マスクブランクスにEUV光を当てて�L(f┘ng)陥を見るABI（Actinic Blanks defect Inspection）検�h����をEIDECプロジェクトが始まる�iのMIRAIプロジェクトで試作し、�L(f┘ng)陥の���R�\術をSeleteプロジェクトで確立した。EIDECでは量�嶟作機の���]に努��してきた。

EIDECでは、マスク�L(f┘ng)陥検�h����のレーザーテック社と共同で、ABIの量�嶟作機を作り�屬欧�(図4)。この量�嶟作����では、高さ1.6nm、幅250nmの�L(f┘ng)陥から、高さ1.0nm、幅33nmの�L(f┘ng)陥まで�L(f┘ng)陥を100%検出できている。高さ1.0nm、幅33nmはハーフピッチ(hp)16nmノードに相当するという。EUV露光システムでは4倍の縮小投影を念頭に入れているためである。

図4　ABI量�嶟作����　出�Z：EIDEC

また、マスクブランクスに�L(f┘ng)陥が見つかった場合でも、その�屬哩Wくパターンによっては�L(f┘ng)陥の影�xを和らげるための�\術についても述べている（図5）。これは、X線の吸収��パターンの�屬柾L(f┘ng)陥を�eってくるように、パターンの位��をずらす�\術だ。ただし、その位��を��確に�R定できる�\術も��要となる。

図5　マスクブランクスの�L(f┘ng)陥の影�xを軽��(f┫)する　出�Z：EIDEC

パターンの��いたマスクでは、その外�荼��h����を��原��作所と共同で開発した。これはプロジェクション型の電子ビームを�W(w┌ng)��した検�h����PEM（Projection Electron Microscope）である。照����の電子ビームをパターン��きのマスクに照�o(j━)し、2次電子をTDI（time delay integration）センサのCCDカメラで検出する。プロジェクションレンズを構成し、電子顕微��(d┣)として�気鮓�ていることになる。

図6　PI（Patterned mask Inspection）����の��要　出�Z：EIDEC

EUVマスクを電子顕微��(d┣)で検�hできるメリットの�kつに、チャージアップがないことがある。ArFなど光リソの場合に使ってきたガラスマスクなどは絶縁��であるため、チャージアップすることで�気�ぼけるが、EUVマスクはW/Moの層構�]なのでチャージアップせず、電流の�U(ku┛)限はない。

図7　電子ビームでスキャンする　出�Z：EIDEC

このPEM検�h����では（図7）、ステップアンドリピート��(sh┫)式でパターンをスキャンしていくため、スループットが高く、16nmサイズの�L(f┘ng)陥を19時間以内に探すという�`�Yを設定している。今のところ、hp64nmおよび44nmのL/Sパターン�気鯊�えることに成功している。今後は、hp16nmの�L(f┘ng)陥�莟Rに挑戦するが、見つけられる可��性が出てきたとしている。
(��く)

参考�@料
1. EUV時代が見えてきたか、IntelがASMLと歩調を合わせ10nmに照�� (2013/05/22)
2. EIDEC、グローバル協��で10nm��の加工にEUV導入�`指す（1）〜��要 (2013/05/31)
3. EIDEC、グローバル協��で10nm��の加工にEUV導入�`指す（3）〜レジスト (2013/05/31)