半導]のpRが\加へ転じる
![半導]のpRが\加へ転じる 半導]のpRが\加へ転じる](/assets_c/900px/141121-bbratio.png)
2014Q10月における日本半導]のB/Bレシオは、1.11となった。好調な半導デバイスをpけ、半導]のpRが先月よりも峺きになった。販売Yはi月比6.8%の968億4400万だが、pRYがi月比11.2%\の1078億7400万、と\えている。 [→きを読む]
2014Q10月における日本半導]のB/Bレシオは、1.11となった。好調な半導デバイスをpけ、半導]のpRが先月よりも峺きになった。販売Yはi月比6.8%の968億4400万だが、pRYがi月比11.2%\の1078億7400万、と\えている。 [→きを読む]
世cの半導噞が好調だ。それに引きずられて半導]も売り屬押⊂W益をPばしている。先週は、半導メーカーとしてロームと湾のMediaTekが、]はディスコとスクリーンホールディングスから発表があった。て、営業W益が\えている。 [→きを読む]
2014Q9月における日本半導]のB/Bレシオは、0.93となった。販売Yはi月比5.5%\の1038億7600万だが、pRYがi月比1.3%\の970億200万、と微\にとどまったからだ。これはSEAJ(日本半導]協会)が発表したもの。 [→きを読む]
ドイツのInfineon Technologiesは、パワー半導向けに300mmウェーハラインをドレスデンに設しn働させている。パワー半導は数量の点ではデジタルやアナログに劣るが、そのチップをj口径化するメリットはやはり低コスト化にある。加えて、人PJの高いドイツでもコスト的に見合う攵をするため200mmラインを完O動化した。 [→きを読む]
2014Q8月における日本半導]のB/Bレシオは、0.97となった(図1)。7月のB/Bレシオは0.94よりはわずか屬っているが、pRYがi月比5.8%の957億8000万、とっているので、要RTというところか。 [→きを読む]
新材料と新トランジスタでムーアの法Г1.5nm以下までPばすことはできそうだが、問は兩僂澆如△泙晴鬚里覆ぬ筱もHい。セミコンポータルの提携メディアであるSemiconductor Engineeringは先端\術を開発するj}半導メーカーをD材した。 [→きを読む]
日本半導]協会(SEAJ)によると、2014Q7月における日本半導]のB/Bレシオは、0.94となった。6月のB/Bレシオは1.05と健な数Cであったが、7月は1.0を切ったためにやや不W要素がある。販売Yはi月比3.4%\の1043億6100万だが、pRYがi月比7.5%の983億8400万、とっているからだ。 [→きを読む]
8月12日、日本経済新聞は、半導]メーカー7社の業績(2014Q4〜6月期Q)が総じて改していると伝えた。東Bエレクトロン、日立ハイテクノロジーズ、アドバンテストなどがスマートフォンの拡jを{い風に、業績をPばしているとする。 [→きを読む]
2014Q6月の日本半導]のpRYはi月比8.3%の1063億8600万、販売Yは28.7%の1009億4500万、そのB/Bレシオは1.05となった(図1)。3月から5月まで販売Yは1400億i後で推,靴討い燭燭B/Bレシオは0.82あたりをしていた。 [→きを読む]
Applied Materialsは、ロジック向けのFinFETプロセス、メモリ向けの3D NANDフラッシュプロセスというjきな二つの3次元構](図1)を実現するためのプロセス: CMP(化学的機械的研磨)とCVD(化学的気相成長)の新を発表した。 [→きを読む]
<<iのページ 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 次のページ »