EIDEC、グロ〖バル定蝸で10nm駱の裁供にEUV瞥掐謄回す∈2∷×マスク浮漢
EUVは濕劑を譬冊しやすいX俐の辦鹼であるため、各池廢にはレンズではなく瓤紀(jì)饒を網(wǎng)脫する。瓤紀(jì)各池廢のマスクブランクスは、W/Moの帆り手し姥霖菇隴を何っている。ここに風(fēng)促が掐るとパタ〖ンが夏んでしまうため、痰風(fēng)促にしたい。マスク浮漢は稍材風(fēng)である。
マスクブランクスにEUV各を碰てて風(fēng)促を斧るABI∈Actinic Blanks defect Inspection∷浮漢劉彌をEIDECプロジェクトが幌まる漣のMIRAIプロジェクトで活侯し、風(fēng)促の紛盧禱窖をSeleteプロジェクトで澄惟した。EIDECでは翁緩活侯怠の瀾隴に咆蝸してきた。
EIDECでは、マスク風(fēng)促浮漢劉彌のレ〖ザ〖テック家と鼎票で、ABIの翁緩活侯怠を侯り懼げた(哭4)。この翁緩活侯劉彌では、光さ1.6nm、升250nmの風(fēng)促から、光さ1.0nm、升33nmの風(fēng)促まで風(fēng)促を100%浮叫できている。光さ1.0nm、升33nmはハ〖フピッチ(hp)16nmノ〖ドに陵碰するという。EUV溪各システムでは4擒の教井抨逼を前片に掐れているためである。
哭4 ABI翁緩活侯劉彌 叫諾¨EIDEC
また、マスクブランクスに風(fēng)促が斧つかった眷圭でも、その懼に閃くパタ〖ンによっては風(fēng)促の逼讀を下らげるための禱窖についても揭べている∈哭5∷。これは、X俐の帝箭攣パタ〖ンの懼に風(fēng)促を積ってくるように、パタ〖ンの疤彌をずらす禱窖だ。ただし、その疤彌を賴澄に盧年できる禱窖も澀妥となる。
哭5 マスクブランクスの風(fēng)促の逼讀を汾負(fù)する 叫諾¨EIDEC
パタ〖ンの燒いたマスクでは、その嘲囪浮漢劉彌を繃付瀾侯疥と鼎票で倡券した。これはプロジェクション房の排灰ビ〖ムを網(wǎng)脫した浮漢劉彌PEM∈Projection Electron Microscope∷である。救湯脫の排灰ビ〖ムをパタ〖ン燒きのマスクに救紀(jì)し、2肌排灰をTDI∈time delay integration∷センサのCCDカメラで浮叫する。プロジェクションレンズを菇喇し、排灰覆腮獨(dú)として嚨を斧ていることになる。
哭6 PI∈Patterned mask Inspection∷劉彌の車妥 叫諾¨EIDEC
EUVマスクを排灰覆腮獨(dú)で浮漢できるメリットの辦つに、チャ〖ジアップがないことがある。ArFなど各リソの眷圭に蝗ってきたガラスマスクなどは冷憋攣であるため、チャ〖ジアップすることで嚨がぼけるが、EUVマスクはW/Moの霖菇隴なのでチャ〖ジアップせず、排萎の擴(kuò)嘎はない。
哭7 排灰ビ〖ムでスキャンする 叫諾¨EIDEC
このPEM浮漢劉彌では∈哭7∷、ステップアンドリピ〖ト數(shù)及でパタ〖ンをスキャンしていくため、スル〖プットが光く、16nmサイズの風(fēng)促を19箕粗笆柒に玫すという謄篩を肋年している。海のところ、hp64nmおよび44nmのL/Sパタ〖ン嚨を陋えることに喇根している。海稿は、hp16nmの風(fēng)促囪盧に末里するが、斧つけられる材墻拉が叫てきたとしている。
(魯く)
徊雇獲瘟
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