NY��SUNYとGlobalFoundries、EUVを共同開発、5億ドル投�@で拠点設��
�盜颪砲�ける先端半導��開発の拠点の�kつ、SUNY Polytechnic InstituteとGlobalFoundriesは、EUVリソグラフィの量�僝に向けて5�Q間で5億ドルのプログラムを推進すると共同発表した。このプログラムではIBMや東�Bエレクトロンなど半導��メーカー、����・材料メーカーのネットワークを最�j限に�W(w┌ng)��、開発センターを設立する。
図1 NY�Ε▲襯丱法爾�EUV開発センターを新設 �^真はCNSEの�k�陝―儘Z：SUNY Poly CNSE
これは�櫂縫紂璽茵璽��Δ離▲鵐疋螢紂次Ε�オモ����のサポートを�pけ、ニューヨーク�Δ鬟淵離謄�研�|開発のリーダーとする試みの�k環としてのプロジェクトでもある。新設する研�|所の�@�iは、Advanced Patterning and Productivity Center（APPC：先端パターニング・�攵�センター）で、ニューヨーク�Ε▲襯丱法爾�CNSE（ナノスケール科学�\術学�陝砲棒���する。
10nm未満の微細パターンではさすがにトリプルパターニングになると�攵掚は�K化する。�kつの加工工��で��来なら1�vのパターニングで済んだ工��を3�vもしなければならないからだ。半導��のパターニング工��は�k般に20〜25�v��度のマスクが��要だが、トリプルパターニングだと、チップ���]����ではこの3倍も時間がかかることになる。EUVなら1�vで済む。しかし、EUVの光源となるX線源の出��が低く、露光時間がかかっていた。
最�Zは、��来よりも1桁�Hい100W出��のX線源も開発され、感度の高いレジストの開発も進み、その�`��が立ってきたため、ここで�k気に�@金を投入し、EUVの量�僝を進めようというもの。開発拠点であるSUNY Polyと量�妌場のGlobalFoundriesが新たな開発チームを組むことで、7nmプロセスの開発を加�]すると同時に、ニューヨーク�ξ��j学の学�據Ρ��擇覆匹某靴靴ぅ船礇鵐垢鯀禄个垢襦�
SUNY Polyの学長Alain Kaloyeros��は次のように述べている。「今�vの発表は、クオモ����が推進するイノベーションによる経済発�tモデルの�T果である。����の戦�S的な投�@は、ニューヨーク�Δ棒つc的なナノテク研�|のインフラと雇��をサポートしてきたが、APPC設立によりさらにムーアの法�Г鰈�長し、��半導���噞に新たなチャンスをもたらすことになる。GlobalFoundriesとIBM、東�Bエレクトロンとのパートナーシップにより、ここでの専門性と�\術的�ξ�を�k層向�屬気察⊂噞�cのニーズを満たし、この複雑な�\術の導入を加�]する」。
GlobalFoundriesは、IBM Microelectronicsを以�i�A収したことにより、IBMの世�c的な研�|投�@に直接アクセスできることになり、先端�\術開発ができるようになる。「SUNY Polyと共同の新センターにより、7nm以�Tのプロセスノードの先頭を行くことができる」とGlobalFoundriesのCTO兼研�|開発担当シニアバイスプレジデントのGary Patton��は語っている。
新センターは、EUVリソグラフィ�\術の商��化での問��に�Dり組む。カギはASML社のNXE:3300スキャナーの導入である。これが7nm以�Tの半導��開発の最新����であり、NXE:3300Bも��いて導入する。同センターはマスクサプライヤーと材料メーカーにも参加してもらい、パターニング工��の基本問��解��を通してEUVリソの�ξ�を拡�jしていく。加えて、�攵掚をさらに�屬欧襯廛蹈献Д�トもあるとしている。
「IBMは、半導���\術開発のコラボとリーダーを��けることを通じて、クラウドやコグニティブコンピューティングに使う高性�Ε灰鵐團紂璽燭鯆鷆，垢襪海箸鯡麑Jする。APPC へのSUNY Poly CNSEの投�@と、新しいASML����の導入により、EUV�\術の量�僝の�{�^が加�]されるだろう。IBM Researchが先導してきたアライアンスは、今�Qの早い時期に業�c初の7nmテストチップをお見せする」とIBM ResearchのバイスプレジデントであるMukesh Khare��は�O信を見せる。
