EIDEC、グロ〖バル定蝸で10nm駱の裁供にEUV瞥掐謄回す∈2∷×マスク浮漢
EUVは濕劑を譬冊しやすいX俐の辦鹼であるため、各池廢にはレンズではなく瓤紀饒を網脫する。瓤紀各池廢のマスクブランクスは、W/Moの帆り手し姥霖菇隴を何っている。ここに風促が掐るとパタ〖ンが夏んでしまうため、痰風促にしたい。マスク浮漢は稍材風である。 [ⅹ魯きを粕む]
瀾隴劉彌
EIDEC、グロ〖バル定蝸で10nm駱の裁供にEUV瞥掐謄回す∈1∷×車妥
EUVのマスク、レジスト禱窖倡券のコンソ〖シアムである、EUVL答茸倡券センタ〖∈EIDEC∷が呵奪の寵瓢鼠桂を乖った(哭1)。僑墓13.4nmのX俐を蝗うEUVリソグラフィでは、ASMLだけが溪各劉彌を倡券しているが、EIDECは溪各劉彌笆嘲のEUV答塑禱窖を減け積つ。叫獲は柜柒13家で、長嘲5家も鼎票甫墊で徊裁、繃付瀾侯疥とレ〖ザ〖テックは劉彌倡券パ〖トナ〖として徊裁、3絡池と緩度禱窖另圭甫墊疥も徊裁する辦絡コンソ〖シアムだ(哭2)。 [ⅹ魯きを粕む]
パソコンからモバイルへのメガトレンドの裁廬に灤炳する排灰稱家
パソコンからモバイルへの瓢きが裁廬している。黎降のニュ〖スはこの瓢きを斧禍に瓤鼻している。ディスプレイパネル、NANDフラッシュ、CMOSセンサ、プリント答饒、モバイル奶慨インフラ、鏈てが、スマホˇタブレットへのメガトレンドに捐っている。 [ⅹ魯きを粕む]
3奉票屯、4奉も泣塑瀾染瞥攣ˇFPD瀾隴劉彌の攻拇さ魯く
泣塑瀾染瞥攣ˇFPD瀾隴劉彌が攻拇さを積魯している。このほどSEAJ∈泣塑染瞥攣瀾隴劉彌定柴∷が券山した、4奉の減廟馳ˇ任卿馳ˇB/Bレシオのデ〖タでは、減廟馳が籠え魯け、黎奉徒鱗した奶り、B/Bレシオは鼎に1.00を畝え攻拇を拜積している。 [ⅹ魯きを粕む]
EUV箕洛が斧えてきたか、IntelがASMLと殊拇を圭わせ10nmに救潔
EUV∈Extreme Ultra Violet∷リソグラフィ禱窖の附覺が湯らかになった。Intelは2013鉗に14nmのトライゲ〖トFETプロセスを瞥掐するが、肌の10nmノ〖ドでは193iとEUVのミックスになるだろうと徒盧する。これはEIDEC Symposium 2013で湯らかにしたもの。 [ⅹ魯きを粕む]
アベノミクスの喇墓里維、染瞥攣緩度の濃か蹋數か
アベノミクス媽3塑謄の甜に陵碰する、喇墓里維の車妥が奧擒儉陵から券山された。2012鉗刨の鉗粗63名邊の肋灑抨獲馳に灤して、海稿3鉗の粗に70名邊を謄回すことが崔まれた。戮に、海降、≈客とくるまのテクノロジ〖鷗∽が倡かれることでカ〖エレ禱窖の染瞥攣の券山が少晃奶、澎記からあった。染瞥攣亨瘟メ〖カ〖も陵肌いで喇墓里維を券山した。 [ⅹ魯きを粕む]
泣塑瀾の染瞥攣ˇFPD瀾隴劉彌、鼎に懼羹いてきた
染瞥攣瀾隴劉彌輝眷が積ち木してきた。泣塑瀾染瞥攣瀾隴劉彌の減廟馳は5カ奉息魯プラス喇墓しており、2013鉗3奉には任卿馳が減廟馳を懼攙るほどに劉彌が卿れた。この馮蔡、B/Bレシオが1.00を充り0.96となったが、柔囪するほどのレベルではないだろう。 [ⅹ魯きを粕む]
TSMCが海鉗の肋灑抨獲馳を14×20%籠馳、呵絡100帛ドルに
黎降は、染瞥攣度腸の瘋換鼠桂柴が陵肌いで倡號され、駱涎TSMCは2013鉗の肋灑抨獲馳が95帛×100帛ドルになるという斧奶しを券山した。驕丸斧奶しの90帛ドルよりも懼姥みした垛馳になる懼に、2012鉗に抨じた83帛ドルと孺べ14%×20%籠となる。2013鉗刨には攻拇が魯く、と劉彌メ〖カ〖は斧る。 [ⅹ魯きを粕む]
40nm踏塔のプロセスの欄緩墻蝸が396它綏/奉、鏈攣の27.3%に
40nm踏塔の腮嘿步プロセスの欄緩墻蝸が呵も絡きく、80nm×0.2μmが魯き、0.4μm笆懼のプロセスも驢いという馮蔡をICインサイツ∈Insights∷が券山した。これまでSICASが琵紛をとってきたが、これに洛わりこの輝眷拇漢柴家が拇べている。 [ⅹ魯きを粕む]
