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商��化のインフラが�Dったフレキシブルエレクトロニクス

 2016年4月22日 ｜�\術分析（デバイス設��& FPD）

プラスチックエレクトロニクスが、ウェアラブル端��や、曲げられるフレキシブル応��の出現により、商��化へと�jきく舵を切った。�~機トランジスタに代わり、��来のSi CMOS LSIをフレキシブルなプリント配線基��に実�△掘���要な機�Δ鮗存修垢襦�フレキシブルハイブリッドエレクトロニクス（FHE）が商��化のためのキーテクノロジとなった。 [→��きを読む]

日本��半導�����]����、当分の見通しは��るそう

 2016年4月21日 ｜�x場分析

日本半導�����]����協会（SEAJ）によると、2016�Q3月の日本��半導�����]����の�p�R�Yは、�i月比2.5%�\の1294億3100万��、販売�Yは同30.4%�\の1163億5700万��、B/Bレシオは1.11となった。依��として好調さは��いている。B/Bレシオは2月の1.41から3月は�jきく落ちたのにもかかわらず、好調と言うのはなぜか。 [→��きを読む]

半導�����]����の�_要����サプライヤトップ10ランキング

 2016年4月20日 ｜�x場分析

半導�����]����に�咾ぽx場調�h会社のVLSI Research社は、2015�Qの、半導�����]����に使うバルブやポンプなどの�_要な�雕爐筌汽屮轡好謄爐離汽廛薀ぅ筌肇奪�10社を発表した。これによると、この分野は�L外勢が�咾�、日本からは7位に堀場��作所、10位に��原��作所が入った。 [→��きを読む]

�y本�j地震、東�Bエレクトロン、ルネサスは確認中

 2016年4月18日 ｜週間ニュース分析

先週4月14日(�v)午後9時26分ごろ、�y本県益城町で震度7、マグニチュード（M）6.5という�j��模の地震が��き、その後余震が��き、16日午�i1時25分ごろには震度6�咫�M7.3という�j地震が��きた。これが本震に変わった。震源が10km��度と��常に浅く、被害は拡�jしている。�Zくの半導��と関連工場は�j丈夫か。 [→��きを読む]

EUVの�咾ぬ��機⊇j出��CO2レーザーのダイヤモンド�X

 2016年4月15日 ｜�\術分析（���]・検�h����）

ダイヤモンド薄膜を開発しているElement Six社が、�軍��S長10.6µmのCO2レーザーを99%透�圓任�るダイヤモンド����を開発中である。このほどPhotonix 2016でその試作��を�t��した。EUVのX線を作り出すCO2レーザーの�Xとして使う。 [→��きを読む]

OLED/ウェアラブル�x場に向けたフレキ基��のバリア層形成����

 2016年4月12日 ｜�\術分析（���]・検�h����）

Appleが��来のiPhoneで採��を表��した�~機EL（OLED）ディスプレイ量��への期待は�jきく、��26�vファインテックジャパンでは、OLED商��化のために��須のバリア膜形成����が相次いでパネル�t��された。プラスチック基��はフレキシブルエレクトロニクスにも使うため、出�t社はビジネスの広がりに期待している。 [→��きを読む]

半導�����]����は好調、FPDも��常化へ

 2016年3月29日 ｜�x場分析

SEAJ（日本半導�����]����協会）が発表した2016�Q2月の日本��半導�����]����の�p�R�Yは依��として�Pびを��している。販売�Yは���i月比1.4%の微�\だが、�p�R�Yは同6.4%�\と�Pびている。この�T果、B/Bレシオは1月の1.35から1.41と�屬�っている(図1)。 [→��きを読む]

�咾�!　国内���]����メーカー

 2016年3月11日 ｜�噞分析

Intelが半導�����]����や材料のサプライヤーに�瓦靴突燭┐襦�2016�QのSCQI（Supplier Continuous Quality Improvement）賞の�p賞企業が発表された。数�h社から��ばれた�p賞企業8社の内、7社が日本メーカーであった。 [→��きを読む]

好調、日本��の半導�����]����、�L外半導��の設��投�@�T欲高い

 2016年2月23日 ｜�x場分析

半導�����]�����x場は、�L外半導��メーカーのポジティブな設��投�@�T欲が表��され、好調に推�，靴討い襦�SEAJ（日本半導�����]����協会）が発表した、2016�Q1月の���]����の�p�R�Yは3ヵ月連���\加し1186億7100万��、販売�Yはまだ�{いつかない880億4400万��、そのB/Bレシオは1.35となった。 [→��きを読む]

NY��SUNYとGlobalFoundries、EUVを共同開発、5億ドル投�@で拠点設��

 2016年2月12日 ｜�噞分析

�盜颪砲�ける先端半導��開発の拠点の�kつ、SUNY Polytechnic InstituteとGlobalFoundriesは、EUVリソグラフィの量�僝に向けて5�Q間で5億ドルのプログラムを推進すると共同発表した。このプログラムではIBMや東�Bエレクトロンなど半導��メーカー、����・材料メーカーのネットワークを最�j限に�W��、開発センターを設立する。 [→��きを読む]

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