはありうる。位��づけとしては、DRAMではできない不ｧ発性、フラッシュなどのROMよりも高�]であることを�W(w┌ng)��し、�j(lu┛)容量のプログラム����などもありうるとしている。

売り出す����にはシリアルアクセス��とパラレルアクセス��の2�|類を���Tする。シリアルアクセス��は16ピンのSOPだが、パラレルアクセス��は56ピンのTSOPか、64ピンのBGA。��にパラレル��は、余裕を�eってNORに�Zい性�Δ鯆鷆，垢襦Ｆ虻醯a(b┳)度�J(r┬n)囲は0〜70℃、書き換え�v数は100万�vしか保証しない。NORとの互換性を�_��した仕様となっている。これはマージンを�科�に�eった仕様といえる。