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LTEは、NTTドコモの「Xi（クロッシィ）」の�@称などで実��化されており、データレートが数��Mビット/秒と�]いことが��長である。が、どうやらこれだけではなさそうだ。VoLTE（ボルテと発音；Voice over LTE）�\術を導入することで、LTEは音�m�v線スイッチを使わない初めての通信ネットワークになる可��性を秘めている。半導��仕様への影�xも�jきい。通信機�_のエリクソンがVoLTEを進めている。 [→��きを読む]
半導��企業やその関連企業はすべてテクノロジー企業である。テクノロジー企業を成長させるためには����や�\術に発�t性あるいは拡張性を�eたせることが��要だろう。拡張性があれば�J�Tの�v路やシステムは、再�W��し低コストで次の世代のテクノロジーにつなげることができる。半導��メーカーではないが、�R定�_メーカーから出発したNational Instruments社は、拡張性あるテクノロジーを開発し��け成長している(図1)。 [→��きを読む]
ナショナルインスツルメンツ（NI）社は、ワイヤレス通信で�LかせないRF信�､鮖箸辰��v路や半導��チップをテストするための�~便なツールを発表した。これは次世代の高�]Wi-Fi��格である802.11acやLTEに�官�する信�ﾈ��昊_と信�ｲ鮴��_をPXIモジュール内に搭載した、��小型のVST（ベクトル信�･肇薀鵐掘璽弌砲任△襦� [→��きを読む]
SiCのパワーモジュールが相次いで�x場に出てきた。��菱電機が8月からサンプル出荷を開始、ロームは3月にSiCパワーMOSFETを2個組にしたモジュールを�x場に出している。サンケン電気もSiCやGaNのパワートランジス開発に�Dり組みショットキダイオード（SBD）を13�Q後半には�攵�する予定だ。パワーモジュールはSiC MOSFETやSiCショットキバリヤダイオードなどをハイブリッドICのように集積したもの。 [→��きを読む]
![アプライド、メガトレンドに�pった3D/20nm以下�官����]����を��実に提供](/assets_c/900px/120801amat.png "アプライド、メガトレンドに�pった3D/20nm以下�官����]����を��実に提供")
アプライドマテリアルズ（Applied Materials）社は、3D IDや20nm以下の����をいくつかSEMICON Westで発表したが、半導���x場のメガトレンドを見据えたビジネス戦�Sを改めて確認した。同社日本法人代表�D締役社長の渡辺徹��は、モビリティが�x場をけん引しているため、それに合わせた����開発を��ける�e勢を崩さない、と��言する。 [→��きを読む]
NORフラッシュメモリを�j量に使う新しい����が開けてきた。音�m認識��の��書や�T味解析などのデータベースをNORフラッシュに�j量にため込むという����である。高�]・不ｧ発性・�j容量という��性を�擇�した応��といえる。スパンションがNORフラッシュをベースにした音�m認識��のチップを開発、音�m認識�\術の要求の�咾��O動�Z�x場に向けた。 [→��きを読む]
2012�Qはじめに日本オフィスを閉じたテセラ（Tessera）社。今は�eち株会社としての�T在で、��業会社として半導��パッケージング�\術会社のInvensasと、カメラモジュール会社のDigital Opticsを傘下に�eつ新�撻謄札蕕箸靴��擇泙貶僂錣辰拭�インベンサス（Invensas）は新型パッケージのソリューションを提供する研�|開発会社として再�n働し始めた。 [→��きを読む]
インテルは、パソコン��の高�]データバスをベースとするPCI Express（PCIe）と、ディスプレイへビデオ伝送などを行うDisplay Portを、マルチプレスして1本のケーブルで伝送できるThunderbolt�\術を提案してきたが、住友電気工業はこれをサポートする光ファイバケーブルを����化した。このほどテクトロニクス社が主��したテクトロニクス・イノベーション・フォーラム2012の中でその詳細を語った。 [→��きを読む]
LEAP（��低電圧デバイス�\術研�|組合）が2012 IEEE Symposia on VLSI Technology and Circuits (通称VLSI Symposium)で3�Pもの�b文を発表した。同研�|組合は、コンピュータシステムを�b理�v路、1次メモリ、2次メモリ、外�雉�憶と分けて、それぞれの低消�J電���\術に�Dり組んでいる。 [→��きを読む]
アナログ・デバイセズ（Analog Devices, Inc.）は、動作時2μA、���V時10nAと消�J電流が極めて小さな3軸MEMSセンサICを8月から量��する。消�J電流が小さいため電池�~動のワイヤレスセンサネットワークや、ヘルスケアモニタリング、動�颪離皀縫織螢鵐阿覆匹留���(図1)において、電池交換を不要にできる。 [→��きを読む]
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