半導]メーカーの業績発表、総じて改妓
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8月12日、日本経済新聞は、半導]メーカー7社の業績(2014Q4〜6月期Q)が総じて改していると伝えた。東Bエレクトロン、日立ハイテクノロジーズ、アドバンテストなどがスマートフォンの拡jを{い風に、業績をPばしているとする。 [→きを読む]
8月12日、日本経済新聞は、半導]メーカー7社の業績(2014Q4〜6月期Q)が総じて改していると伝えた。東Bエレクトロン、日立ハイテクノロジーズ、アドバンテストなどがスマートフォンの拡jを{い風に、業績をPばしているとする。 [→きを読む]
2014Q6月の日本半導]のpRYはi月比8.3%の1063億8600万、販売Yは28.7%の1009億4500万、そのB/Bレシオは1.05となった(図1)。3月から5月まで販売Yは1400億i後で推,靴討い燭燭B/Bレシオは0.82あたりをしていた。 [→きを読む]
Applied Materialsは、ロジック向けのFinFETプロセス、メモリ向けの3D NANDフラッシュプロセスというjきな二つの3次元構](図1)を実現するためのプロセス: CMP(化学的機械的研磨)とCVD(化学的気相成長)の新を発表した。 [→きを読む]
7月9日に日立作所が発表した、効率96%と高い、アモルファス鉄心を使ったモータ(図1、2)は、材料の加工がカギだった。今v試作したモータは、国際高効率格の最高レベルに相当するIE 5をクリアしている。これまでの最高クラスといえよう。 [→きを読む]
SEMIは盜饂間7月8日から始まるSEMICON West 2014に先~けて記v会見を開き、半導]のx場予Rを発表した(表1)。今Qの半導]の販売YはiQ比20.8%\の384億ドルになり、2015Qはさらに成長し10.8%\の426億ドルをえると見ている。 [→きを読む]
EUVリソグラフィ光源メーカーのギガフォトンは、最j出92WというLPP(レーザー收プラズマ)光源試作機を開発した。来のLPP光源は43Wだったため、2倍以屬離僖錙爾鰓uたことになる。 [→きを読む]
2014Q5月の日本半導]のpRY・販売Y・B/Bレシオは、それぞれ1160億4500万、1416億700億、0.82というT果だった。これらの数Cは3ヵ月の‘以振僉4月からの消J\税に向けて3月に現れたピークが~け込み要だとすると、5月までの3ヵ月間に渡って影xが出ることになる。 [→きを読む]
2014Q1四半期におけるシリコンウェーハの出荷C積は、i期比で7%\の23億6400平汽ぅ鵐舛砲覆辰燭函SEMIは発表した。これはiQ同期比でも11%\である。ここ1Q度、B踏みXにあったシリコンのC積は、ようやく峺きに転じた。 [→きを読む]
2014Q4月における日本半導]のpRYは少し後、1158億5100万となり、販売Yは1397億5100万、B/Bレシオは0.83と2カ月連1.0を切った。これをどう見るか。3月の~け込み要の影xはどうなるか。 [→きを読む]
東が四日x工場の2棟を建てえ、3次元構]のNANDフラッシュの専設△鮴する拡張スペースを確保する、と5月14日のプレスリリースで発表した。その日の朝、日本経済新聞は、1Tビットを5Q以内に]すると報じている。東はSanDiskと共同で投@を行い、合5000億の投@になると日経は伝えている。 [→きを読む]
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