Infineonの窗鏈極瓢步200mmラインとパワ〖染瞥攣脫300mmラインを斧た
ドイツのInfineon Technologiesは、パワ〖染瞥攣羹けに300mmウェ〖ハラインをドレスデンに肋彌し蒼漂させている。パワ〖染瞥攣は眶翁の爬ではデジタルやアナログ瀾墑に昔るが、そのチップを絡(luò)庚仿步するメリットはやはり你コスト步にある。裁えて、客鳳銳の光いドイツでもコスト弄に斧圭う欄緩をするため200mmラインを窗鏈極瓢步した。 [ⅹ魯きを粕む]
瀾隴劉彌
瀾隴劉彌輝眷、FPDは礙步、染瞥攣は妥廟罷
2014鉗8奉における泣塑瀾染瞥攣瀾隴劉彌のB/Bレシオは、0.97となった(哭1)。7奉のB/Bレシオは0.94よりはわずか懼がっているが、減廟馳が漣奉孺5.8%負(fù)の957帛8000它邊、と負(fù)っているので、妥廟罷というところか。 [ⅹ魯きを粕む]
7nmと5nm箕洛はやってくるのだろうか々
糠亨瘟と糠トランジスタでム〖アの恕摟を1.5nm笆布まで凱ばすことはできそうだが、啼瑪は懷姥みで、まだ豺のない啼瑪も驢い。セミコンポ〖タルの捏啡メディアであるSemiconductor Engineeringは黎眉禱窖を倡券する絡(luò)緘染瞥攣メ〖カ〖を艱亨した。 [ⅹ魯きを粕む]
染瞥攣瀾隴劉彌のB/Bレシオ、減廟馳が漣奉孺7.5%負(fù)の0.94
泣塑染瞥攣瀾隴劉彌定柴∈SEAJ∷によると、2014鉗7奉における泣塑瀾染瞥攣瀾隴劉彌のB/Bレシオは、0.94となった。6奉のB/Bレシオは1.05と夫鏈な眶機(jī)であったが、7奉は1.0を磊ったためにやや稍奧妥燎がある。任卿馳は漣奉孺3.4%籠の1043帛6100它邊だが、減廟馳が漣奉孺7.5%負(fù)の983帛8400它邊、と負(fù)っているからだ。 [ⅹ魯きを粕む]
染瞥攣瀾隴劉彌メ〖カ〖の度烙券山、另じて猖簾數(shù)羹
8奉12泣、泣塑沸貉糠使は、染瞥攣瀾隴劉彌メ〖カ〖7家の度烙∈2014鉗4×6奉袋瘋換∷が另じて猖簾していると帕えた。澎疊エレクトロン、泣惟ハイテクノロジ〖ズ、アドバンテストなどがスマ〖トフォンの橙絡(luò)を納い慎に、度烙を凱ばしているとする。 [ⅹ魯きを粕む]
3奉の額け哈み見妥を悸沮する6奉の染瞥攣瀾隴劉彌の任卿馳
2014鉗6奉の泣塑瀾染瞥攣瀾隴劉彌の減廟馳は漣奉孺8.3%負(fù)の1063帛8600它邊、任卿馳は28.7%負(fù)の1009帛4500它邊、そのB/Bレシオは1.05となった(哭1)。3奉から5奉まで任卿馳は1400帛邊漣稿で夸敗していたためB/Bレシオは0.82あたりを績していた。 [ⅹ魯きを粕む]
AMAT、3D菇隴のFinFET、NANDフラッシュに羹け糠CMPとCVDを券山
Applied Materialsは、ロジック羹けのFinFETプロセス、メモリ羹けの3D NANDフラッシュプロセスという絡(luò)きな企つの3肌傅菇隴(哭1)を悸附するためのプロセス劉彌¨ CMP∈步池弄怠常弄甫酸∷とCVD∈步池弄丹陵喇墓∷の糠瀾墑を券山した。 [ⅹ魯きを粕む]
泣惟の光跟唯モ〖タのカギは炳蝸灤忽
7奉9泣に泣惟瀾侯疥が券山した、跟唯96%と光い、アモルファス糯看を蝗ったモ〖タ(哭1、2)は、亨瘟の裁供がカギだった。海攙活侯したモ〖タは、柜狠光跟唯憚呈の呵光レベルに陵碰するIE 5をクリアしている。これまでの呵光クラスといえよう。 [ⅹ魯きを粕む]
2014鉗の染瞥攣瀾隴劉彌輝眷、Q3の你搪を雇胃しても20.8%籠
SEMIは勢(shì)柜箕粗7奉8泣から幌まるSEMICON West 2014に黎額けて淡莢柴斧を倡き、染瞥攣瀾隴劉彌の輝眷徒盧を券山した(山1)。海鉗の染瞥攣瀾隴劉彌の任卿馳は漣鉗孺20.8%籠の384帛ドルになり、2015鉗はさらに喇墓し10.8%籠の426帛ドルを畝えると斧ている。 [ⅹ魯きを粕む]
EUVリソグラフィ各富、100Wが紀(jì)鎳柒に
EUVリソグラフィ各富メ〖カ〖のギガフォトンは、呵絡(luò)叫蝸92WというLPP∈レ〖ザ〖欄喇プラズマ∷各富活侯怠を倡券した。驕丸のLPP各富は43Wだったため、2擒笆懼のパワ〖を評(píng)たことになる。 [ⅹ魯きを粕む]
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