Transphorm、GaN on Siプロセスによる600Vのパワ〖HEMTをサンプル叫操
勢祁カリフォルニアを塑家とするベンチャ〖のトランスフォ〖ム∈Transphorm∷家∈徊雇獲瘟1∷は、卵暗600VのGaNパワ〖HEMTとGaNショットキダイオ〖ドを嘎年ユ〖ザ〖にサンプル叫操している。2007鉗に肋惟された票家にこのほど泣塑インタ〖と緩度匙糠怠菇がそれぞれ500它ドル、2500它ドル叫獲した。トランスフォ〖ムはこれらの獲垛を評て、GaNの瀾墑步を黎額けたいと胳る。
哭1 Transphormと泣塑インタ〖の淡莢柴斧 寶から泣塑インタ〖の咕轟矢建家墓、TransphormのMishra CEO、Parikh家墓
GaNパワ〖HEMTを奧年弄に翁緩することはこれまで豈しかった。しかし、≈トランスフォ〖ム家に馮礁した客たちは、彈度漣の1994鉗ごろからずっとGaNデバイスを緘齒けてきた。ほぼ20鉗になる∽、と票家柴墓敷CEOのUmesh Mishra會(哭1の寶から2戎謄)はGaNデバイスに冷灤弄な極慨を積つ。
Mishra會は97鉗にカリフォルニア絡(luò)池∈UC∷サンタバ〖バラ夠からスピンオフしてナイトリス∈Nitres∷家を彈度させた。呵介の措度はLEDとRFパワ〖染瞥攣を緘齒けていたが、2000鉗にGaNのLED絡(luò)緘のCree家に傾箭された。Mishra會は海でもUCサンタバ〖バラ夠の兜鑒でもある。家墓であり鼎票料度莢のPrimit Parikh會は、UCサンタバ〖バラ夠からナイトリス家に掐家したGaN辦囤のエンジニアであった。
トランスフォ〖ムが評罷な禍度尸填∈コアコンピタンス∷は、GaN亨瘟からデバイス、攙烯である。パッケ〖ジングは海、嘲嬸度莢に把瞞しており、泣塑輝眷に羹けてはメカニカルデザインが庭れている泣塑インタ〖を聯(lián)んだ。泣塑インタ〖はパワ〖デバイスのパッケ〖ジングの奧年した肋灑を積っており、トランスフォ〖ムと舔充尸么している。トランスフォ〖ムはGaN on Siのパワ〖HEMTに廟蝸しており、LEDやRFは緘齒けず、排蝸恃垂やパワ〖マネジメントに礁面する。
デバイス瓢侯の慌寥みに簇して、HEMTはJFET∈儡圭房排腸跟蔡トランジスタ∷と票屯、ノ〖マリオン房であり、ゲ〖ト排暗がゼロでも排萎が萎れてしまう。このため賴のドレイン排暗に灤して、砷のゲ〖ト排暗という2排富が澀妥になる。この馮蔡、これまでノ〖マリオン房のトランジスタはあまり蝗われてこなかった。しかし、Infineon Technologiesがゲ〖トのドライブ?jǐn)v烯をカスコ〖ド儡魯にすると、辦忍のMOSFETと票屯ノ〖マリオフ瓢侯ができることを斧叫した(徊雇獲瘟2と3)。トランスフォ〖ム家のGaN HEMTもカスコ〖ド儡魯のゲ〖トドライブ?jǐn)v烯をパワ〖HEMTチップと辦斤にTO-220パッケ〖ジに甚賄しており、悸劑弄にノ〖マリオフ房トランジスタとして蝗うことができる。
≈碰家のGaN パワ〖HEMTは排蝸恃垂跟唯をこれまでよりも40×50%光くできる懼に、減け掐れられる擦呈で捏丁できる∽とParikh會は胳る。你コストにできるのは、Si答饒懼にGaN帽馮窘を妨喇できる禱窖を澄惟しているからだ。
GaNパワ〖HEMTの潑拉刪擦も慨完拉刪擦も姜位しており、10奉2泣のCEATEC2012柴眷での怪遍では、さまざまな刪擦馮蔡を鼠桂した。毋えば、560Vの木萎排暗をかけ、呂いワイヤ〖ル〖プを納裁しながらタ〖ンオン活賦を10它攙帆り手した。850V鎳刨のスパイクが券欄するが、びくともしなかった。
また、3陵モ〖タを額瓢する眷圭にパワ〖HEMTを100kHzでスイッチングさせ1.5kWの砷操を裁えた箕のDC-AC恃垂の跟唯は99%と光い。スイッチング件僑眶をさらに500kHzと懼げることもできる。スイッチング件僑眶を懼げれば懼げるほど、コイル(インダクタンス)は井さくてすむため、パワ〖恃垂劉彌や絡(luò)きな推翁の排富を井房にできる。シリコンのIGBTは警眶キャリヤの眠姥跟蔡があるため光廬スイッチング瓢侯はできず、せいぜい15kHzで瓢かさざるを評ない。IGBTを蝗う眷圭には、リップルを井さくして賴腹僑に奪づけるために絡(luò)きなフィルタ脫のコイルが澀妥となり、排蝸恃垂劉彌が絡(luò)きくなってしまう。
哭2 4kWのモ〖タを100kHzのスイッチングで額瓢 3つのコイルが井さい
ブ〖スでデモしたモ〖タ額瓢劉彌∈哭2∷は、4kWのモ〖タを蛤萎230Vの3陵で瓢かしている。怠常弄な叫蝸は5竅蝸だとしている。100kHzでスイッチング瓢侯させているため、哭2の話つのコイルは4kWモ〖タ脫としては端めて井さい。
海攙、トランスフォ〖ムは、泣塑インタ〖と柜柒で呵介のパ〖トナ〖シップを馮んだが、泣塑輝眷での杠狄の妥滇に炳えることが媽辦で、ここで喇根したらパ〖トナ〖をさらに籠やしていきたいとしている。
徊雇獲瘟
1. GaN-on-Siのベンチャ〖魯叫、球咖LED、パワ〖HEMTを晾いVCも寵券に抨獲 (2011/08/17)
2. 呵介の睛墑SiC JFETを蝗ったEasy1Bパワ〖モジュ〖ル∈漣試∷ (2011/08/18)
3. 呵介の睛墑SiC JFETを蝗ったEasy1Bパワ〖モジュ〖ル∈稿試∷ (2011/0819)
