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アルテラ、ハイエンドからローエンドまでて同時に28nmプロセスを採

アルテラは、ローエンドからミッドレンジ、ハイエンドに渡る広いアプリケーションに向けたFPGAを28nmプロセスでk気に作ると発表した。これまでは、微細化プロセスはハイエンドから始まり、ミッドレンジ、ローエンドへとマイグレーションしてくるのが普通だった。今vはてのクラスをk気に28nmへとeってくる。

図1 アルテラの28nm低価格Cycloneから高性Stratix、ASICHardcopy群

図1 アルテラの28nm低価格Cycloneから高性Stratix、ASICHardcopy群


アルテラが進めるのは、低コスト・低消J電のCyclone Vシリーズ、ミッドレンジのArria Vシリーズ、ハイエンドのStratix Vシリーズ、そしてFPGAのソフトウエア@をそのまま擇せるASICのHardcopy Vシリーズの4|である。

アルテラが広J囲なポートフォリオを最先端の28nmプロセスからいきなり揃えるのにはわけがある。まず、28nmプロセスを開発していた湾のTSMCのプロセスが使えるようになってきたことだ。TSMCは、低コストで低消J電向けのLP(low power)プロセスと高性Δ淵魯ぅ┘鵐向けのHP(high performance)プロセスを提供できるようになった。加えて、FPGAがuTとしてきた分野のトランシーバ(入出インターフェースの~動v路)において、ローエンドの600Mbpsから、PCI-Expressの5Gbpsの拡張入出インターフェース、さらにハイエンドな10Gbpsのバックプレーンと28Gbpsのハイエンドのビデオ伝送やレーダーなどのインターフェースまでの要求に応えられるようになったからである。

にプロセス\術的には、28nmからhigh-k+メタルゲートの組み合わせ\術を使えるようになってきたため、プロセスマージンが\加した。40nmまではゲート絶縁膜は相変わらずSiO2Uだったことからトンネル電流が\加するため┣祝譴鯒くできなかった。high-k絶縁膜ゲート材料と、フラットバンド電圧を屬欧蕕譴襯瓮織襯押璽箸鯑各できたため、低消J電はもちろん、Vthを下げて高性Ε廛蹈札垢砲垢襪海箸皺Δ砲覆辰拭このプロセス屬硫のおかげで、28Gbpsという高]トランシーバv路でも消J電は200mWに押さえることができた。

少容量ならオンチップメモリでバス幅を広げることはさほどMしくないが、j容量の外陬瓮皀蝓爾鬟汽檗璽箸靴茲Δ箸垢襪肇丱紘を広げ、しかも高]の伝送レートでの送p信が要となる。例えば低消J電版のMobile DDR仕様では、のナイトビジョンゴーグル向けに400MHzのDDR3やLPDDR2をいる。これがミッドレンジの応になると例えばビデオスイッチャーとして533MHzでDDR3のメモリーが要となる。40Gbpsや100GbpsのGビットイーサネット仕様のスイッチでは、800MHzのDDR3やQDR II+などの広いバンド幅が求められる。

ポートフォリオの拡充には、システムIPの拡充も要となり、アルテラは先月Avalon MicroelectronicsをA収、OTN(光伝送ネットワーク)向けに1.2Gbpsから100GbpsまでのデータレートをサポートするIPを}に入れた。これらのIPを使いハイエンドでは光S長H_機_への応を`指し、いかに早くIPをSiにインプリメントするか、を念頭にき、シリコン実証済みIPの開発を進めている。

(2011/01/25)
ごT見・ご感[
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