65nmNORフラッシュから4G NAND、省ピンSPIまでめに転じるスパンション

業績v復からめに転じ始めたスパンション社が来の90nmおよび110nmのGLシリーズから65nmプロセスのGL-Sシリーズへとを転換していく。このほど都内で記v会見を開き、NANDと比べて高]動作が可ΔNOR型フラッシュメモリーのをすべて65nmラインにえていく旨を発表した。 [→きを読む]
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業績v復からめに転じ始めたスパンション社が来の90nmおよび110nmのGLシリーズから65nmプロセスのGL-Sシリーズへとを転換していく。このほど都内で記v会見を開き、NANDと比べて高]動作が可ΔNOR型フラッシュメモリーのをすべて65nmラインにえていく旨を発表した。 [→きを読む]
完空型(fully depleted)SOI CMOS\術は20nm以TのCMOS\術として性Α⊂嫡J電、コストの点でバルクCMOSと比べ~W(w┌ng)になることをSOIインダストリコンソーシアムが発表した。このため携帯機_(d│)に使うべきSoCには向いていると同コンソーシアムの峙薀妊レクタをめるHoracio Mendezは主張する。 [→きを読む]
アルテラは、ローエンドからミッドレンジ、ハイエンドに渡る広いアプリケーションに向けたFPGAを28nmプロセスでk気に作ると発表した。これまでは、微細化プロセスはハイエンドから始まり、ミッドレンジ、ローエンドへとマイグレーションしてくるのが普通だった。今vはてのクラスをk気に28nmへとeってくる。 [→きを読む]
アナログ分野にRしてきた櫂淵轡腑淵襯札潺灰鵐瀬ター社は、ICチップの設]からソリューション提供ベンダーへと脱皮し始めている。a度センサーとそのコントローラで定hのある同社は、異なるセンサーにも官し、設定をユーザーがプログラムできる1チップ信(gu┤)処理ICを開発、その開発ツールもれずに提供する。 [→きを読む]
菱電機の先端\術総合研|所は、SiCのパワーMOSFETとショットキーバリヤダイオードをいた直流-交流変換_(d│)を試作、その入出の変換効率をR定したところ、98%咾箸いγ佑鰓uた。これまでのシリコンIGBTとSiCショットキーダイオードの組み合わせによる変換_(d│)と比べ、2ポイント以峺屬靴討い襪箸いΑ [→きを読む]
無線LANやCDMA(sh┫)式の携帯電B、Bluetooth、などのスペクトラム拡g(sh┫)式の無線通信、LTEや地デジなどのOFDM変調といったデジタル変調(sh┫)式の無線通信が華やかになっているが、これらの(sh┫)式では時間軸での振幅や位相のS形が常かどうか荵,靴燭ぁテクトロニクスはこれまでの振幅に加え位相、周S数をリアルタイムに時間軸で荵,任るシグナルアナライザRSA5000を発売した。 [→きを読む]
EDAベンダーj(lu┛)}のkつ、マグマ・デザイン・オートメーション社は、SoCの模が現在最先端のものよりも2〜3倍j(lu┛)きくなってもこれまでとほぼ同じ期間で設できるほど攵掚の高いEDAツールTalus1.2と、これに組み込んで使うツールTalus Vortex FXを発表した。 [→きを読む]
セミコンジャパン2010においても、半導の高集積化や高機Σ修砲茲辰謄轡好謄爐離灰好肇瀬Ε鵑鮨泙襪箸いΕ船奪廛罅璽供爾点は変わらない。半導メーカーが常にT識していることはコストダウンである。コストアップをcけるため、テスター分野でもスループットを屬欧襯廛蹇璽屮ードや、450mmの薄いウェーハをХeする軽いフレーム、}軽に実xできるクリーンルームなどもデモされた。 [→きを読む]
12月はじめ幕張で開かれたセミコンジャパン2010では、これまでの微細化k本gからスループットの改や新型クリーンルームなど、H様化する半導プロセスを(j┫)徴するようなtにj(lu┛)きな関心が集まった。出t社は昨Qよりも(f┫)少しv復がれてはいるものの、微細化、j(lu┛)口径といったこれまでとの違いがはっきり見える。 [→きを読む]
「組み込みシステムを差別化できる\術は、CPUではなくグラフィックスになる」。このように言い切るのは、英国のIPベンダー、イマジネーションテクノロジーズの社長兼CEOであるホセイン・ヤサイ。システムを差別化する\術はCPUやOSではなく、周辺v路でありソフトウエアであることは間違いないが、ここまで言い切るには(j┤ng)来の機_(d│)のイメージをeっているからだ。 [→きを読む]
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